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irfp3206场效应管参数,KNP1906B代换,参数引脚图-KIA MOS管
KNP1906B场效应管可以替代irfp3206型号应用在?光伏逆变器、锂电池保护板中?，漏源击穿电压60V，漏极电流230A，RDS（开）在VGS=10V时为2.7mΩ，低RDS最大限度地减少导电损耗，提高整体效率；高雪崩电流，在高压工作下稳定可靠；采用无铅和绿色材料制造，符合环...www.kiaic.com/article/detail/5215.html 2024-09-25
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lvds信号介绍,LVDS电平标准详解-KIA MOS管
LVDS（Low Voltage Differential Signaling），低电压差分信号，是一种低摆幅的差分信号技术，它使得信号能在差分PCB线对或平衡电缆上以几百Mbps的速率传输，其低压幅和低电流驱动输出实现了低噪声和低功耗。www.kiaic.com/article/detail/5216.html 2024-09-25
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055n08n场效应管参数,KNX3208A代换,参数引脚图-KIA MOS管
KNX3208A场效应管可以代换055n08n型号应用于锂电池保护板、DCDC变换器、UPS、逆变器中；漏源击穿电压85V，漏极电流100A，RDS(ON)，typ.=6.5mΩ@VGS=10V，电阻极低，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；采用专有新沟槽技术，具有低门电荷、快恢复体二极管...www.kiaic.com/article/detail/5218.html 2024-09-25
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贴片电阻封装,尺寸大全,对照表,图文详解-KIA MOS管
贴片电阻常见封装用两种尺寸代码来表示。一种尺寸代码是由4位数字表示的EIA代码，前两位与后两位分别表示电阻的长与宽，以英寸为单位。常用的0603封装就是指英制代码。另一种是米制代码，也由4位数字表示，其单位为毫米。www.kiaic.com/article/detail/5217.html 2024-09-25
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电阻率单位,电阻率的计算公式详解-KIA MOS管
电阻率（Resistivity）是用来表示各种物质电阻特性的物理量，是衡量材料抵抗电流流过的能力的指标。它是材料的固有特性，描述了每单位长度、面积或体积对电流流动的阻力。电阻率用希腊字母rho（ρ）表示，单位为欧姆米（Ωm）。www.kiaic.com/article/detail/5219.html 2024-09-25
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场效应管参数对照表,场效应管参数查询-KIA MOS管
最大漏-源电压（VDSS）?：在栅源短接时，漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。?最大栅源电压（VGS）?：栅源两极间可以施加的最大电压，防止电压过高导致的栅氧化层损伤。www.kiaic.com/article/detail/5220.html 2024-09-25
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100v150a场效应管,控制器 保护板专用,KNB2810A参数引脚图-KIA MOS管
KNB2810A可以代换3210场效应管应用于电池保护板、电动车控制器、逆变器中，漏源击穿电压100V，漏极电流150A，RDS(ON)=5.0mΩ(typ.)@VGS=10V ，低导通电阻RDS（On）能够减少导通损耗，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗，超高密度电池设计，100%雪崩测试，...www.kiaic.com/article/detail/5221.html 2024-09-25
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nce6080k参数,nce6080k代换,KND3306B场效应管,中文资料-KIA MOS管
KND3306B场效应管可以替代nce6080型号在无刷电机、锂电池保护板、逆变器领域应用，漏源击穿电压68V，漏极电流80A，RDS(on)=7mΩ@VGS=10V，低导通电阻、高雪崩电流，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；开关速度快、耐冲击特性好、提供无铅绿色设备，稳定...www.kiaic.com/article/detail/5212.html 2024-09-14
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肖特基二极管作用、原理、特点-KIA MOS管
肖特基二极管也被称为肖特基势垒二极管是一种低功耗、超高速半导体器件，SBD是肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。www.kiaic.com/article/detail/5211.html 2024-09-14
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二极管整流原理,二极管整流电路图-KIA MOS管
二极管整流原理是指利用二极管的单向导电性质，将交流电信号转化为直流电信号的一种电路。二极管整流电路一般分为半波整流和全波整流两种。半波整流电路只利用了交流信号的正半周或负半周，通过一个二极管将其转化为单向的直流信号。当输入信号的正半周时，二极...www.kiaic.com/article/detail/5210.html 2024-09-14
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150n04参数,150A 40V参数代换,KNX2804A场效应管保护板-KIA MOS管
KNX2804A场效应管采用专有新型沟槽技术，漏源击穿电压40V，漏极电流150A，RDS（ON）=3.0mΩ@VGS=10V，极低的导通电阻RDS，以及低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管，实现高效的电路控制；KNX2804A可以替代150n04型号应用在锂电池保护板、DC/DC转换器、...www.kiaic.com/article/detail/5209.html 2024-09-13
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集成电路常用封装,常见封装形式-KIA MOS管
集成电路封装是一种通过将半导体元件封装在陶瓷或塑料制成的封装材料中，可以使半导体元件免受物理冲击和腐蚀的影响。集成电路的常用封装形式包括双列直插式封装（DIP）、球栅阵列封装（BGA）、四面扁平封装（QFP）、塑料无引脚封装（DFN）、芯片尺寸封装（CSP...www.kiaic.com/article/detail/5208.html 2024-09-13
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电路图开关符号大全,电路图开关符号图-KIA MOS管
电路图符号是绘制电路图的基础，分为传输路径、集成电路组件、限定符号、开关和继电器符号等类别。常见电气字母符号1、L：火线（红色导线）2、N：零线（蓝色导线）3、PE：地线（黄绿双色导线）www.kiaic.com/article/detail/5207.html 2024-09-13
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80n04场效应管参数,KND3404C代换,参数引脚图-KIA MOS管
KND3404C场效应管采用先进的高单元密度沟槽技术，可以替代80n04型号应用在锂电池保护板、同步降压转换器中；漏源击穿电压40V，漏极电流80A，低导通电阻RDS（ON）=5.0mΩ@VGS=10V，出色的RDSON和栅极电荷，高效率低损耗；还具有出色的Cdv/dt效应下降、符合RoHs和...www.kiaic.com/article/detail/5206.html 2024-09-12