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单节锂电池保护,电池充放电,保护板电路图-KIA MOS管
如图电源端（高压侧）的两个N沟道功率MOSFET的充电和放电是一种常见的PCM方案，其漏极背靠背连接。 Q1是用于电池放电的功率MOSFET，Q2是用于电池充电的功率MOSFET。 两个N沟道功率MOSFET放置在正端，因此需要两个充电泵来启用浮动驱动。www.kiaic.com/article/detail/5408.html 2024-12-26
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晶闸管触发电路,电路图原理分享-KIA MOS管
施加正向电压：当晶闸管的阳极和阴极之间施加正向电压时，晶闸管并不会立即导通。触发信号注入：此时，需要在门极和阴极之间注入一个正向触发脉冲信号。晶闸管导通：触发信号使得晶闸管内部形成导通通道，主电路电流得以流通。www.kiaic.com/article/detail/5407.html 2024-12-26
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电机驱动高压mos管,11a400v场效应管,KNF6140S参数-KIA MOS管
KNF6140S场效应管漏源击穿电压400V，漏极电流11A，极低导通电阻RDS(on)=0.53Ω，低栅极电荷15.7nC，可最大限度地减少导电损失；具有高坚固性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，高效稳定可靠，提供卓越的开关性能；专为高压、高速功率开关应用而设计，...www.kiaic.com/article/detail/5406.html 2024-12-25
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可控硅触发电路,脉冲信号,电路原理图分享-KIA MOS管
它在B处提供一系列窄脉冲，当电容充电到UT的峰值电压(V_)时，UJT开启。这会在发射极–基极1结上放置一个低电阻，并且发射极电流流过脉冲变压器的初级，将栅极信号施加到可控硅SCR，可以通过增加C的值来增加输出信号的脉冲宽度。www.kiaic.com/article/detail/5405.html 2024-12-25
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分立器件和集成电路的区别,有什么不同?-KIA MOS管
分立器件结构：在硅片上通过掺杂、扩散等工艺形成，通常只有一个或少数几个PN结。功能：具有单独功能的电子器件，如二极管、晶体管等。www.kiaic.com/article/detail/5404.html 2024-12-25
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开关电源mos,100v15a场效应管,KND6610A参数-KIA MOS管
KND6610A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流15A，?采用先进的平面沟槽技术，极低导通电阻RDS(on)=83mΩ，可最大限度地减少导电损失，提供卓越的开关性能，并能够承受雪崩和换向模式的高能脉冲，稳定可靠；还具有低crss、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt...www.kiaic.com/article/detail/5403.html 2024-12-24
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脉冲变压器电路,脉冲驱动变压器电路设计-KIA MOS管
在设计驱动变压器时，其关键电气参数中的两个参数(漏电感值和绕组电容量)是需要控制的。因为大的漏电感值和绕组电容量可能引起诸如相位漂移、时间误差、噪声和上冲等不合乎使用要求的输出信号。www.kiaic.com/article/detail/5402.html 2024-12-24
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运算放大器虚短虚断的概念,运放虚短虚断原理-KIA MOS管
在运放电路中，当两个输入端的电压几乎相等时，认为两个输入端之间存在虚短。这意味着运放的差模增益无限大，输入阻抗无穷大。www.kiaic.com/article/detail/5401.html 2024-12-24
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AD30P30D3替代,-30v-100a,电机驱动pmos,KPY3203D参数-KIA MOS管
KPY3203D场效应管漏源击穿电压-30V，漏极电流-100A，采用先进的高细胞密度沟槽技术，极低的导通电阻RDS(on)=3.5mΩ，超低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；100%EAS保证、CdV/dt效应显著下降，高效稳定，绿色设备可用，符合环保要求，专用于电...www.kiaic.com/article/detail/5400.html 2024-12-23
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电容在电路中的作用,电容的用途-KIA MOS管
电容在电路中可以储存电能，当电路断开时，电容可以释放储存的电能，为电路提供短暂的能量供应。电容可以对交流信号进行滤波，去除信号中的杂波，提高电路的信噪比。www.kiaic.com/article/detail/5398.html 2024-12-23
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MOS管逻辑电路,与非门,逻辑门电路讲解-KIA MOS管
有两个或多个输入端，一个输出端。所有输入端为正（高电平），输出端为负（低电平）。所有输入端为负（低电平），输出端为正（高电平）。当有一个输入端为负（低电平），输出端为正（高电平）。刚好和与门相反。www.kiaic.com/article/detail/5397.html 2024-12-23
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充电器mos管,500v5a场效应管,TO-252,KIA5N50HD参数-KIA MOS管
KIA5N50HD?场效应管漏源击穿电压500V，漏极电流5A，低导通电阻RDS(on)=1.0Ω，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗以及在峰值电流或脉冲宽度方面表现出卓越的性能，高效稳定，符合RoHS环保要求，专用于HD安定器、适配器、充电器和SMPS备用电源...www.kiaic.com/article/detail/5396.html 2024-12-20
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低通滤波器电路,低通滤波器截止频率计算-KIA MOS管
下图所示为10MHz低通滤波器，此低通滤波器利用带宽高达100MHz的高速电流反馈集成运放0PA603组成二阶巴特沃思低通滤波器滩图中R1=R2=159Ω ，C1=C2=100pF，其截止频率为fc=1/2πR1C1=10MHz，其零频增益为G0=1+Rf/R=1.6。www.kiaic.com/article/detail/5395.html 2024-12-20
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cmos闩锁效应解决,cmos电路的闩锁效应-KIA MOS管
在CMOS晶片中，由于寄生的NPN和PNP三极管相互导通，使得在电源VDD和地VSS之间产生低阻抗通路，从而引发大电流通过，对芯片造成永久性损坏的风险。这种效应通常是由特定的电压或电流条件触发，如静电放电（ESD）、瞬态电源干扰等。www.kiaic.com/article/detail/5394.html 2024-12-20