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结果: 找到相关主题 129 个
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无线充电电路图,充电器电路图分享-KIA MOS管
无线手机充电器采用电感耦合原理。两个LC调谐电路以相同的调谐频率进行通信，即发射机的调谐频率必须等于接收器的调谐频率。在这里，使用LC调谐来产生和传输另一个LC调谐电路接收的磁场。www.kiaic.com/article/detail/5205.html 2024-09-12
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电流反馈和电压反馈的判断,电路反馈类型-KIA MOS管
同时满足两个条件：反馈直接连到Uo输出端；输出电压为零，或者负载电阻RL两端电压为0时，反馈信号不存在了，那就是电压反馈。其他全都是电流反馈。www.kiaic.com/article/detail/5204.html 2024-09-12
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irl8726参数,8726参数,100n03场效应管参数代换-KIA MOS管
KIA100N03场效应管采用先进平面条纹DMOS技术生产，漏源击穿电压30V，漏极电流为90A，RDS(on)=3.3mΩ@VGS=10V，最小化通态电阻，提高效率，在雪崩和整流模式下能承受高能量脉冲；增强的dv/dt能力、快速切换，绿色设备可用。KIA100N03可以替代irl8726型号应用在高...www.kiaic.com/article/detail/5203.html 2024-09-11
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带通滤波器原理,带通滤波器电路图-KIA MOS管
带通滤波器的工作原理结合了低通滤波器和高通滤波器的特点。它通常由低通滤波器和高通滤波器组合而成，或者通过其他方式实现特定频率范围的滤波效果。当信号通过带通滤波器时，只有位于滤波器通带内的信号分量能够较好地通过；而通带外的信号分量则会被削弱或抑...www.kiaic.com/article/detail/5202.html 2024-09-11
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mos管的封装类型有哪些？-KIA MOS管
插入式是MOSFET的管脚穿过PCB板的安装孔并焊接在PCB板上。常见的插入式封装有：双列直插式封装(DIP)、晶体管外形封装(TO)、插针网格阵列封装(PGA)三种样式。表面贴装是MOSFET的管脚及散热法兰焊接在PCB板表面的焊盘上。典型表面贴装式封装有：晶体管外形(D-PAK...www.kiaic.com/article/detail/5201.html 2024-09-11
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nce3050k参数,KIA50N03A场效应管,30V 50A原厂现货-KIA MOS管
KIA50N03A场效应管采用先进的沟槽工艺技术，可以替代nce3050k型号应用在锂电池保护板、LED中，漏源击穿电压30V、漏极电流50A，RDS(ON)=6.5mΩ,VGS@10V,Ids@30A，RDS(ON)=9.5mΩ,VGS@4.5V,Ids@30A；超低导通电阻的高密度电池设计，完全表征雪崩电压和电流，有效...www.kiaic.com/article/detail/5200.html 2024-09-10
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51单片机是什么,stm32和51单片机的区别-KIA MOS管
单片微型计算器，简称为单片机。单片机就是在一块硅片上集成了微处理器、存储器以及各种输入/输出（I/O，I指的是input，O指的是output）口的芯片。单片机是一块集成芯片，这块集成芯片具有一些特殊的功能，通过编程我们可以用这块单片机的I/O口的高低电平变化来...www.kiaic.com/article/detail/5199.html 2024-09-10
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逻辑电平是什么,逻辑电平有哪些？-KIA MOS管
逻辑电平是用来表示数字信号状态的电压水平，通常由信号与地线之间的电位差来体现。逻辑电平的浮动范围由?逻辑家族中不同器件的特性所决定。在数字电子系统中，常用的逻辑电平有高电平（通常表示为“1”）和低电平（通常表示为“0”）。www.kiaic.com/article/detail/5198.html 2024-09-10
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3n80场效应管,KIA3N80H参数引脚图,原厂现货-KIA MOS管
KIA3N80H场效应管漏极电流3A，漏源击穿电压高达800V，在开启状态下静态电阻RDS为4.8Ω，具有稳定的电气特性；低栅极电荷为13nC，确保快速的响应速度；具有高坚固性，在各种情况下可靠工作；改进的dv/dt能力，有效降低开关时的干扰。KIA3N80H可以替代3n80型号应...www.kiaic.com/article/detail/5197.html 2024-09-09
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0805电阻功率,0805贴片电阻功率多少-KIA MOS管
0805贴片电阻的功率是1/8W。??0805是贴片电阻的一种封装型号，电阻的功率是根据电阻封装大小、材质等因素来决定的，通常电阻的厂家会提供销售的电阻的功率参数。0805贴片电阻中0805代表封装外形尺寸，与焊盘尺寸关系不大。0805的功率各个地方、厂家的规定都不...www.kiaic.com/article/detail/5196.html 2024-09-09
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运放电压跟随器电路,原理,作用详解-KIA MOS管
运放电压跟随器的原理是利用运算放大器的高增益特性，实现输入电压与输出电压之间的线性关系。在理想情况下，输出电压与输入电压完全相等，即增益为1，因此得名“电压跟随器”。一个典型的运放电压跟随器电路由一个运算放大器、两个电阻器R1和R2组成。www.kiaic.com/article/detail/5195.html 2024-09-09
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6n70参数及代换,6n70kl引脚参数,KIA6N70H场效应管-KIA MOS管
KIA6N70H场效应管可以替代6n70型号应用在高效开关电源、LED驱动、电机驱动中，漏源击穿电压700V、漏极电流5.8A，RDS(on)typ为1.8Ω@VGS=10V，最大限度地减少导通电阻，低栅电荷（典型16NC），提供卓越的开关性能；具有高耐用性、快速切换和雪崩测试100%、dv/dt...www.kiaic.com/article/detail/5194.html 2024-09-05
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电解电容正负极判断,电解电容正负极区分-KIA MOS管
电解电容区分正负极：①电容套管白色银边且有“一字”标识的侧端引脚为电容负极，另一侧端引脚则为电容正极；②新的电容引脚长的为电容正极，另一引脚则为电容负极。www.kiaic.com/article/detail/5193.html 2024-09-05
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nmos导通条件电流流向,nmos导通电压-KIA MOS管
NMOS的导通条件是当栅极和源极之间的电压（Vgs）大于或等于阈值电压（Vth）时。阈值电压是一个特定的电压值，它决定了MOSFET是否导通。一旦Vgs大于或等于Vth，NMOS就会导通。此时，栅极和漏极之间的电压（Vgd）可以是正值或零。www.kiaic.com/article/detail/5192.html 2024-09-05