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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 616 个

  • 二极管在电路里的作用详解-KIA MOS管

    在主回路中，串联一个二极管，是利用二极管的单向导电的特性，实现了最简单可靠的低成本防反接功能电路。

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    www.kiaic.com/article/detail/5590.html         2025-04-14

  • 同步降压转换器,30v7a mos管,KNE4603A2场效应管-KIA MOS管

    KNE4603A2是高单元密度沟槽双N沟道MOSFET，漏源击穿电压30V，漏极电流7A；低导通电阻RDS(开启) 16mΩ，超低栅极电荷，为大多数同步降压转换器应用提供优异的RDSON和栅极电荷，减少损耗、提高效率；Cdv/dt效应下降效果极佳，符合RoHs、绿色环保；封装形式：SOP-...

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    www.kiaic.com/article/detail/5618.html         2025-04-14

  • 电动车控制器电路原理图文详解-KIA MOS管

    电动车控制器通过PWM脉宽调制来调整输出电压的大小，从而控制电机的转速。在控制器满足锁线电压和主回路电压供给整车后，会进行一个开机自检的过程，检查霍尔、相线、手把、刹车等周边组件是否正常。

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    www.kiaic.com/article/detail/5617.html         2025-04-14

  • 双向电平转换电路工作原理-KIA MOS管

    双向电平转换电路的核心组件是?NMOS?和?上拉电阻?。双向电平转换电路通过NMOS的导通与截止实现不同电压域信号的双向传输，利用寄生二极管和上拉电阻完成电平匹配?。

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    www.kiaic.com/article/detail/5616.html         2025-04-14

  • ​电源切换mos管,75a100v场效应管,KIA3510AP参数资料-KIA MOS管

    KIA3510AP场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流75A，极低导通电阻RDS(开启) 9mΩ，最大限度地减少开关损耗，提高效率；100%单脉冲雪崩能量测试，高效稳定可靠；符合RoHS，绿色环保；适用于切换应用程序、逆变器系统的电源管理，封装形式：TO-220，散热良好。

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    www.kiaic.com/article/detail/5615.html         2025-04-11

  • 电压反馈电路,原理图,工作原理分析-KIA MOS管

    Vo输出电压增大→TL431参考极电压增大→TL431阴极与阳极压降降低、电流增大→光耦初级电流增大→光耦次级电流增大→FB脚电压升高→电源管理芯片降低MOS管的占空比→Vo输出电压减小。反之亦然，如此保障输出电压平稳。

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    www.kiaic.com/article/detail/5614.html         2025-04-11

  • 彩灯控制电路分享,彩灯控制电路设计-KIA MOS管

    由两个555构成两个时钟电路，由模十六计数器和组合逻辑门构成四种码产生电路，由双D触发器和数据选择器构成开关电路，由移位寄存器和八个彩灯构成输出电路，一个时钟控制模十六计数器和移位寄存器，另一个时钟控制双D触发器。

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    www.kiaic.com/article/detail/5613.html         2025-04-11

  • 高速线路驱动器,4403mos管,​-5A-30V SOP-8,KPE4403B-KIA MOS管

    KPE4403B P沟道场效应管漏源击穿电压-30V，漏极电流-5A，低导通电阻RDS(on)=40mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗；-5V逻辑电平控制、符合RoHS，高效稳定可靠；适用于负载开关、开关电路、高速线路驱动器、电源管理功能，封装形式：SOP-8，散热良好、安装方...

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    www.kiaic.com/article/detail/5612.html         2025-04-10

  • mos管n沟道和p沟道的区别,应用-KIA MOS管

    N沟道MOS管是以一个掺入了少量正离子的P型半导体做为衬底，然后在衬底上制作两个高浓度的N +区作为源极和漏极。随后，在源极和漏极之间的绝缘层上制作金属层作为栅极。而P沟道MOS管则是以一个掺入了少量负离子的N型半导体做为衬底，在衬底上制作两个P+区作为源...

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    www.kiaic.com/article/detail/5611.html         2025-04-10

  • mos管结电容,结电容对电路的影响-KIA MOS管

    MOS管结电容，是MOS管在极化时，于栅极与漏极/源极间形成的、能存储电荷的电容。它作为MOS管的关键参数，对管子的动态功耗、响应速度等特性有着决定性影响，

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    www.kiaic.com/article/detail/5610.html         2025-04-10

  • 适配器mos管,500vmos管,KIA840SB参数引脚图-KIA MOS管

    KIA840SB场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流8A，低导通电阻RDS(on)=0.7Ω，最大限度地降低导通电阻，减少损耗；低栅极电荷、开关速度快，高效可靠；100%雪崩测试、符合RoHS，稳定环保；合理的峰值电流与脉冲宽度曲线，提供优越的开关性能；适用于适配器、电视...

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    www.kiaic.com/article/detail/5609.html         2025-04-09

  • LED驱动电路原理,LED驱动电路图分享-KIA MOS管

    将输入的交流电压通过整流器整流成直流电压，然后通过滤波器将直流电压进行滤波，以保证输出电流的稳定性和平滑性。接下来，通过驱动器将直流电压转换为适合LED的恒流电源，并控制LED的亮度。驱动器可以采用各种不同的电路和元件，如晶体管、运放、PWM控制器等...

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    www.kiaic.com/article/detail/5608.html         2025-04-09

  • h桥电路工作原理,h桥电路图详解-KIA MOS管

    该桥电路由两个P型场效应管Q2和两个N型场效应管Q4组成，因此被称为P-NMOS管H桥。这些场效应管在桥臂上充当开关的角色，其中P型管在栅极电压为低时导通，高时关闭；而N型管则在栅极电压为高时导通，低时关闭。

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    www.kiaic.com/article/detail/5607.html         2025-04-09

  • ups电源场效应管,150a40vmos管,KCY2704A参数引脚图-KIA MOS管

    KCX2704A场效应管漏极电流150A，漏源击穿电压为40V；采用LVMOS技术生产，改进的工艺和单元结构，最小化导通电阻RDS(开启) 1.25mΩ，提供优越的开关性能；低栅极电荷、低跨导、快速开关，高效可靠；极高dv/dt额定、100%雪崩测试、无铅电镀、符合RoHS，稳定环保；...

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    www.kiaic.com/article/detail/5606.html         2025-04-08

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