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MOS管-热插拔:当电源与其负载突然断开时,电路寄生电感元件上的大电流摆动会产生巨大的尖峰电压,对电路上的电子元件造成十分不利的影响。与电池保护应用类似,此处MOSFET可以将输入电源与其他电路隔离开来。
www.kiaic.com/article/detail/2596.html 2021-01-20
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功率MOS管Coss会产生开关损耗,在正常的硬开关过程中,关断时VDS的电压上升,电流ID对Coss充电,储存能量。在MOS管开通的过程中,由于VDS具有一定的电压,那么Coss中储能的能量将会通过MOSFET放电,产生损耗。
www.kiaic.com/article/detail/2595.html 2021-01-19
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反向电流损害:外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二极管的反向饱和电流受温度影响很大。
www.kiaic.com/article/detail/2594.html 2021-01-19
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MOS管栅极悬空:MOS管经常用于电路的开关控制,通过改变栅极(gate)的电压来使漏级(drain)和源级(source)导通或截断。下面就是一个常见的开关电路。Vg输入高时,N管会导通,使得P管的栅极为低,P管的DS导通。
www.kiaic.com/article/detail/2593.html 2021-01-19
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MOS管DS波形:假设在一台数字示波器上只看到这一点波型,知道变压器电感量为1mH,通过从示波器上测量和计算,得出下列数值。(1)大约的交流输入电压值(2)次级反到初级的电压
www.kiaic.com/article/detail/2592.html 2021-01-18
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MOS管与非门:与非门(英语:NANDgate)是数字逻辑中实现逻辑与非的逻辑门,功能见左侧真值表。若当输入均为高电平(1),则输出为低电平(0);若输入中至少有一个为低电平(0),则输出为高电平(1)。与非门是一种通用的逻辑门,因为任何布尔函数都能用与非门...
www.kiaic.com/article/detail/2591.html 2021-01-18
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氮化镓MOS管与碳化硅MOS管的结构、性能差异:作为第三代功率半导体的绝代双骄,氮化镓MOS管和碳化硅MOS管日益引起工业界,特别是电气工程师的重视。之所以电气工程师如此重视这两种功率半导体,是因为其材料与传统的硅材料相比有诸多的优点,如图1所示。
www.kiaic.com/article/detail/2590.html 2021-01-18
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薄膜场效应管解析:场效应管是利用改变电场来控制固体材料导电能力的有源器件,这种器件不但具有一般半导体三极管体积小、重量轻、耗电省、寿命长等特点,而且还有输入阻抗高、噪声低(0.5-1dB)、热稳定性好、抗辐射能力强和制造工艺简单等特点,因而其应用范围非...
www.kiaic.com/article/detail/2583.html 2021-01-15
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KIA65R700超结场效应管,650V7A,这种功率MOSFET是使用KIA半导体先进的超结技术生产的。这先进的技术已特别定制,以减少传导损耗,提供卓越的开关性能优异,可在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些设备非常适合于交流/直流功率转换的开关模式操作,以获得更高...
www.kiaic.com/article/detail/2589.html 2021-01-15
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石墨烯场效应管概念:场效应管(FET)是一种具有pn结的正向受控作用的有源器件,它是利用电场效应来控制输出电流的大小,其输入端pn一般工作于反偏状态或绝缘状态,输入电阻很高,栅极处于绝缘状态的场效应管,输入阻抗很大。
www.kiaic.com/article/detail/2588.html 2021-01-15
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TBU场效应管触发器:TBU(场效应管触发器)则与传统保护的方式不同,它只用1个元件就替代了次级保护器和提供协调性的考量。当我们把TBU放入电路之后,电流会上升,这时候TBU就会打开,有效阻绝电流与电压,电路就会被保护。
www.kiaic.com/article/detail/2587.html 2021-01-14
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场效应管的可调稳压电源:本文介绍一只V-MOS功率场效应管作调整管的稳压电源。直流输出电压可在1.25V~12V连续可调,输出电流为50mA(须装10平方厘米散热器)时,电压波动不超过0.3% ,适合各类小电器使用。
www.kiaic.com/article/detail/2586.html 2021-01-14
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场效应管混频器原理与电路:混频器一般由输入信号回路、本机振荡器、非线性器件和滤波网络等4部分组成,如图1所示。这里的非线性器件本身仅实现频率变换,本振信号由本机振荡器产生。若非线性器件既产生本振信号,又实现频率变换,则图1变为变频器。
www.kiaic.com/article/detail/2585.html 2021-01-14
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铁电场效应管也就是铁电介质栅极场效应晶体管(MFSFET,Metal-Ferroelectric-Semiconductor FET):这是在MOSFET的基础上,把栅极SiO2绝缘材料更换为高介电常数的铁电材料即得。
www.kiaic.com/article/detail/2584.html 2021-01-14