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KIA7115A场效应管?漏源击穿电压150V,漏极电流20A,RDS(开启)=77m?@VGS=10V,超低栅极电荷,降低开关损耗,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS和栅极电荷,出色的Cdv/dt效应下降、绿色设备可用,符合RoHs,100%EAS保证,稳定可靠,封装形式:TO-25...
www.kiaic.com/article/detail/5136.html 2024-08-08
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(1)利用齐纳二极管和超快恢复二极管(SRD)组成齐纳钳位电路;(2)利用阻容元件和超快恢复二极管组成的R、C、SRD软钳位电路;(3)由阻容元件构成RC缓冲吸收电路。
www.kiaic.com/article/detail/5135.html 2024-08-08
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市电220V直接通过一个整流桥D2,然后经过C2滤波后,就输入到MT7812芯片的电源引脚VCC。电阻R1和R2,它俩的作用是限流,防止高压产生的大电流冲击MT7812芯片的内部电路。
www.kiaic.com/article/detail/5134.html 2024-08-08
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KNX4810A是一款性能出色的场效应管,漏源击穿电压100V,漏极电流9A,在VGS=10V时,RDS(ON)=140mΩ(典型值),减小损耗、提高效率,具有增强模式、快速切换、无铅铅镀层,符合RoHS标准,稳定可靠;封装形式:TO-252。
www.kiaic.com/article/detail/5133.html 2024-08-07
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隔离型电源的特点是输入端的地线与输出端的地线是直接相连的。这意味着电源的输入和输出在电气上不是完全隔离的。隔离型电源采用了一个变压器来实现输入和输出之间的完全隔离。这样,无论是220V交流电的正极还是负极,都与输出端没有直接的电气连接。
www.kiaic.com/article/detail/5132.html 2024-08-07
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只有在原本没有增大浓度时形成PN结的区域掺杂的杂质元素增多,此区域极易挣脱束缚而进行扩散运动的多子同进行漂移运动的固定数目的少子达到动态平衡时,所需挣脱束缚的多子的范围就更小,所以PN结就更窄。
www.kiaic.com/article/detail/5131.html 2024-08-07
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KIA4610A场效应管采用先进的高单元密度沟槽技术,漏源击穿电压100V,漏极电流7.5A,在VGS=10V时,RDS(开启)=16mΩ(典型值),低栅极电荷,降低开关损耗,可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS和栅极电荷,出色的Cdv/dt效应下降、符合RoHs和绿色产品要...
www.kiaic.com/article/detail/5130.html 2024-08-06
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KIA7610A场效应管能够代换18p10型号在无创呼吸机、LED驱动、控制板中应用,KIA7610A漏源击穿电压100V,漏极电流25A,RDS(开)=32mΩ,采用先进的沟槽加工技术,实现极低的导通电阻,性能出色,具备较高的耐高温性能,适用于各种苛刻的工作环境、快速的开关速度...
www.kiaic.com/article/detail/5129.html 2024-08-06
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电功率:纯电阻:P=UI=U^2/R=I^2R=Q/t=W/t非纯电阻:P=UI=W/t
www.kiaic.com/article/detail/5128.html 2024-08-06
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KIA6410A场效应管采用沟槽DMOS技术,经过专门定制,漏源击穿电压100V、漏极电流15A,具有RDS(ON)=72 mΩ@VGS=10V的低导通电阻特性,能够显著降低导通电阻,提供出色的开关性能;KIA6410A可替代STP14NF10在Led应用程序,网络系统和负载开关中应用。KIA6410A封...
www.kiaic.com/article/detail/5127.html 2024-08-05
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交流220V电压经电源变压器降压整流得到直流电压Vin,此电压通过滤波电路输入到集成稳压器输入端,在集成稳压器输出端可得到1.25~37V直流电压。工作原理图及各部分电压波形如图2所示。
www.kiaic.com/article/detail/5126.html 2024-08-05
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整流滤波后,直流电压由R1提供给调节管的底座以打开调节管。当V1导通时,电压通过RP和R2开启V2,然后V3也导通。此时,V1、V2和V3的发射极和集电极电压不再变化,其功能与稳压器完全相同。通过调节RP可以获得稳定的输出电压,R1、RP、R2和R3的比值决定了电路的输...
www.kiaic.com/article/detail/5125.html 2024-08-05
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KPS6110B场效应管采用先进沟槽技术,漏源击穿电压-100V,漏极电流-12A,在VGS=-10V时,RDS(ON)=170mΩ(典型值),可靠且坚固、绿色设备可用,在电源管理、直流电机控制中提高优越的性能;封装形式:SOT89,小巧、安装方便、散热良好。
www.kiaic.com/article/detail/5124.html 2024-08-02
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耗尽层,是指PN结中在漂移运动和扩散作用的双重影响下载流子数量非常少的一个高电阻区域。耗尽层的宽度与材料本身性质、温度以及偏置电压的大小有关。空间电荷区也称耗尽层,在PN结中,由于自由电子的扩散运动和内电场导致的漂移运动,使PN结中间的部位(P区和N...
www.kiaic.com/article/detail/5123.html 2024-08-02