|
|
|
结果: 找到相关主题 270 个
-
信号地详解,信号地与电源地的区别-KIA MOS管
SGND（信号地）对应两块芯片亦或模块间的通信信号回流所流过的路径；电源地对应电源回路电流的路径。SGND（信号地）通常是传感器的地。通常SGND（信号地）和GND（电源地）不可以共用，因为GND上流过的大电流会产生电压差，引起干扰，会使信号产生误判，把高电平...www.kiaic.com/article/detail/5083.html 2024-07-15
-
判断mos管的工作状态方法分享-KIA MOS管
mos管的三个工作状态：截止状态：当VGS（栅源电压）小于VGS(TH)（阈值电压）时，MOS管处于截止状态。此时，漏极电流ID很小，相当于管子不导通。www.kiaic.com/article/detail/5082.html 2024-07-15
-
ipd036n04l场效应管代换,KIA3204A参数引脚图,原厂原装-KIA MOS管
KIA3204A场效应管采用超高密度电池设计，漏源击穿电压40V，漏极电流100A，超低导通电阻，RDS（开启）=3.8 mΩ@VGS=10V，减小损耗；100%雪崩测试、无铅和绿色器件可用（符合RoHS标准），可靠稳定；广泛应用于电机驱动器、交换机系统中，封装形式：TO-220、TO-25...www.kiaic.com/article/detail/5081.html 2024-07-12
-
ujt,单结晶体管触发电路,原理图,工作原理-KIA MOS管
以此作为单结晶体管电源，其目的是使单结晶体管振荡器在每个梯形波结束时刻，由于电源电压为零，使电容上电压亦为零，在下一个梯形波开始时刻，电容c均是从零压开始充电到峰点电压，因而每个梯形波所产生的第一个脉冲所需要的时间均相同，而梯形波过零时刻与晶...www.kiaic.com/article/detail/5080.html 2024-07-12
-
ujt,单结晶体管图形符号,工作原理详解-KIA MOS管
单结晶体管（UJT）又称基极二极管，只有一个PN结作为发射极而有两个基极的三端半导体器件，早期称为双基极二极管。其典型结构是以一个均匀轻掺杂高电阻率的N型单晶半导体作为基区，两端做成欧姆接触的两个基极，在基区中心或者偏向其中一个极的位置上用浅扩散法...www.kiaic.com/article/detail/5079.html 2024-07-12
-
nce30p30k,30A 30V场效应管,KIA30N03B参数引脚图-KIA MOS管
KIA30N03B采用先进的高单元密度沟槽技术，性能出色，漏源击穿电压30V，漏极电流30A，超低栅极电荷RDS（开启）=15m?@VDS=30V，减小损耗；具有出色的Cdv/dt效应下降、100%EAS保证、绿色设备可用，可靠稳定；广泛应用于同步降压转换器、DC-DC电源系统、负载开关中...www.kiaic.com/article/detail/5078.html 2024-07-11
-
电机驱动mos管,27A 800V TO264,KNK7880A参数引脚图-KIA MOS管
电机驱动mos管KNK7880A漏源击穿电压高达800V，漏极电流27A，RDS (on) = 280mΩ(typ)@VGS =10V，低栅极电荷最小化开关损耗；该器件采用先进平面工艺，高效率低损耗；坚固的多晶硅栅极结构，可靠稳定，适用于BLDC电机驱动器、电焊机、高效开关电源、电源分流器、...www.kiaic.com/article/detail/5077.html 2024-07-11
-
mos管上拉电阻和下拉电阻区别图文详解-KIA MOS管
上拉电阻的目的是为了保证GPIO（低电平有效）无信号输入时输入端的电平为高电平，相反的，下拉电阻是为了保证GPIO（高电平有效）无信号输入时输入端的电平为低电平。www.kiaic.com/article/detail/5076.html 2024-07-11
-
160n60场效应管参数代换,电源专用mos管KIA2806A资料-KIA MOS管
电源专用mos管KIA2806A漏源击穿电压60V，漏极电流150A，低RDS（ON）=3.5 m?（典型值）@VGS=10V，减小损耗，提高效率；100%雪崩测试，可靠且坚固；提供无铅和绿色设备（符合RoHS标准），高效质优；是切换应用程序、逆变器系统的电源管理、不间断电源的理想选择...www.kiaic.com/article/detail/5075.html 2024-07-10
-
100n08参数代换,KNP2908B场效应管参数引脚图,中文资料-KIA MOS管
KNP2908B采用先进的沟槽技术，漏源击穿电压80V，漏极电流130A，提供优异的RDS（ON）=5.0mΩ（典型值）@VGS=10V，低栅极电荷，低RDS（ON）的高密度电池设计、完全表征雪崩电压和电流、稳定性和均匀性好，EAS高，非常适合应用于电源切换应用、硬开关和高频电路、...www.kiaic.com/article/detail/5074.html 2024-07-10
-
mos是多子还是少子,mos为什么是多子器件？-KIA MOS管
MOS管是单载流子（“多数载流子”）参与导电的器件，是单极型晶体管。在MOSFET中，当施加适当的电压时，多数载流子（电子或空穴，取决于半导体类型）在半导体表面形成反型层，从而允许电流流动。因此，MOSFET是多子器件。www.kiaic.com/article/detail/5073.html 2024-07-10
-
80n10场效应管参数代换,KCX3310A参数引脚图,原厂批发-KIA MOS管
KCX3310A场效应管采用先进的SGT技术，漏源击穿电压100V，漏极电流85A；低导通电阻RDS（导通）仅为5mΩ，极低的开关损耗，具有低RDS（开启）和FOM、卓越的稳定性和均匀性、快速切换和软恢复，高效可靠，适用于电源切换应用、硬开关和高频电路、不间断电源等。封...www.kiaic.com/article/detail/5072.html 2024-07-09
-
电压比较器原理,电压比较器与运算放大器的区别-KIA MOS管
电压比较器广泛应用于模拟电路和数字电路中，是将两个输入电压进行比较，并根据比较结果输出相应的电平。电压比较器在各种电子系统中发挥着重要作用，如信号处理、模数转换、电源管理等。www.kiaic.com/article/detail/5071.html 2024-07-09
-
mosfet为什么可以并联,mosfet并联注意事项-KIA MOS管
并联多个MOSFET是一种常见的应用方式，这种方法有助于减少传导损耗并分散功耗，从而限制最大结温。当多个MOSFET并联时，由于每个器件的温度系数是正的，即温度升高时导通电阻增大，这有助于自动平衡流过每个器件的电流。www.kiaic.com/article/detail/5070.html 2024-07-09