|
|
|
结果: 找到相关主题 616 个
-
防反接保护电路,防反接电路原理图分享-KIA MOS管
当输入电源大于MOS管VGS最大电压，应增加D7稳压管防止电源电压过高击穿mos管。当电源正确接入时。电流的流向是从Vin到负载，在通过NMOS到GND。刚上电时因为NMOS管的体二极管存在，地回路通过体二极管接通，后续因为Vgs大于VGS门限电压，MOS管导通。www.kiaic.com/article/detail/5499.html 2025-02-18
-
led mos,130a150v场效应管,KNP2915A参数引脚图-KIA MOS管
LED电源专用MOS管KNP2915A漏源击穿电压150V，漏极电流130A；采用先进的沟槽技术，极低的导通电阻RDS(开启) 10mΩ；卓越的低Rds开启、低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；符合JEDEC标准，稳定可靠；适用于电机控制和驱动、电池管理、UPS（不间断电源...www.kiaic.com/article/detail/5498.html 2025-02-17
-
mos管选型注重的参数,mos管主要参数-KIA MOS管
确定电路中可能出现的最大电压。MOS管的VDSS应大于电路中的最大电压，一般要留出一定的余量，通常为电路最大电压的1.5倍至 2倍，以确保在任何情况下MOS管都不会被击穿。www.kiaic.com/article/detail/5497.html 2025-02-17
-
mosfet和igbt的优缺点,mosfet和igbt区别-KIA MOS管
MOSFET高频特性好，可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz，缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大；而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越，其导通电阻小，耐压高。www.kiaic.com/article/detail/5496.html 2025-02-17
-
3.5a30v,SOT-23,2306场效应管,KIA2306mos管参数-KIA MOS管
2306场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流为3.5A；高密度单元设计，极低的导通电阻RDS(开启)，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；?2306mos管具有低导通电阻、高开关速度、低漏电流、良好的温度稳定性；非常适合应用于LED感应灯、玩具、蓝牙音箱等；小型封装：S...www.kiaic.com/article/detail/5495.html 2025-02-14
-
场效应管逆变器,场效应管制作逆变器电路图-KIA MOS管
VT1和VT2构成多谐振荡器，振荡频率为5Hz。当电压下降时，为使频率不变，振荡器由稳压管VD1稳压后供电。多谐振荡器输出输出的方波电压，直接推动VMOS大功率管，经变压器升压后的220V交流电从插座CZ引出。www.kiaic.com/article/detail/5494.html 2025-02-14
-
模拟开关电路分享,经典模拟电路图-KIA MOS管
当u2是正半周期时，二极管Vd1和Vd2导通；而夺极管Vd3和Vd4截止，负载RL是的电流是自上而下流过负载，负载上得到了与u 2正半周期相同的电压；在u 2的负半周，u 2的实际极性是下正上负，二极管Vd3和Vd4导通而Vd1和Vd2截止，负载RL上的电流仍是自上而下流过负载，...www.kiaic.com/article/detail/5493.html 2025-02-14
-
80a80vmos管,3308参数引脚图,KND3308A场效应管-KIA MOS管
KND3308A场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流80A，极低的导通电阻RDS(开启) 6.2mΩ，最大限度地减少导电损耗；具有高雪崩电流，能够在额定工作条件下稳定运行，确保电路的安全可靠性；采用无铅和绿色设计，符合环保要求，广泛应用在电动车控制器、逆变器、BMS保...www.kiaic.com/article/detail/5492.html 2025-02-13
-
开关变压器损耗,开关变压器损耗计算-KIA MOS管
铜损主要是由于变压器线圈的电阻引起的，包括直流电阻损耗和集肤效应电阻损耗。直流电阻损耗由绕组导线的电阻与流过的电流有效值的平方决定，而集肤效应是由于在强交流电磁场作用下，导线中心的电流被“面向”表面流动，导致电阻增加。www.kiaic.com/article/detail/5491.html 2025-02-13
-
电阻和电容并联阻抗怎么计算?计算公式详解-KIA MOS管
电阻和电容并联阻抗计算Z = 1/√[(1/R)² + (1/XL - 1/XC)²]其中：R 为电阻值XL 为电感的感抗，其公式为 XL = 2πfL，其中 f 为交流电频率，L 为电感值XC 为电容的容抗，其公式为 XC = 1/(2πfC)，其中 C 为电容值www.kiaic.com/article/detail/5490.html 2025-02-13
-
2300mos,2300场效应管20v6a,sot-23,KIA2300参数-KIA MOS管
KIA2300场效应管漏源击穿电压20V, 漏极电流最大值为6A ，极低RDS（on）的高密度单元设计、、优越的开关性能、可最大限度地减少导通损耗，无铅产品、坚固可靠；应用于LED感应灯、玩具、蓝牙音箱，高效率低损耗；封装形式：SOT-23。www.kiaic.com/article/detail/5489.html 2025-02-12
-
电容储能公式，电容储能原理详解-KIA MOS管
通过在电极上储存电荷来储存电能。当电容器两端施加电压时，正极板吸引电子使其带上负电荷，而负极板则因失去电子而带上正电荷。这样，两个极板之间形成了电场，电荷被储存在电场中。www.kiaic.com/article/detail/5488.html 2025-02-12
-
n沟道mos管原理，nmos工作条件详解-KIA MOS管
当漏源电压（VDS）连接在漏极和源极之间时，正电压施加到漏极，负电压施加到源极。在这里，漏极的Pn结是反向偏置的，而源极的Pn结是正向偏置的。在这个阶段，漏极和源极之间不会有任何电流流动。www.kiaic.com/article/detail/5487.html 2025-02-12
-
开关电源mos,8a700v场效应管,KIA08TB70DP参数-KIA MOS管
快恢复/高效率二极管KIA08TB70DP是一款开关特性好、反向恢复时间短的快恢复二极管，具有超快的25纳秒恢复时间、175°C工作接点温度、低正向电压、低泄漏电流、高温玻璃钝化结、反向电压至700V；稳定可靠，减少损耗提高效率；环氧树脂符合UL 94V-0@0.125英寸...www.kiaic.com/article/detail/5486.html 2025-02-11