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高电平输入时,VF1=2.4V, VF3=12 V,继电器触点处于导通状态(常开型吸合状态),VF2=0.125V,A1=915uA,AM2=48.8mA,说明晶体管处于饱和导通状态,而继电器线圈流过电流接近额定电流40mA。
www.kiaic.com/article/detail/5458.html 2025-01-17
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在MOS管关断时,蜂鸣器里面的电流不能突然降为0,在突然关闭时会产生反相的电压,这时电流就需要有一个泄放路径,二极管就充当这个泄放路径,消耗能量。使用上、下拉电阻稳定MOS管初始状态,防止误开启。
www.kiaic.com/article/detail/5457.html 2025-01-17
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6P3P单端电子管功放电路,使用6N1进行电压放大推动末级6P3P。为得到较大的输出功率,使用了标准的五极管接法。RP为音量电位器,因为去掉了并联6N1栅极上的栅漏电阻,因此RP还有一个作用就是作为胆管6N1的栅漏电阻,为输入级产生的栅流提供一个回路。
www.kiaic.com/article/detail/5455.html 2025-01-16
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BG2与BG3组成多谐振荡器推动整个电路的运行,然后通过BG1和BG4来控制BG6和BG7工作。振荡电路由BG5和DW组的稳压电源供电,使得多谐振荡器输出的频率稳定。在制作时,变压器可选有常用双12V输出的市电变压器。可根据需要,选择适当的12V蓄电池容量。
www.kiaic.com/article/detail/5454.html 2025-01-16
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KND3403B场效应管漏源击穿电压30V,漏极电流85A,使用KIA的LVMosfet技术生产,经过改进的工艺和单元结构特别定制,性能出色;低导通电阻RDS(on)=4.5mΩ,最大限度地降低导通电阻,减少损耗;具有低栅极电荷、低Crss、快速切换、改进的dv/dt能力,高效稳定,广泛...
www.kiaic.com/article/detail/5453.html 2025-01-15
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集成电路一般是指芯片的集成,像主板上的北桥芯片、CPU内部都是被归于集成电路,而PCB指得是我们经常看见的绿色电路板,还有在电路板上的印刷焊接芯片。对于这两者的关系,可理解成:集成电路是焊接在PCB板上,PCB板是集成电路的载体。
www.kiaic.com/article/detail/5452.html 2025-01-15
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引脚长度不同:通常LED的正极引脚(阳极)比负极引脚(阴极)要长一些。在电路图中,正极引脚一般会画得更长,或者在引脚旁边标注“+”符号,而负极引脚则较短。内部结构标记:有些LED电路图符号会在LED内部结构上标注阴极(负极)和阳极(正极)。通常,阴极会...
www.kiaic.com/article/detail/5451.html 2025-01-15
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KIA2301是一款高效稳定的P沟MOSFET,漏源击穿电压20V,漏极电流为2.8A;极低RDS(on)的高密度单元设计,最大限度地减少导通损耗,提高了整机的能效;无铅产品、坚固可靠;封装形式:SOT-23。KIA2301场效应管具有可靠性和高性能,是小家电方案应用的优质元件。...
www.kiaic.com/article/detail/5450.html 2025-01-14
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ZVS电路主要由功率开关管、谐振电感、谐振电容、二极管等组成。1.启动过程:电源通过电阻使两个开关管Q1和Q2导通,电流通过电感L1逐渐增加。由于两个开关管的特性差异,导致流过它们的电流不同。假设Q1的电流大于Q2,通过二极管D1和D2,形成正反馈,使Q1导通,...
www.kiaic.com/article/detail/5449.html 2025-01-14
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MOS管的寄生参数是指在集成电路设计中,除MOS管基本电气特性(如栅极电压、漏极电压、栅极电流等)外,由于制造工艺、封装方式以及电路布局等因素而产生的额外参数。输入电容Cgs :指栅极与源极之间的电容。当栅极信号变化时,由于栅极与源极之间存在电容,就会...
www.kiaic.com/article/detail/5448.html 2025-01-14
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触摸延时开关电路是利用人体作为感应信号来控制场效应管的导通和关闭,并加入延时电路从而实现延时开关功能。在工作时,触碰触摸电极,电路将导通,在延时所需时间后开关闭合,灯亮,定时一段时间后灯灭。触摸延时开关电路通常包括三极管、电容、场效应管等元件...
www.kiaic.com/article/detail/5441.html 2025-01-13
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电路由声音拾取放大、光控电路、延时控制三部分组成。MIC、V1、R1、R2、R3、C1组成语音放大电路,RG、R6、R7、R8、V2等组成光控电路,V3、V4、VD1、C3、R9、K等组成延时开关控制电路。
www.kiaic.com/article/detail/5440.html 2025-01-13
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KIA3510AD场效应管漏源击穿电压100V,漏极电流75A,RDS(ON)值为9mΩ,低导通电阻、低栅极电荷,最大限度地减少导通损耗,性能高效低耗;100%雪崩测试,稳定可靠;提供无铅和绿色设备(符合RoHS标准);广泛应用于控制板、DCDC转换器、电机驱动板等,封装形式...
www.kiaic.com/article/detail/5439.html 2025-01-10
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通过改变MOS管的开断,可以改变输出电流的方向,合理运用输入输出端口,既可以实现降压功能,也可以实现升压功能。它由两个MOS管和两个二极管组成。
www.kiaic.com/article/detail/5438.html 2025-01-10