解析|MOS管电流选择-额定电流-KIA MOS管

MOS管电流选择：开关管额定电流的选择是对额定电流与壳温的关系、导通电阻与结温的关系、导通电阻产生的电压降等因素的综合。从额定电流与壳温的关系，需要选择开关管的额定电流为开关实际峰值电流的2倍。考虑到高压MOS管的导通电阻比较高，所产生的电压降也会...

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www.kiaic.com/article/detail/2726.html         2021-04-08

二极管及MOS管的反向保护电路分享-KIA MOS管

设计电路时，有时候会发现电路板上的芯片突然有微微烧焦的气味，这有可能是反向电流的恶作剧。特别是设计便携式的电子产品，如果一不小心，电池的反向连接对便携式产品可以是致命的，会有损坏电路或电池本身的危险。因此，为了防止反向电流的突袭，除了可以使用...

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www.kiaic.com/article/detail/2725.html         2021-04-08

KIA840MOS管500V8A参数资料|现货供应-KIA MOS管

KIA840MOS管500V8A参数- 特性RDS(on) = 0.7Ω(typ) @VGS = 10v通过无铅认证低导通电阻低栅电荷峰值电流与脉冲宽度曲线

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www.kiaic.com/article/detail/2724.html         2021-04-07

三端稳压管分析图解-KIA MOS管

三端稳压管一般指三端稳压块。三端稳压块稳压块的作用是将电压进行降压处理，并稳定为某一固定的值后输出。可分为正电压稳压块和负电压稳压块两种，正电压的有78系列、负电压的有79系列，两个系列是不能互换使用的，所以在选用时不要弄混。

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www.kiaic.com/article/detail/2723.html         2021-04-07

什么是理想二极管？原理及特性-KIA MOS管

理想二极管是一种电气组件，当以正向偏压施加电压时，其性能类似于理想导体，而当以反向偏压施加电压时，其性能类似于理想的绝缘体。因此，当+ ve电压跨阳极向阴极施加时，二极管立即执行正向电流。当施加反向偏置电压时，ir根本不执行电流。该二极管像开关一样...

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www.kiaic.com/article/detail/2722.html         2021-04-07

可控硅三极管MOS管单片机控制220V交流电通断电路图-KIA MOS管

如何用单片机控制220V交流电的通断?首先来说，220V交流电的负载是多大，是感性负载负载还是阻性负载，正常输出功率是多大等这些都要考虑进去。1、对于阻性负载，比如普通的灯泡，一般是30到40W左右，如果用220V交流电来控制通断，简单点的就用一个双向可控硅直...

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www.kiaic.com/article/detail/2721.html         2021-04-06

MOSFET同步整流|图文干货-KIA MOS管

图1给出的是一种电压自驱动同步整流正激变换器 ，图1中两个与变压器耦合的分离辅助绕组N4、N5用来分别驱动两个同步整流管 S201 、 S202。当主开关管导通时，变压器副边绕组上正下负，S201栅极电压为高，导通整流；主开关管截止时，副边绕组下正上负，续流S202栅...

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www.kiaic.com/article/detail/2720.html         2021-04-06

有效实现低阈值电压MOS管的方法-KIA MOS管

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现在需要一种工艺能提供两种不同阈值电压Vt的NMOS管，通常的做法 是在工艺过程中对某一阈值电压Vt的MOS管的沟道区域进行一次额外离子注入，这样，就需多制一层版，多进行一次光刻，如还需要不同阈值电压Vt的PM0S，则还需额外的制版和光刻，所需成本和制造周期均...

www.kiaic.com/article/detail/2719.html         2021-04-06

半导体知识|肖特基势垒与欧姆接触-KIA MOS管

肖特基势垒与欧姆接触-模型理解：我们知道，N型半导体与P型半导体接触会因为载流子的扩散形成耗尽区，从而形成PN节。当金属与半导体接触时会怎样呢？其中一种情况是，金属与N型半导体接触，半导体中的截流电子扩散进入金属，从而在半导体中形成耗尽区与内建电场...

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www.kiaic.com/article/detail/2718.html         2021-04-02

5N50MOS管 500V​5A​参数 原厂直销现货 免费送样-KIA MOS管

5N50MOS管 500V5A参数-产品特点RDS(on)=1.25Ω(typ)@Vgs=10V符合RoHS低导通电阻低栅电荷5N50MOS管 500V5A参数-产品应用领域1、适配器2、充电器3、SMPS备用电源

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www.kiaic.com/article/detail/2717.html         2021-04-02

MOS管SOA电流失效分析及预防-KIA MOS管

SOA失效是指电源在运行时异常的大电流和电压同时叠加在MOSFET上面，造成瞬时局部发热而导致的破坏模式。或者是芯片与散热器及封装不能及时达到热平衡导致热积累，持续的发热使温度超过氧化层限制而导致的热击穿模式。关于SOA各个线的参数限定值可以参考下面图片...

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www.kiaic.com/article/detail/2716.html         2021-04-02

电子干货|瞬时极性法如何判断正负反馈-KIA MOS管

反馈在电技术中应用十分广泛。反馈有正，负之分。负反馈主要用于模拟放大电路中，负反馈既能稳定静态工作点，又能改善放大电路的各种性能。放大电路很少用正反馈。在一定条件下放在电路中的负反馈可转化为正反馈，形成自激振荡，使放大器不能正常工作，这是要避...

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www.kiaic.com/article/detail/2715.html         2021-04-01

MOS管雪崩电流及雪崩电流在电路中的应用-KIA MOS管

MOS管雪崩电流解析：雪崩电流在MOS管的数据表中表示为IAV，雪崩能量代表功率MOS管抗过压冲击的能力。在调试过程中，选取一定的电感值，然后将电流增大，也就是功率MOS管开通的时间增加，然后关断，直到功率MOSFET损坏，对应的大电流值就是大的雪崩电流。

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www.kiaic.com/article/detail/2714.html         2021-04-01

二极管trr参数是什么?trr详解-KIA MOS管

trr是指快恢复二极管的反向恢复时间，二极管在正向导通到反向阻断过程中，会反向流过电流，内部载流子复合需要的时间就是trr。它的定义是：电流通过零点由正向转换成反向，再由反向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。

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www.kiaic.com/article/detail/2713.html         2021-04-01