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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 616 个

  • bms专用mos,2803mos管,30v150a,KNB2803S场效应管参数-KIA MOS管

    KNB2803S场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，极低导通电阻RDS(开启) 2.0mΩ，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；具有低Crss、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力、开关速度快；确保应用系统的高效性、可靠性和安全性；2803mos管?适用于逆变器、BM...

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    www.kiaic.com/article/detail/5513.html         2025-02-24

  • mos管静电击穿原因,mos管防静电措施-KIA MOS管

    绝缘层薄，承受高电压的能力差。高输入阻抗使其对电压变化敏感。静电放电会在短时间内施加过高的电压，导致绝缘层击穿。

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    www.kiaic.com/article/detail/5512.html         2025-02-24

  • 光耦关键参数,光耦主要参数有哪些？-KIA MOS管

    反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。反向击穿电压VBR：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。

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    www.kiaic.com/article/detail/5511.html         2025-02-24

  • 30V100A MOS管,3203场效应管,KND3203B参数资料-KIA MOS管

    KND3203B场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流100A；采用CRM（CQ）先进的沟槽MOS技术，极低导通电阻RDS(开启) 3.1mΩ，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；优秀的QgxRDS（on）产品性能，符合JEDEC标准，开关速度快、内阻低，稳定可靠；适用于开关电源、家电控制板...

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    www.kiaic.com/article/detail/5510.html         2025-02-21

  • 混合集成电路定义,混合集成电路包括哪些？-KIA MOS管

    混合集成电路是一种将不同技术制造的电子元件(如半导体器件、陶瓷器件、电阻、电容等)集成在同一基板上,通过金属线或焊接连接这些元件以实现功能电路。混合集成电路在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜元件及其互连线，并在同一基片上将分立的半导体芯片、单片集...

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    www.kiaic.com/article/detail/5509.html         2025-02-21

  • mos管米勒平台形成原因,米勒平台改善-KIA MOS管

    当MOSFET从截止区经过放大区转到可变电阻区时，对应其开通过程（反之为关断过程）。在放大区内，由于米勒效应，随着Vds下降，CGD电容显著增大。因此，给CGD电容充电的过程导致了米勒平台。

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    www.kiaic.com/article/detail/5508.html         2025-02-21

  • 2908mos管,2908场效应管,80v130a,KNH2908B参数资料-KIA MOS管

    KNH2908B场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流130A；采用先进的沟槽技术，低RDS（ON）的高密度电池设计，极低导通电阻RDS(开启) 5.0mΩ，最大限度地减少导电损耗；低栅极电荷、完全表征雪崩电压和电流、稳定性和均匀性好，EAS高；性能优越，确保应用高效稳定，适...

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    www.kiaic.com/article/detail/5507.html         2025-02-20

  • pmos电流方向,pmos工作区分析-KIA MOS管

    当PMOS工作时，电流从S极（源极）流向D极（漏极），由于PMOS以空穴为主要载流子，电流的实际方向与电子流动方向相反。漏极通常接较低的电位（例如接地或负电源），使得电流可以从源极流向漏极。

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    www.kiaic.com/article/detail/5506.html         2025-02-20

  • pfc电路图及其原理,典型PFC电路-KIA MOS管

    PFC电路是对输入电流的波形进行控制，使其与输入电压波形同步，提高功率因数，减少谐波含量，是能够解决因容性负载导致电流波形严重畸变而产生的电磁干扰(EMl)和电磁兼容(EMC)问题。功率因数是指有功功率与视在功率（总耗电量）的比值。当功率因数越大，电力利...

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    www.kiaic.com/article/detail/5505.html         2025-02-20

  • 3404mos管,3404场效应管,80a40v,KND3404C参数资料-KIA MOS管

    KND3404C场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流80A；采用先进的高单元密度沟槽技术，极低的导通电阻RDS(开启) 5.0mΩ，最大限度地减少导电损耗；具有出色的RDSON和栅极电荷，高效率低损耗；以及出色的Cdv/dt效应下降、符合RoHs和绿色产品要求、100%EAS保证，稳定可...

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    www.kiaic.com/article/detail/5504.html         2025-02-19

  • mos管的工作原理浅显易懂,图文分享-KIA MOS管

    当栅-源电压VGS=O时，即使加上漏-源电压VDS，总有一个PN结处于反偏状态，漏-源极间没有导电沟道（没有电流流过），所以这时漏极电流ID=0。

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    www.kiaic.com/article/detail/5503.html         2025-02-19

  • 电流磁效应是什么,电流磁效应和电磁感应的区别-KIA MOS管

    ?电流的磁效应?：只需要导线中有电流通过，就会产生磁场。磁场的方向与电流的方向有关，可以通过安培定则（右手螺旋定则）来判断。?电磁感应?：产生电磁感应现象的条件有两点，缺一不可：一是电路必须是闭合的；二是穿过闭合电路的磁通量必须发生变化。

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    www.kiaic.com/article/detail/5502.html         2025-02-19

  • 68v80a控制器,3306场效应管,KNB3306B参数引脚图-KIA MOS管

    锂电池保护板专用MOS管KNB3306B漏源击穿电压68V，漏极电流80A，低导通电阻RDS(on)=7mΩ@VGS=10V，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；3306场效应管开关速度快、耐冲击特性好、高雪崩电流，高效稳定；无铅绿色设备，环保可靠，在无刷电机、逆变器、控制器...

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    www.kiaic.com/article/detail/5501.html         2025-02-18

  • gidl效应,栅极诱导漏极泄露电流原因及解决-KIA MOS管

    在亚阈值区，当漏端电压较大时，靠近栅极的漏端处会形成一个小的耗尽区。在此区域内，电场作用下会产生陷阱辅助的载流子，从而引发栅诱导的漏极泄露电流。当电场足够大时，甚至可以直接发生带间隧穿（T-BTBT）。

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    www.kiaic.com/article/detail/5500.html         2025-02-18

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