|
|
|
结果: 找到相关主题 616 个
-
电源适配器mos管,60v130a,kia2906ah场效应管参数资料-KIA MOS管
kia2906ah场效应管漏源击穿电压60V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(on)=5.5mΩ，低栅极电荷能够最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗以及高雪崩耐量，高效稳定，无铅、符合RoHS标准，环保可靠；具有优越的开关性能，广泛应用在逆变器、适配器、UPS电源中，...www.kiaic.com/article/detail/5393.html 2024-12-19
-
继电器并联二极管作用,继电器反向并联二极管-KIA MOS管
线圈可以储存能量的(线圈会阻止电流的突变，也就是电磁感应作用，即电流只能慢慢增大和减少)，如果一下使线圈断电，两端就会产生很大的电压，这样就可能使线圈损坏、相连接的元器件击穿。只要在线圈两端接上二极管，便可以使它产生一个回路(断电时相当于在线圈...www.kiaic.com/article/detail/5392.html 2024-12-19
-
n沟道场效应管工作原理,测量好坏方法-KIA MOS管
在栅极和源极之间施加一个电压源VGG，这个电压使得栅极带正电荷，而P型衬底带负电荷，从而在栅极和P型衬底之间形成电场。这个电场会排斥P型区中的多数载流子（空穴），吸引N型区的多数载流子（电子），导致电子被吸引到栅极区域的绝缘层下方，形成导电沟道。www.kiaic.com/article/detail/5391.html 2024-12-19
-
保护板mos管,无刷电机mos,30v150a,KIA2803AB场效应管参数-KIA MOS管
KIA2803AB场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，采用先进的沟槽工艺设计，极低导通电阻RDS(on)=2.2mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；具有快速切换、100%雪崩测试、允许高达Tjmax的重复雪崩、无铅，符合RoHS标准，在锂电池保护板、...www.kiaic.com/article/detail/5390.html 2024-12-18
-
电位器三个引脚接线,电位器三根线正确接法-KIA MOS管
连接端子A：将端子A连接到电源正极（+）。连接端子B：将端子B连接到电源负极（-）。连接滑动端子W：将滑动端子W连接到负载或后续电路。www.kiaic.com/article/detail/5389.html 2024-12-18
-
ao4407a,ao4407参数,ao4407a引脚图功能-KIA MOS管
ao4407参数漏源电压（Vdss）?：30V?连续漏极电流（Id）?：12ARDS(ON) (at VGS =-10V)< 14m??栅源极阈值电压?：2.8V @ 250uA?最大功率耗散?：3.1Wwww.kiaic.com/article/detail/5388.html 2024-12-18
-
3404场效应管,80a40vmos,hy1804代换,KND3404B参数-KIA MOS管
hy1804场效应管代换型号KND3404B漏源击穿电压40V，漏极电流80A，采用先进的沟槽工艺技术，极低的导通电阻RDS(开启) 5.0mΩ，最大限度地减少导电损耗，具有优越的开关性能和很高的雪崩耐量，高效稳定；优秀的QgxRDS（on）产品（FOM），符合JEDEC标准，热销于锂电...www.kiaic.com/article/detail/5387.html 2024-12-17
-
高通滤波器和低通滤波器的区别-KIA MOS管
低通滤波器的电路结构中，电容放在输出端，电感放在输入端，使电压相位滞后。（电容、电阻串联）高通滤波器的电路结构中，电容放在输入端，电感放在输出端，使电压相位超前。www.kiaic.com/article/detail/5386.html 2024-12-17
-
高通滤波器电路图,二阶高通滤波器电路-KIA MOS管
从传递函数的表达式中也可以看出，当 s 很小时，Vo(s)/Vi(s) 的值也很小；当s值增大，则Vo(s)/Vi(s)也会增大；当s接近于无穷时，Vo(s)/Vi(s) 约为 AVF；所以为高通滤波器。www.kiaic.com/article/detail/5385.html 2024-12-17
-
50n03,30v50amos,KIA50N03BD场效应管参数资料-KIA MOS管
KIA50N03BD场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流50A，采用先进的沟槽工艺技术，高密度电池设计，具有超低导通电阻RDS(开启) 6.5mΩ，最大限度地减少导电损耗，完全表征雪崩电压和电流，稳定可靠；低栅电荷、低反馈电容、开关速度快以及改进的dv/dt能力，在开关电...www.kiaic.com/article/detail/5384.html 2024-12-16
-
如何抑制沟道效应,抑制沟道效应的方法-KIA MOS管
因为注入方向和晶圆有一定倾角后，注入离子与晶圆内部的原子碰撞概率提高，而抑制了隧道效应的产生。为什么一定是7°倾角呢？如果倾角过大，带胶注入时，离子被光刻胶部分遮挡，形成较大的阴影区，造成实际注入区域与设计区域有一定的偏差。www.kiaic.com/article/detail/5383.html 2024-12-16
-
MOSFET短沟道效应,短沟道效应影响-KIA MOS管
对于短沟道（L很小）的MOS管，由于Source和Drain的距离太近，导致Channel的能带被向下拉，因此导致了处于Cut-Off状态下的器件leakage会增大（因为沟道的势垒降低了，在常温下热激发的电子会有更多能够越过沟道势垒，从Source跑到Drain处）。这个效应对于亚阈值...www.kiaic.com/article/detail/5382.html 2024-12-16
-
保护板mos管,30v50a,dfn3*3,KNG3703A参数资料-KIA MOS管
锂电池保护板专用MOS管KNG3703A漏源击穿电压30V，漏极电流50A，采用先进的沟槽工艺技术，高密度电池设计，具有超低导通电阻RDS(开启) 7.5mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，完全表征雪崩电压和电流，确保高效稳定的开关性能；适用于同步降压变换器、DC...www.kiaic.com/article/detail/5381.html 2024-12-13
-
电源转换器电路,dcdc转换器电路-KIA MOS管
二极管 D1 工作在正向偏置状态，这反过来又给电容器 C2 充电，直到达到输入电源电压的峰值，此时电容器 C2 就像串联在电源上的电池一样旋转。在相同的时间段内，由于二极管 D1 的作用，二极管 D2 开始导通，电容器 C3 开始充电。www.kiaic.com/article/detail/5380.html 2024-12-13