|
|
|
结果: 找到相关主题 5214 个
-
KND3403A规格参数中文资料|免费送样原厂直销-KIA MOS管
KND3403A中文资料，30V85AMOS管-特性：RDS(on)=4.5mΩ@ VGS=10V，可提供无铅绿色装置，低Rds-on，减少导电损耗，高雪崩电流。负荷开关，SMPSwww.kiaic.com/article/detail/2613.html 2021-01-27
-
MOS管门极驱动电路及MOSFET驱动简便计算-KIA MOS管
MOS管门极驱动电路：（1)直接驱动，电阻R1的作用是限流和抑制寄生振荡，一般为10Ωm到100Ωm,R2是为关断时提供放电回路的;稳压二极管D1和D2是保护MOS管的门]极和源极;二极管D3是加速MOS的关断。www.kiaic.com/article/detail/2612.html 2021-01-27
-
MOS管与射频MOS管有哪些区别？工程师必看-KIA MOS管
MOS管与射频MOS管：MOS管中文名为场效应管，功能类似开关三级管，是一种压控元器件，有栅极（G），漏极（D），源极（S）三个极（管脚），通过控制栅极的电压来导通和关闭漏极和源极，由于有高输入阻抗和低导通电阻的特性，常用于各类需要大电流和高电压控制的产...www.kiaic.com/article/detail/2611.html 2021-01-27
-
功率半导体器件分析及功率MOS管主要参数-KIA MOS管
功率半导体器件：电力电子器件（Power Electronic Device），又称为功率半导体器件，用于电能变换和电能控制电路中的大功率(通常指电流为数十至数千安，电压为数百伏以上)电子器件。www.kiaic.com/article/detail/2610.html 2021-01-26
-
电容分析-电容器的作用详解-KIA MOS管
电容器的作用：电容的基本工作原理就是充电放电,当然还有整流、振荡以及其它的作用。另外电容的结构非常简单,主要由两块正负电极和夹在中间的绝缘介质组成,所以电容类型主要是由电极和绝缘介质决定的。www.kiaic.com/article/detail/2609.html 2021-01-26
-
肖特基二极管与场效应管的区别在哪里（工作原理、特性、基本概述等）-KIA MOS管
肖特基二极管与场效应管的区别是什么，先介绍一下肖特基二极管和场效应管的一些基本知识。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。场效应管是由多数载流子参与导电，也称为单极型晶...www.kiaic.com/article/detail/2068.html 2021-01-26
-
详解肖特基二极管的作用及接法-肖特基二极管的应用-KIA MOS管
详解肖特基二极管的作用及接法-肖特基二极管的应用，肖特基二极管肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频...www.kiaic.com/article/detail/1947.html 2021-01-26
-
干货解析|开关电源和线性电源的区别-KIA MOS管
开关电源和线性电源的区别：可能大多数朋友都对开关电源和线性电源的区别很模糊，今天就来给大家分析一下它们之间的区别。开关电源的主要工作原理就是上桥和下桥的MOS管轮流导通，首先电流通过上桥MOS管流入，利用线圈的存储功能，将电能集聚在线圈中，最后关闭...www.kiaic.com/article/detail/2608.html 2021-01-26
-
直流电机H桥驱动感性负载-KIA MOS管
H桥驱动感性负载：什么是H桥？H桥是一个比较简单的电路，通常它会包含四个独立控制的开关元器件（例如MOS-FET）,它们通常用于驱动电流较大的负载，比如电机，至于为什么要叫H桥（H-Bridge），因为长得比较像字母H，具体如下图所示www.kiaic.com/article/detail/2607.html 2021-01-25
-
MOS管的工作机制及半导体结构-KIA MOS管
MOS管的工作机制：由上图结构我们可以看到 MOS 管类似三极管，也是背靠背的两个PN结。三极管的原理是在偏置的情况下注入电流到很薄的基区通过电子-空穴复合来控制CE之间的导通，MOS 管则利用电场来在栅极形成载流子沟道来沟通DS之间。www.kiaic.com/article/detail/2606.html 2021-01-25
-
MOS集成电路电过应力损伤解析-KIA MOS管
MOS集成电路电过应力损伤：电过应力(EOS)是MOS集成电路失效分析过程中常见失效原因，电过应力损伤对MOS集成电路可靠性危害很大，轻者导致电路电性能下降，留下隐患，影响电路的长期可靠性，重者则可使MOS电路烧毁。www.kiaic.com/article/detail/2605.html 2021-01-25
-
电路知识理解与分析-KIA MOS管
CS单管放大电路：共源级单管放大电路主要用于实现输入小信号的线性放大，即获得较高的电压增益。在直流分析时，根据输入的直流栅电压即可提供电路的静态工作点，而根据MOSFET的I-V特性曲线可知。www.kiaic.com/article/detail/2603.html 2021-01-21
-
LLC变压器设计中的问题详细分析-KIA MOS管
适用于LLC变压器，其特征在于，包括：第一MOS开关管、第二MOS开关管、第一电容、电感和至少两个变压器;所述变压器的原边串联、副边并联;所述第一MOS开关管与第二MOS开关管串联后其中点依次通过第一电容和电感与变压器原边串联后的一端相连，变压器原边串联后的...www.kiaic.com/article/detail/2602.html 2021-01-21
-
图文解析|场效应管输入前级放大器-KIA MOS管
场效应管输入前级放大器：该TW-J26SN1前级放大器的输入端采用单端1型场效应管做输入级,单管输入可获对比差分输入更低的噪音,更大的动态范围, 接近电子管的输入特性。该输入场效应管采用东芝生产的2SK30A(Y档)型低噪声型场效应管,其噪声典型值为1.5dB。www.kiaic.com/article/detail/2601.html 2021-01-21