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结果: 找到相关主题 156 个
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tip42c参数,tip42c引脚图,tip42c电路图-KIA MOS管
tip42c参数：?集电极-发射极电压（VCEO）?：最高可达-100V，适用于电压低于100V的电路。?集电极持续电流（Ic）?：最大为-6A，适合需要更高电流驱动的负载。www.kiaic.com/article/detail/5333.html 2024-11-22
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21n50参数及代换,大功率mos管,KIA20N50HF参数资料-KIA MOS管
21n50场效应管代换型号KIA20N50HF漏源击穿电压500V，漏极电流20A，低导通电阻RDS(on)0.21Ω，低栅极电荷（典型值为70nC），减少导电损耗，最小化开关损耗；具备快速切换能力、指定雪崩能量、改进的dvdt功能，稳定可靠；高效率低损耗，专为高压、高速功率开关应...www.kiaic.com/article/detail/5332.html 2024-11-21
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发光二极管封装尺寸,发光二极管封装图-KIA MOS管
一般封装型号包括0603、0805、1206等。这些型号代表了LED的封装尺寸，例如0603代表长度为.06英寸，宽度为.03英寸。这些封装型号在电子产品中应用广泛，具有较小的尺寸和良好的亮度。www.kiaic.com/article/detail/5331.html 2024-11-21
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反相器和非门的区别,有什么关系?-KIA MOS管
非门是逻辑电路的基本单元，用于实现基本的逻辑运算，其输入和输出端的电平状态总是相反。当输入端为高电平（逻辑1）时，输出端为低电平（逻辑0），反之亦然。非门在数字电路中广泛应用，是实现逻辑非功能的基本元件。?反相器主要用于模拟电路中，用于将输入信...www.kiaic.com/article/detail/5330.html 2024-11-21
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60nf06参数代换,逆变器mos管,KND3306B场效应管资料-KIA MOS管
60nf06代换型号KND3306B场效应管漏源击穿电压68V，漏极电流80A，低导通电阻RDS(on)=7mΩ@VGS=10V，能够减少导电损耗，最小化开关损耗；具备高雪崩电流、开关速度快、耐冲击特性好，坚固可靠；提供环保无铅绿色设备，在电机控制、锂电池保护板、逆变器中高效稳定...www.kiaic.com/article/detail/5329.html 2024-11-20
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48v电动车充电器电路图分享-KIA MOS管
220v交流电→经T0双向滤波抑制干扰→D1桥式整流堆为脉动直流，再经C11滤波形成稳定的300V左右的直流电。U1是TL3842脉宽调制集成电路。其5脚是电源负极，7脚是电源正极，6脚是脉冲输出直接驱动场效应管www.kiaic.com/article/detail/5328.html 2024-11-20
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推挽放大器电路图,推挽放大器工作原理-KIA MOS管
推挽放大器（Push-Pull Amplifier)是一种特殊的放大器设计，它利用两个互补的晶体管或功率管来放大和输出信号。推挽放大器使用一对参数相近的晶体管，交替工作在信号的正、负两个半周期，形成一推一挽的放大形式。www.kiaic.com/article/detail/5327.html 2024-11-20
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150N03场效应管,30v150a mos管,KNB2803B代换-KIA MOS管
150N03场效应管代换型号KNB2803B漏源击穿电压30V，漏极电流150A，采用先进沟槽加工技术，极低的导通电阻RDS(on)为2.1mΩ，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；100%雪崩测试、无铅，符合RoHS标准，节能环保；快速切换、改进的重复雪崩额定值，在锂电池保护...www.kiaic.com/article/detail/5326.html 2024-11-19
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dfn封装和qfn封装区别,dfn/qfn封装尺寸-KIA MOS管
dfn封装和qfn封装是一种无引脚表面贴装封装结构，它们都是现代底部排放封装形式，顶部嵌入式封装；dfn封装是单元体（footprint）的尺寸略大，在焊点面积、耐受能力两方面略优于qfn；而qfn封装被精确定义为仅拥有位于四个角上的几个引脚，在板焊板工艺控制和通孔...www.kiaic.com/article/detail/5325.html 2024-11-19
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sot223封装,sot223封装尺寸图-KIA MOS管
引脚分布1脚为栅极，3脚为源极，2、4脚为漏极。有些封装2脚伸出可焊接，有些封装2脚悬空。www.kiaic.com/article/detail/5324.html 2024-11-19
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3103场效应管参数,30v110a mos管,KNY3103A中文资料-KIA MOS管
KNY3103A场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流110A，极低的导通电阻RDS(on)仅为1.9mΩ，能够最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；快速切换、100%雪崩测试、允许高达Tjmax的重复雪崩以及满足RoHs和绿色产品的要求，在锂电池保护板、电子烟应用中确保稳定可靠...www.kiaic.com/article/detail/5323.html 2024-11-18
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米勒平台形成的原理,米勒平台怎么改善-KIA MOS管
当Cgs达到门槛电压之后， MOSFET就会进入开通状态；当MOSFET开通后，Vds开始下降，Id开始上升，此时MOSFET进入饱和区；但由于米勒效应，Vgs会持续一段时间不再上升，此时Id已经达到最大，而Vds还在继续下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压的值，此时...www.kiaic.com/article/detail/5322.html 2024-11-18
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场效应管组成的放大电路,场效应管放大电路-KIA MOS管
场效应管有三种组态放大电路，分别是共源放大电路、共漏放大电路和共栅放大电路。（1）共源放大器如图所示，它相当于晶体三极管中的共发射极放大器，是一种常用电路。输入信号从源极与栅极之间输入，输出信号从源极与漏极之间输出。www.kiaic.com/article/detail/5321.html 2024-11-18
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4703场效应管参数,保护板mos管,KPE4703A中文资料-KIA MOS管
KPE4703A场效应管漏源电压-30V，漏极电流-8A，导通电阻RDS(on)仅为19mΩ，出色的RDS(ON)和低栅极电荷，有效降低电路中的开关损耗，提高整体效率；KPE4703A采用先进的高单元密度沟道技术，使得器件能够在尺寸较小的情况下提供卓越的性能，能够在锂电池保护板、智...www.kiaic.com/article/detail/5320.html 2024-11-15