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10n65场效应管参数,KIA10N65H参数引脚图,中文资料-KIA MOS管
KIA10N65H场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流10A，RDS(on)=0.65Ω @ VGS=10V，低导通电阻，低栅极电荷(典型48nC)，有效降低开关损耗，提升效率；具有快速交换功能、指定的雪崩能量以及改进的DV/DT功能，稳定可靠，提高开关响应速度，可以替代10n65型号应用在高...www.kiaic.com/article/detail/5191.html 2024-09-04
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电位器引脚图接线图,电位器工作原理-KIA MOS管
固定端A接电源正极（+V）或信号源。中间滑动端W接输出端，用于获取与滑动位置成比例的电压。固定端B接地（GND）或电源负极（-V）。这样，滑动端W的电压将随电位器滑动位置的改变而线性或按特定曲线变化，实现对输入电压的分压。www.kiaic.com/article/detail/5190.html 2024-09-04
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中间继电器接线图,中间继电器的原理作用-KIA MOS管
中间继电器可以控制交流负载的接通和断开。接线方法是：将中间继电器的线圈接入控制电路中，将负载接入交流电源，并将中间继电器的常开触点接入负载的控制电路中。www.kiaic.com/article/detail/5189.html 2024-09-04
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7n65f参数及代换,KNX4665B场效应管参数引脚图规格书-KIA MOS管
KNX4665B场效应管可以替代7n65型号应用在DCDC转换器、电源适配器、镇流器、LED驱动中，漏源击穿电压650V，漏极电流7A，能够承受较大的电压压力及良好的导电性能；RDS（ON）的典型值为1.1Ω，低导通电阻，低栅极电荷最小化，有效降低开关损耗，提升整体性能；符...www.kiaic.com/article/detail/5188.html 2024-09-03
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Ciss和Coss和Crss,电容特性Ciss,Coss,Crss-KIA MOS管
MOSFET在栅极-漏极、栅极-源极和漏极-源极之间具有电容，Ciss为输入电容，Crss为反馈电容，Coss为输出电容。电容会影响MOSFET的开关性能。www.kiaic.com/article/detail/5187.html 2024-09-03
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霍尔传感器工作原理、作用详解-KIA MOS管
当磁场作用在半导体上时，电子会垂直于电流方向发生侧向偏转，一侧分布电子多，一侧分布电子少，由此产生霍尔电压，指针偏转。如果磁场被中断，电子会重新均匀分布，这时电压表指针不偏转。阈值开关以数字方式显示霍尔电压的模拟信号，阈值开关在一定电压下闭合...www.kiaic.com/article/detail/5186.html 2024-09-03
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4n65f参数及代换,KIA4365A场效应管参数引脚图-KIA MOS管
KIA4365A场效应管可以替代4n65型号应用在高频开关电源、LED驱动和不间断电源（UPS）中，漏源击穿电压为650V，漏极电流4A，RDS（ON）典型值为2.0Ω，低导通电阻，减少导通损耗；具有快速切换技术，有效降低损耗，提高电路效率，改进的dv/dt能力在电路切换时快速...www.kiaic.com/article/detail/5185.html 2024-09-02
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什么是阻抗匹配,阻抗匹配原理详解-KIA MOS管
阻抗匹配指通过调整输入阻抗和输出阻抗来使得电子器件满足一定条件，通常该条件是使得系统传输功率最大或者使得信号反射最小。例如，再无线传输系统中需要匹配射频发射设备和接受天线的阻抗以此来实现传输功率最大化。www.kiaic.com/article/detail/5184.html 2024-09-02
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电路端接电阻方式,端接电阻的作用-KIA MOS管
串联端接发送端的输出阻抗比较小，那么我们在电路上直接串联一个电阻，使得输出阻抗加上电阻阻值的总阻抗等于传输线阻抗，这样就能保证阻抗的连续性，减小信号的反射。www.kiaic.com/article/detail/5183.html 2024-09-02
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看门狗电路图,看门狗电路原理-KIA MOS管
看门狗型复位电路主要利用CPU正常工作时，定时复位计数器，使得计数器的值不超过某一值；当CPU不能正常工作时，由于计数器不能被复位，因此其计数会超过某一值，从而产生复位脉冲，使得CPU恢复正常工作状态。www.kiaic.com/article/detail/5182.html 2024-08-30
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贴片电阻识别方法图,型号对照表-KIA MOS管
1、直标法：用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值，其允许误差直接用百分数表示，若电阻上未注偏差，则均为±20%。2、文字符号法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，其允许偏差也用文字符号表示。符号前面的数字表示整数阻值，后面...www.kiaic.com/article/detail/5181.html 2024-08-30
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三极管反向击穿电压,BVcbo,BVceo,BVebo-KIA MOS管
反向击穿电压是指在反向电压作用下，半导体材料中的电子空穴对被拉出，形成电流，从而导致器件损坏的电压。对于三极管而言，由于其内部存在两个p-n结（发射结和集电结)，因此它有三个反向击穿电压：BVCEO（集电极-发射极反向击穿电压）、BVCBO（集电极-基极反向...www.kiaic.com/article/detail/5180.html 2024-08-29
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继电器控制电路图,原理图分享-KIA MOS管
继电器模块的控制电路通常由一个开关电路或传感器电路提供控制信号。例如，可以使用一个按钮来控制继电器的开关动作。当按钮按下时，控制电路会给继电器的线圈供电，触点闭合；当按钮松开时，线圈断电，触点打开。www.kiaic.com/article/detail/5179.html 2024-08-29
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4n65场效应管参数,4n65f参数及代换,KIA4N65H资料-KIA MOS管
KIA4N65H场效应管漏极电流4A，漏源击穿电压为650V，RDS（开）=2.5Ω @ VGS=10V，最大限度减少导通电阻；低栅极电荷，典型值为16nC，高坚固性、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力、在雪崩和换向模式下承受高能脉冲，能够确保稳定性和可靠性，带来高效率和快速响应，...www.kiaic.com/article/detail/5178.html 2024-08-28