返回首页

广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5214 个

  • 场效应管说明及介绍-KIA MOS管

    场效应管 （MOSFET）是一种外形与普通晶体管相似， 但控制特性不同的半导体器件。 它的输入电阻可高达 1015W，且工艺简单， 十分适用于大规模及超大规模集成电路， 根据其导电方式的不同，而分为增强型和耗尽型两种。

    0 次查看 场效应管说明及介绍-KIA MOS管

    www.kiaic.com/article/detail/2698.html         2021-03-25

  • 场效应管与晶体管的区别及优势-KIA MOS管

    场效应管与晶体管区别：（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2697.html         2021-03-24

  • 场效应管漏极以及与源极的本质区别-KIA MOS管

    图11-7所示是场效应管漏极12-21C/W1D-AR1S2/2C特性曲线，它与晶体三极管的输出特性曲线相似。电压UcJ。一定时，漏极电流五会随漏、源极之间电压Us变化而改变，这一特性称为漏极特性。图中，横坐标表示漏、源极之间电压。纵坐标表示漏电流五。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2696.html         2021-03-24

  • 场效应管通断原理-干货图解-KIA MOS管

    场效应管通断原理是：MOS管工作在恒流区和夹断区，栅源极之间的电压，控制漏源极之间的电流，当栅源之间电压一定时，漏源之间电流一定。了解场效应管的开通/关断原理你就会发现，使用PMOS做上管、NMOS做下管比较方便。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2695.html         2021-03-24

  • 变频器解析-变频器结构与原理-KIA MOS管

    变频器（Variable-frequency Drive，VFD）是应用变频技术与微电子技术，通过改变电机工作电源频率方式来控制交流电动机的电力控制设备。变频器主要由整流（交流变直流）、滤波、逆变（直流变交流）、制动单元、驱动单元、检测单元微处理单元等组成。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2694.html         2021-03-23

  • 场效应管门极驱动电路解析-KIA MOS管

    场效应管门极驱动电路-（1)直接驱动：电阻R1的作用是限流和抑制寄生振荡，一般为10ohm到100ohm,R2是为关断时提供放电回路的;稳压二极管D1和D2是保护MOS管的门]极和源极;二极管D3是加速MOS的关断。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2693.html         2021-03-23

  • 场效应管单端甲类功放电路分享-KIA MOS管

    单端纯甲类功放，音质醇厚,偶次谐波丰富，具有很好的空气感，听感自然，成为很多HI-FI发烧友的追求目标，虽然单端纯甲类功放的效率低，(理论上可以达到25%)，但是，实际的制作中，只能达到20%左右，因此发热量大，要求有大面积的散热器，对于电路也要求设计稳定...

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2692.html         2021-03-23

  • UPS​不间断电源详细分享-KIA MOS管

    UPS（Uninterruptible Power System/Uninterruptible Power Supply），即不间断电源，是将蓄电池（多为铅酸免维护蓄电池）与主机相连接，通过主机逆变器等模块电路将直流电转换成市电的系统设备。主要用于给单台计算机、计算机网络系统或其它电力电子设备如电磁...

    1 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2691.html         2021-03-22

  • 单片机及基本结构分析-KIA MOS管

    单片机是一种集成电路芯片，是采用超大规模集成电路技术把具有数据处理能力的中央处理器CPU、随机存储器RAM、只读存储器ROM、多种I/O口和中断系统、定时器/计数器等功能（可能还包括显示驱动电路、脉宽调制电路、模拟多路转换器、A/D转换器等电路）集成到一块硅...

    0 次查看 单片机及基本结构分析-KIA MOS管

    www.kiaic.com/article/detail/2690.html         2021-03-22

  • MOS管的二级效应解析-KIA MOS管

    体效应：我们都认为MOS管的衬底和源极相连，即VBS=0。但在很多情况下，源极和衬底的电位并不相同。对NMOS管而言，衬底通常接电路的最低电位（GND），有VBS《0；对PMOS管而言，衬底通常接电路的最高电位（VDD），有VBS》0。

    0 次查看 MOS管的二级效应解析-KIA MOS管

    www.kiaic.com/article/detail/2689.html         2021-03-22

  • 场效应管桥式整流电源分享-KIA MOS管

    普通6V低电压桥式整流电源，在整流二极管内阻上的电压降往往占去了输入电压的25％，即有1.5V的电压降损耗。采用肖特基快速二极管虽然可以减少50％的损耗，但仍然不能达到零功耗的理想状态。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2688.html         2021-03-19

  • 场效应管特性详细解析-KIA MOS管

    场效应管不仅兼有普通晶体管和电子管的优点，而且还具备两者所缺少的优点。场效应管具有双向对称性，即场效应管的源极和漏极是可以互换的（无阻尼），一般的晶体管是不容易做到这一点的，电子管是根本不可能达到这一点。

    0 次查看 场效应管特性详细解析-KIA MOS管

    www.kiaic.com/article/detail/2687.html         2021-03-19

  • 场效应管器件开关比理解分析-KIA MOS管

    开关比的定义：开关比是反应器件对电流的调控能力的，定义为器件开状态电流与关状态电流的比值。场效应晶体管中，在源、漏电压不变的情况下，加门压和不加门压时测得的源漏电流之比成为“开关电流比”。该量可以用来衡量门压对导电沟道的控制能力。

    3 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2686.html         2021-03-19

  • 场效应管如何控制电流大小？-KIA MOS管

    场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型（juncTIonFET—JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。

    0 次查看

    www.kiaic.com/article/detail/2685.html         2021-03-18

226227228229230231
Powered by DY Net+! |SiteMap |Copyright © 广东可易亚半导体科技有限公司 粤ICP备14090673号