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加法器和减法器的区别,加减法器电路图-KIA MOS管
加法器用于执行加法运算，减法器用于执行减法运算。加法器包括半加器和全加器，其中半加器用于相加两个单独的二进制位，全加器用于相加两个二进制位和一个进位输入。减法器将减数取补码，然后与被减数相加，并加上一个进位位，得到减法的结果。www.kiaic.com/article/detail/5164.html 2024-08-22
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KIA24N50H替代24n50场效应管参数,500V 24A,中文资料-KIA MOS管
KIA24N50H场效应管漏源电压500V，漏极电流24A，低导通电阻RDS（ON）=0.16Ω@VGS=10v，低栅极电荷（典型90nC），使开关损耗最小化，提高效率；具有高坚固性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，稳定可靠；封装形式： TO-3P。www.kiaic.com/article/detail/5163.html 2024-08-21
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提高晶体管开关速度的途径,方法图文-KIA MOS管
实际上，为了实现理想的基极电流波形，可以方便地采用下图所示的基极输入回路（微分电路），图中与基极电阻RB并联的CB就称为增速电容器。在基极输入回路中增加一个增速电容器之后，虽然输入的电流波形仍然是方波，但是通过增速电容器的作用之后，所得到的实际基...www.kiaic.com/article/detail/5162.html 2024-08-21
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沟道长度调制效应,沟道调制效应的概念,原理-KIA MOS管
??沟道调制效应是指?MOS晶体管中，当栅下沟道预夹断后，若继续增大漏源电压（Vds），夹断点会略向源极方向移动，导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小，有效沟道电阻也就略有减小，从而使更多电子自源极漂移到夹断点，导致在耗尽区漂移电子增多，使漏源电...www.kiaic.com/article/detail/5161.html 2024-08-21
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18n50参数代换,中文资料,KIA18N50H大功率场效应管现货-KIA MOS管
KIA18N50H场效应管漏源电压500V，漏极电流18A，专为高压、高速功率开关应用设计，如高效开关电源、有源功率因数校正；低导通电阻RDS（开启）=0.25?@VGS=10V；低栅极电荷（典型50nC），使开关损耗最小化，提高效率；具有快速切换能力、指定雪崩能量、改进的dv/...www.kiaic.com/article/detail/5160.html 2024-08-20
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9a 500v mos管,KNY4850S场效应管参数引脚图,中文资料-KIA MOS管
KNY4850S场效应管漏源电压500V，漏极电流9A，在VGS=10V时，RDS（ON）=0.7Ω（典型值），低电阻减小损耗，提高效率，低栅极电荷使开关损耗最小化；符合RoHS环保要求，稳定可靠；能够在适配器、电视主电源、SMPS电源、液晶面板电源中展现出色的性能，封装形式： ...www.kiaic.com/article/detail/5159.html 2024-08-20
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mos管esd保护电路,ESD保护电路设计-KIA MOS管
静电保护器件（ESD） 是由一个或多个 TVS 晶粒采用不同的电路拓扑制成具有特定功能的多路或单路 ESD 保护器件。ESD反向并联于电路中，当电路正常工作时，ESD处于截止状态（高阻态），不影响电路正常工作。www.kiaic.com/article/detail/5158.html 2024-08-20
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8N50场效应管参数代换,KNF4850A参数引脚图,原厂现货-KIA MOS管
KNF4850A场效应管可以替代8N50型号应用在hid安定器、适配器、充电器、SMPS备用电源中；KNF4850A漏源电压500V，漏极电流9A，RDS(on)=0.7Ω(typ.)@VGS=10V，低栅极电荷使开关损耗最小化；快恢复体二极管、符合RoHS环保要求，稳定可靠；封装形式：TO-220F，散热性...www.kiaic.com/article/detail/5157.html 2024-08-19
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硬件英文,硬件的英文缩写,硬件和软件-KIA MOS管
硬件原理图的英文缩写-常用控制接口EN：Enable，使能。使芯片能够工作。要用的时候，就打开EN脚，不用的时候就关闭。有些芯片是高使能，有些是低使能，要看规格书才知道。CS：Chip Select，片选。芯片的选择。通常用于发数据的时候选择哪个芯片接收。例如一根S...www.kiaic.com/article/detail/5156.html 2024-08-19
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反向极性保护电路,MOSFET的反向极性保护-KIA MOS管
制作反极性保护电路的正确方法是使用简单的PMOS或NMOS。建议使用PMOS，因为PMOS会切断正轨，电路不会获得任何电压，如果电路在高直流电压下工作，则产生有害后果的可能性较小。www.kiaic.com/article/detail/5155.html 2024-08-19
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KIA830H参数引脚图中文资料,替代irf830,5n50场效应管-KIA MOS管
KIA830H场效应管可以替代irf830,5n50型号应用在HD安定器、适配器、充电器和SMPS备用电源中；KIA830H性能出色，漏源电压500V，漏极电流5A，开启状态下的电阻为1.0Ω，稳定可靠；具有低电阻和低栅极电荷的特点，符合RoHS环保要求，在峰值电流或脉冲宽度方面，都能...www.kiaic.com/article/detail/5154.html 2024-08-16
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mos管三个引脚图顺序,怎么区分详解-KIAMOS管
栅极（Gate,G）：控制MOSFET导通或截止的引脚。在NMOS中，当栅极电压高于源极电压一定阈值（Vth）时，MOSFET开始导通；在PMOS中，则是当栅极电压低于源极电压一定阈值时开始导通。?www.kiaic.com/article/detail/5153.html 2024-08-16
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全桥逆变和半桥逆变的区别、优缺点-KIA MOS管
全桥逆变器使用四个开关管，而半桥逆变器使用两个开关管。和半桥相比，全桥的开关管数量增加了一倍，但是在相同的开关电流下，全桥电路的输出功率是半桥的两倍。www.kiaic.com/article/detail/5152.html 2024-08-16
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KIA730H中文资料PDF,kia730h代换irf730场效应管-KIA MOS管
KIA730H可以代换irf730场效应管应用在开关电源、逆变器、电机驱动器、开关转换器中。kia730h漏源击穿电压400V，漏极电流6A，RDS(ON)，typ.=0.83Ω@VGS=10V，具有较低的导通电阻，低栅极电荷（典型值为20nC），可最大限度地减少导通损耗；快速切换能力，改进的d...www.kiaic.com/article/detail/5151.html 2024-08-15