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场效应管n沟道和p沟道的区别详解-KIA MOS管
N沟道MOS管和P沟道MOS管的工作原理都是通过栅极电压来控制沟道的导电性，但是，它们在实现这一控制时，两者的具体结构差异导致了不同的导电行为。比如N沟道MOS管在栅极电压为正时导通（因为正电压吸引电子到沟道），而P沟道MOS管则是在栅极电压为负时导通（因为...www.kiaic.com/article/detail/5485.html 2025-02-11
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高速光耦与普通光耦的区别,对比-KIA MOS管
高速光耦和普通光耦都是利用光电转换的原理将输入和输出之间的电气信号进行隔离。它们都由发光二极管（LED）和光敏电阻（Photodiode）组成，通过发光二极管发出的光信号来驱动光敏电阻，实现光信号到电信号的转换。www.kiaic.com/article/detail/5484.html 2025-02-11
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保护板mos,to-252 150a30v,KND2803S场效应管参数-KIA MOS管
锂电池保护板专用MOS管KND2803S漏源击穿电压30V，漏极电流150A，极低的导通电阻RDS(开启)2.1mΩ，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；具有低Crss、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力等特性，开关速度快、内阻低、耐冲击特性好，坚固可靠；适用于PWM应用...www.kiaic.com/article/detail/5483.html 2025-02-10
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场效应管的静电击穿,mos管静电击穿原因-KIA MOS管
MOS管的输入电阻很高，而栅源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。www.kiaic.com/article/detail/5482.html 2025-02-10
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电工电路图,接线图,电工必备经典电路-KIA MOS管
合上电源开关Q，按下正向起动按钮SB2,接触器KM1的线圈通电并吸合，其主触点闭合，常开辅助触点闭合自锁，电动机M正向旋转。同时KM1的常闭辅助触点断开，避免接触器KM2通电。这时电动机所接电源的相序为A-B-C。www.kiaic.com/article/detail/5481.html 2025-02-10
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7a100v mos,SOT-89,5610场效应管,KNS5610A参数资料-KIA MOS管
KNS5610A场效应管漏极电流7A，漏源击穿电压100V，采用高单元密度的先进沟槽技术，具有优异的导通特性，RDS（ON）=98mΩ，低栅极电荷，减小开关损耗；出色的Cdv/dt效应设计，稳定可靠，符合RoHS和绿色产品要求；适用于通信设备、变换器、DC-DC、负载开关等，封装...www.kiaic.com/article/detail/5456.html 2025-02-08
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pwm mos管,150a30v,KNY2803S场效应管参数资料-KIA MOS管
KNY2803S场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，极低的导通电阻RDS(开启) 1.8mΩ，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；具有低Crss、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力等特性，开关速度快、内阻低、耐冲击特性好，坚固可靠；适用于PWM应用程序、电源管...www.kiaic.com/article/detail/5480.html 2025-02-08
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功率因数校正mos管,PFC电路mos管选型-KIA MOS管
在PFC电路中，MOSFET损耗约占总损耗的20%左右。通过选择正确的器件，PFC效率能够得到大幅提升。为PFC电路选择合适MOSFET器件的一种方法是使用针对特定应用的品质因数 （FOM），来最小化器件的总损耗。www.kiaic.com/article/detail/5479.html 2025-02-08
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功率因数校正电路的原理、作用-KIA MOS管
在开关电源的整流电路和滤波电容之间增加一个DC－DC的斩波电路，如图所示（斩波电路等于附加一个开关电源）。对于供电线路来说，该整流电路输出没有直接接滤波电容，所以其对于供电线路来说呈现的是纯阻性的负载，其电压和电流波形同相、相位相同。www.kiaic.com/article/detail/5478.html 2025-02-08
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3404场效应管,3404mos管,80a40v,KND3404D参数引脚图-KIA MOS管
KND3404D场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流80A，采用先进的沟槽工艺技术，极低的导通电阻RDS(开启) 4.4mΩ，最大限度地减少导电损耗；低Crss、快速切换，高效稳定；100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，坚固可靠；热销于PWM应用程序、电源管理、负载开关，封装形式...www.kiaic.com/article/detail/5477.html 2025-02-07
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pnp和npn开关电路图，原理，区别详解-KIA MOS管
NPN三极管由两个N型半导体和一个P型半导体组成，而PNP三极管则是由两个P型半导体和一个N型半导体构成。NPN三极管：当在基极（B）和发射极（E）之间施加正向电压，并在集电极（C）和发射极（E）之间施加反向电压时，NPN三极管会导通。此时，电流从集电极流入，通...www.kiaic.com/article/detail/5476.html 2025-02-07
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pnp三级管开关电路,pnp三级管开关工作原理-KIA MOS管
当控制信号施加在基极上时，PNP三极管进入导通状态，发射极与集电极之间的电阻变得非常小，电流可以顺畅流动。而当控制信号消失时，PNP三极管回到截止状态，电流不再流过三极管。www.kiaic.com/article/detail/5475.html 2025-02-07
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5n50场效应管参数,5A 500V MOS,KIA5N50SD中文资料-KIA MOS管
KIA5N50SD场效应管漏源电压500V，漏极电流5A，低导通电阻，RDS（ON）为1.38Ω，最大限度地减少导通损耗；具有坚固的高压端接、指定雪崩能量、源极到漏极二极管的恢复时间可与分立快速恢复二极管相媲美、二极管的特点是用于桥式电路、高温下规定的IDSS和VDS（on...www.kiaic.com/article/detail/5474.html 2025-02-07
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串联分压原理,公式,串联电路分压规律-KIA MOS管
在串联电路中，电流强度处处相等，由欧姆定律得I=U1/R1=U2/R2=U/R，即电压跟电阻成正比，电阻越大，两端电压越高，且总电压U=U1+U2，总电阻R=R1+R2。www.kiaic.com/article/detail/5473.html 2025-02-06