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光控延时开关电路图,原理图分享-KIA MOS管
电路电容C1用于延时控制，平时RG没有收到光照时呈现高电阻，V1、V2均截止，继电器K不工作，当用手电等光源照射光敏电阻时，RG呈现低电阻，V1导通，因为等效电阻很小，所以电容C1迅速充满电荷。同时V2也导通，K吸合，常开触点闭合，可使被控设备得电工作。www.kiaic.com/article/detail/5177.html 2024-08-28
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简单的延时电路图,延时开关电路图-KIA MOS管
将电源开关 K2 闭合，再按下按钮开关 K1，这时，晶体二极管 V1、V2 导通，继电器吸合。同时电源对电容器 C 充电。当 K1 断开后由于 C 已被充电，它将通过 R 和 V1V2 放电，从而维持三极管继续导通，继电器仍然吸合。经过一段时间的放电，C 两极间电压下降到一定...www.kiaic.com/article/detail/5176.html 2024-08-28
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76N60N参数代换,KCM3560A场效应管参数引脚图,76A 600V-KIA MOS管
KCM3560A场效应管可以替代76N60N使用，漏源击穿电压600V，漏极电流76A，RDS(on)typ.=36mΩ@VGS=10V；具有坚固的高压终端、指定雪崩能量、与离散快速恢复二极管相当的源极到漏极恢复时间、高温下规定的IDSS和VDS（ON）、隔离安装孔减少了安装硬件，专为电源、转...www.kiaic.com/article/detail/5175.html 2024-08-27
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7n60场效应管参数,KNF4660A参数引脚图,规格书资料-KIA MOS管
KNX4660A场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流7A，专为高压、高速功率开关应用设计，在高压环境下发挥稳定，RDS（ON），典型值=1.0Ω@VGS=10V，具有良好的导通性能；符合RoHS标准、低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管，性能出色。KNX4660A可以替代7N60...www.kiaic.com/article/detail/5174.html 2024-08-27
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肖特基接触和欧姆接触的特点、区别-KIA MOS管
欧姆接触是半导体设备上具有线性并且对称的电流-电压特性曲线(I-V curve)的区域。如果电流-电压特性曲线不是线性的，这种接触便叫做肖特基接触。www.kiaic.com/article/detail/5173.html 2024-08-27
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12n60场效应管参数,高压mos管,KIA12N60H参数引脚图-KIA MOS管
KIA12N60H场效应管专为高压、高速功率开关应用而设计，可以替代12N60型号应用在开关电源、LED驱动、储能电源中；漏源击穿电压600V，漏极电流12A，RDS(on)= 0.53Ω @ VGS=10V，低导通电阻，超低栅极电荷52nC，高效率低损耗；具有快速切换能力、改进的dv/dt能力、...www.kiaic.com/article/detail/5172.html 2024-08-26
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单电源转双电源电路,单电源转正负双电源-KIA MOS管
时基电路555接成无稳态电路，3脚输出频率为20KHz、占空比为1:1的方波。3脚为高电平时，C4被充电;低电平时，C3被充电。由于VD1、VD2的存在，C3、C4在电路中只充电不放电，充电最大值为EC，将B端接地，在A、C两端就得到+/-EC的双电源。www.kiaic.com/article/detail/5171.html 2024-08-26
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sod123封装尺寸,SOD123封装尺寸图-KIA MOS管
SOD123是一种常见的贴片封装，用于封装各种电子元件，如二极管、小信号晶体管等。它具有较小的尺寸，适用于需要节省空间的电路设计。封装长度（L）：2.1 mm封装宽度（W）：1.25 mm封装高度（H）：1.0 mmwww.kiaic.com/article/detail/5170.html 2024-08-26
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8n60场效应管参数代换,KIA8N60H参数引脚图,中文资料-KIA MOS管
KIA8N60H场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流7.5A，RDS（开）值仅为0.98Ω，具有良好的导通性能；超低栅极电荷仅为29nC，展现快速切换能力；具有快速开关时间、改进的dv/dt能力、高雪崩特性，高效稳定。KIA8N60H可以替代8N60型号在电源、LED驱动、PWM电机控制、...www.kiaic.com/article/detail/5169.html 2024-08-23
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8n60场效应管参数,8n60场效应管引脚图,8n60参数-KIA MOS管
KIA8N60场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流7.5A，使其在高压环境下发挥稳定而强大的作用，其RDS（开）值仅为0.98?，在输入电压为10V时表现突出，具有良好的导通性能；超低栅极电荷仅为29nC，展现出快速切换的能力，使其在开关电源、LED驱动领域有着广泛的应用...www.kiaic.com/article/detail/4801.html 2024-08-23
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pmos防反接电路设计,电路原理图-KIA MOS管
PMOS用作电源开关，将负载与电源连接或断开，在正确连接电源期间，MOSFET由于正确的VGS(栅极到源极电压)而导通，但在反极性情况下，栅极到源极电压太低而无法导通MOSFET并将负载与输入电源断开。www.kiaic.com/article/detail/5168.html 2024-08-23
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nmos防反接保护电路,原理图-KIA MOS管
当电源正接时，上电初期，Vs=Vg=Vin，由于NMOS寄生二极管的存在，NMOS的漏极与源极导通，Vs=Vd+0.7V，而Vd=GND，故Vs=0.7V左右，Vgs=Vin-Vd6，选型合理的话，Vgs＞Vth，故NMOS导通。www.kiaic.com/article/detail/5167.html 2024-08-23
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7n60场效应管参数,led驱动mos管,KIA7N60H参数管脚-KIA MOS管
KIA7N60H场效应管可以代换7n60型号，在高压应用中表现出色，漏源击穿电压600V，漏极电流7A，RDS（打开）=1.0Ω @ VGS=10V，低导通电阻，有效降低功耗和提高效率；具有超低的栅极电荷，典型值为27nC，以及低反向转移电容、雪崩能量测试、改进的dv/dt能力，确保在...www.kiaic.com/article/detail/5166.html 2024-08-22
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恒流源电路设计,晶体管恒流源电路-KIA MOS管
用晶体管构成电压源和电流源电流。电压源就是共集电路，而电流源就是共基电路，此两电路在实际工程中运用极广。另外，请注意到共集电极电路的输入端在基极而输出端在发射极，故输出电压与输入电压电位特性一致，但输出电压比输入电压低0.6V，也即α倍，而输出电...www.kiaic.com/article/detail/5165.html 2024-08-22