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漏极开路门电路符号原理,OD门-KIA MOS管
OD门的输出端可以通过上拉电阻或上拉电源拉高，从而实现高低电平转换。与OC门（Open Collector Gate）类似，OD门的输出端也可以被多个门并联连接，形成开关电路，控制外部器件的工作。OD门适用于既可以输出高电平又可以输出低电平的应用场合，如数字信号的放大...www.kiaic.com/article/detail/5365.html 2024-12-06
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2844开关电源电路,电路原理图-KIA MOS管
FB反馈方式如下图所示，当输出电压24V减小，流过PC817光耦二极管电流减小，对应PC817光耦三极管的电流也较小（原因是光耦三极管内阻增大），对应进入2脚FB管脚的电压降低，误差放大器输出增大，从而PWM打开占空比增大，输出电压上升，完成反馈。www.kiaic.com/article/detail/5364.html 2024-12-06
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032n08场效应管参数,032n08代换,KIA2808A参数资料-KIA MOS管
032n08场效应管代换型号KIA2808A漏源击穿电压80V，漏极电流150A，VGS=10V时，低导通电阻RDS(ON)4mΩ，最大限度地减少导电损耗，提高效率；100%雪崩测试，稳定可靠；无铅和绿色设备可用（符合RoHS标准），高效环保；在锂电池保护板、控制器、逆变器中广泛应用。...www.kiaic.com/article/detail/5363.html 2024-12-05
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运放加法电路,反相加法运算电路,电路图,公式-KIA MOS管
根据电路图可知：V-=V+=0V设Vi1=V18Vi2=V20求得输出电压Vo的值如下：(Vo-(V-))/R26=((V-)-Vi1)/R27+((V-)-Vi2)/R30www.kiaic.com/article/detail/5362.html 2024-12-05
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运放减法电路,减法运算电路,原理图,公式-KIA MOS管
减法运算电路如上，输出电压的计算如下：假设V24=Vi1；V25=Vi2可得V+=(Vi1-0)/(R31+R29)*R29V-=(Vo-Vi2)/(R32+R33)*R32+Vi2www.kiaic.com/article/detail/5361.html 2024-12-05
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80n07场效应管参数,保护板mos管,KIA3508A替代-KIA MOS管
80n07场效应管替代型号KIA3508A漏源电压80V，漏极电流70A，低导通电阻RDS(ON)11mΩ；具有低Rds开启、低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗；100%雪崩测试、高击穿电压和电流，性能稳定可靠；无铅和绿色设备标准，符合RoHS环保要求；适用于电动车控制器、锂电池保...www.kiaic.com/article/detail/5360.html 2024-12-04
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放大电路图,放大电路原理-KIA MOS管
放大电路是一种将输入信号放大的电路。它的工作原理基于放大元件（如晶体管或运放）的特性和配置。放大电路的组成包括信号源、放大器件、偏置电路、负载等。信号源提供待放大的微弱信号，放大器件通过控制电流或电压的变化来放大信号，偏置电路确保放大器件在合...www.kiaic.com/article/detail/5359.html 2024-12-04
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贴片封装和直插封装的区别-KIA MOS管
贴片封装（SMD）：封装在一个带有引脚的矩形基板上，通过表面弯曲引脚与PCB板连接，包括有SOIC，QFN，BGA等等。贴片元器件可以通过SMT机器进行贴装。直插式封装（DIP）：引脚直插在PCB板上，元件插在PCB板上并通过焊接固定。DIP封装包括有DIP，ZIP，PGA等等。需...www.kiaic.com/article/detail/5358.html 2024-12-04
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50n06场效应管,60v50a,60vmos管,KIA50N06BD资料-KIA MOS管
KIA50N06BD场效应管漏源电压60V，漏极电流50A，低导通电阻RDS(ON)10.5mΩ；具有低Rds开启，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗；高雪崩电流，能够承受较高的电压脉冲，提高可靠性，确保在应用中高效稳定；无铅绿色环保，适用于适配器、开关电源、UPS电源、车载...www.kiaic.com/article/detail/5357.html 2024-12-03
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直流升压斩波电路,直流升压斩波电路原理-KIA MOS管
由图中V的栅极电压波形UGE可知，当V处于通态时，电源Ui向电感L1充电，充电电流基本恒定为I1，同时电容C1上的电压向负载供电，因C1值很大，基本保持输出电压UO为恒值。www.kiaic.com/article/detail/5356.html 2024-12-03
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功率电感和普通电感的区别,原理作用-KIA MOS管
功率电感通常用于功率电路中，如电源滤波器、开关管驱动电路等，而普通电感则主要用于信号处理和低功率电路中。功率电感通常由高磁导率的材料制成，如绕线电感、磁珠等，而普通电感则可能使用较低磁导率的材料?。www.kiaic.com/article/detail/5355.html 2024-12-03
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ao3402场效应管参数,30v4a mos管,KIA3402代换-KIA MOS管
ao3402场效应管代换型号KIA3402场效应管漏源电压30V，漏极电流4A，采用先进的沟槽技术，提供优良的RDS（on）、低栅电荷和栅电压低至2.5V，最大限度地减少导电损耗；3402是一款可靠性高、性能稳定的场效应管,具有低电压放大和开关特性，适用于负载开关、PWM应用...www.kiaic.com/article/detail/5354.html 2024-12-02
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esd和tvs区别,esd和tvs的应用,用途-KIA MOS管
ESD是静电放电管，主要用于高速信号线保护，而TVS是瞬态电压抑制管，主要用于电源输入端的浪涌吸收。ESD特点是低电容、快速响应，TVS则能承受高脉冲功率且响应迅速。www.kiaic.com/article/detail/5353.html 2024-12-02
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mos管热噪声,mos管的热噪声公式-KIA MOS管
mos管的栅源漏都会有电阻，都会产生噪声，对于长沟道，源漏电阻很小，可以忽略，但栅电阻就会很大，如下图：www.kiaic.com/article/detail/5352.html 2024-12-02