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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 616 个

  • mos管自举电路原理,mos管驱动电路分析-KIA MOS管

    当PWM为1时,Q1实现导通,C端的电压为低,接着Q2的B端电压也为低,Q2导通;这时Q2的E端电压为14V,经过Q2、D2、R4以后MOS管G端大概为12V,Q管(MOS)导通。在这里我们可以得知,自举电源的电压需要比MOS管驱动电压高约2V。

    www.kiaic.com/article/detail/5422.html         2025-01-03

  • 逆变器mos管,60v130a场效应管,KIA2906AP参数资料-KIA MOS管

    逆变器专用MOS管KIA2906AP漏源击穿电压60V,漏极电流130A,极低导通电阻RDS(on)=5.5mΩ,低栅极电荷,最大限度地减少导电损耗,减少开关损耗;具有高雪崩耐量,稳定可靠,符合RoHS标准,绿色环保;优越的开关性能在逆变器、适配器、UPS电源中确保高效的电能转换...

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    www.kiaic.com/article/detail/5421.html         2025-01-02

  • 二极管反向电流,二极管正向电流和反向电流-KIA MOS管

    反向电流是指在二极管两端施加反向电压时流过的电流,通常称为反向饱和电流或漏电流。这种电流是由于少数载流子在二极管内部发生漂移运动而产生的。反向饱和电流的大小受温度影响很大,温度升高会导致反向饱和电流增大?。

    www.kiaic.com/article/detail/5420.html         2025-01-02

  • 全桥驱动和半桥驱动工作原理,区别-KIA MOS管

    全桥驱动包含四个功率开关,可以提供正向和反向电流,因此适用于双电源电机驱动。特点:提供正向和反向电流,可以改变电机的旋转方向。适用于双电源供电,例如交流电源或者双电池供电的应用。

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    www.kiaic.com/article/detail/5419.html         2025-01-02

  • dcdc转换器mos,190a40v场效应管,KNP2404N参数资料-KIA MOS管

    KNX2404N场效应管漏源击穿电压40V,漏极电流190A,采用专有的新型沟槽技术,具有优越的开关性能;低导通电阻RDS(on)=4mΩ,低栅极电荷,最大限度地降低导通电阻,减少损耗;快速恢复体二极管,稳定可靠,适用于DC-DC转换器、车载逆变器、电源应用中,高效率低损...

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    www.kiaic.com/article/detail/5418.html         2024-12-31

  • 镜像电流源工作原理,作用详解-KIA MOS管

    电源Vcc通过电阻R和VT1产生一个基准电流Iref,然后通过镜像电流源在VT2的集电极得到相应的Ic2,作为提供给某个放大器的偏置电流。?

    www.kiaic.com/article/detail/5417.html         2024-12-31

  • 单片集成电路和混合集成电路区别-KIA MOS管

    相对于单片集成电路,混合集成电路设计灵活,工艺方便,便于多品种小批量生产;并且元件参数范围宽、精度高、稳定性好,可以承受较高电压和较大功率。

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    www.kiaic.com/article/detail/5416.html         2024-12-31

  • 锂电池保护板mos,80v70a场效应管,KND3508A参数-KIA MOS管

    锂电池保护板mos型号KND3508A漏源击穿电压80V,漏极电流70A,低导通电阻RDS(on)=7.5mΩ,最大限度地降低导通电阻,减少损耗;具有优越的开关性能,在雪崩和整流模式下能承受高能量脉冲,100%雪崩测试,稳定可靠;符合RoHS标准,绿色环保,适用于锂电池保护板、...

    www.kiaic.com/article/detail/5415.html         2024-12-30

  • 非门电路原理,非门电路图分享-KIA MOS管

    非门电路可以通过晶体管开关来实现。以晶体管为例,当输入端为0时,晶体管关闭,电流无法通过,输出端为1;当输入端为1时,晶体管打开,电流通过,输出端为0。这种反相的特性使得非门电路能够实现逻辑非的功能。

    www.kiaic.com/article/detail/5414.html         2024-12-30

  • 放大电路的静态工作点,计算公式-KIA MOS管

    静态工作点(Quiescent Point,简称Q点)是指在放大电路中没有输入信号时,晶体管的基极电流(Ib)、集电极电流(Ic或Ie)、管压降(Ube)和集电极-发射极电压(Uce)等参数的值。

    www.kiaic.com/article/detail/5413.html         2024-12-30

  • 电源mos840参数,500v8a场效应管,KIA840SD资料规格书-KIA MOS管

    KIA840SD场效应管漏源击穿电压500V,漏极电流8A,低导通电阻RDS(on)=0.7Ω,最大限度地降低导通电阻,减少损耗;低电阻、低栅极电荷,在开关过程中能够快速响应并提供稳定的电流输出;合理的峰值电流与脉冲宽度曲线,稳定可靠;符合RoHS标准,绿色环保,适用于...

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    www.kiaic.com/article/detail/5412.html         2024-12-27

  • 截止频率计算公式,滤波器截止频率计算-KIA MOS管

    RC滤波器截止频率计算公式:fc = 1 / 2πRC释义:截止频率是指输出信号幅值的衰减比例为1/√2的频率。在RC电路中,该公式用于计算截止频率,其中fc表示截止频率,R代表电阻值,C代表电容值。

    www.kiaic.com/article/detail/5411.html         2024-12-27

  • 反激式开关电源变压器计算公式,计算方法-KIA MOS管

    最大占空比θonmax:θonmax=(Vo*Np/Ns)/[Vp+(Vo*Np/Ns)]临界电感Lpo:如果为PWM式:Lpo=η*θonmax2*Vp2/(2*f*Po),如果为自激式:Lpo=Lp。

    www.kiaic.com/article/detail/5410.html         2024-12-27

  • 3406场效应管,60v80a,dfn5*6,​KCY3406A参数资料-KIA MOS管

    KCY3406A场效应管漏源击穿电压60V,漏极电流为80A,采用KIA的LVMOS工艺技术生产,低导通电阻RDS(on)=8.5mΩ,改进的工艺和电池结构经过特别定制,最大限度地降低导通电阻;具有低栅电荷、低反馈电容,降低功耗提高效率;开关速度快、改进的dvdt功能,稳定可靠;...

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    www.kiaic.com/article/detail/5409.html         2024-12-26

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