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自旋场效应管是什么？特性原理科普-KIA MOS管
自旋场效应管（Spin-FET）， 也称为自旋偏振（极化）半导体场效应晶体管，这是一种半导体自旋电子器件。自旋FET是1990年由Datta和A.Das提出来的。www.kiaic.com/article/detail/2582.html 2021-01-13
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场效应管图标与特性干货解析-KIA MOS管
场效应管图标：场效应管一般具有3个电极:栅极G、源极S和漏极D(双栅场效应管有4个电极:栅极G1、极栅G2、源极S和漏极D)。场效应管的栅极G、源极S和漏极D的功能分别对应于双极型晶体管的基极B、发射极E和集电极C。www.kiaic.com/article/detail/2581.html 2021-01-13
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如何用TTL驱动MOS管电路及TTL电平的优缺点总结-KIA MOS管
本文主要内容是如何用TTL驱动MOS管电路及TTL电平的优缺点总结，MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。TTL连接线是用于相机...www.kiaic.com/article/detail/1723.html 2021-01-12
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电阻-电阻器如何维修检测方法详解及注意事项-KIA MOS管
有些固定电阻开路或阻值增大后其表面会有很明显的变化比如裂痕、引脚断开或颜色变黑，此时通过直观检查法就可以确认其好坏。若所怀疑的电阻外观是正常的，则需要用万用表对其进行检测了来判断其是否正常了。而用万用表测量电阻用分为在路检测和非在路检测两种方...www.kiaic.com/article/detail/1030.html 2021-01-12
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5V单片机驱动mos管电路（BUCK）图分析-mos管驱动电路应用-KIA MOS管
在了解5V单片机驱动mos管电路之前，先了解一下单片机驱动mos管电路图及原理，单片机驱动mos管电路主要根据MOS管要驱动什么东西， 要只是一个继电器之类的小负载的话直接用51的引脚驱动就可以，要注意电感类负载要加保护二极管和吸收缓冲，最好用N沟道的MOS。如...www.kiaic.com/article/detail/1187.html 2021-01-12
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电阻公式有哪些-发光二极管限流电阻计算方法与详解-KIA MOS管
电阻公式有哪些？本文主要是介绍电阻公式与电阻的一些基础知识。电阻，是一个限流元件，将电阻接在电路中后，电阻器的阻值是固定的一般是两个引脚，它可限制通过它所连支路的电流大小。阻值不能改变的称为固定电阻器。阻值可变的称为电位器或可变电阻器。理想的...www.kiaic.com/article/detail/1795.html 2021-01-12
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路灯控制器-太阳能路灯控制器系统结构及设计方案原理大全-KIA MOS管
路灯控制器，LED路灯控制器设计方案，LED太阳能路灯系统如图1所示，可以看出其由太阳能电池、路灯控制器、蓄电池、市电供电和LED路灯五部分组成，其中太阳电池用于把太阳光能转互电能，即白天时刻太阳能电池给蓄电池充电，并且可以根据太阳能电池两端电压的大小...www.kiaic.com/article/detail/870.html 2021-01-12
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电子元器件-六种电子电路中常用的电子元器件图文解析-KIA MOS管
电子元器件是电子元件和电小型的机器、仪器的组成部分，其本身常由若干零件构成，可以在同类产品中通用；常指电器、无线电、仪表等工业的某些零件，如电容、晶体管、游丝、发条等子器件的总称。常见的有二极管等。今天介绍六种电子电路中常用的电子元器件，正是...www.kiaic.com/article/detail/2072.html 2021-01-12
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场效应管替换及好坏判断分析-KIA MOS管
场效应管替换原则—(只适合主板)?场效应管替换只需大小相同，分清N沟道P沟道即可，功率大的可以代换功率小的，主板的场效应管最好原值代换。www.kiaic.com/article/detail/2563.html 2021-01-12
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MOS管H电桥电路及驱动电路图|图文详解-KIA MOS管
MOS管H电桥电路及驱动电路图:H桥是一个典型的直流电机控制电路，因为它的电路形状酷似字母H，故得名与“H桥”。4个三极管组成H的4条垂直腿，而电机就是H中的横杠（注意：图中只是简略示意图，而不是完整的电路图，其中三极管的驱动电路没有画出来）。www.kiaic.com/article/detail/2543.html 2021-01-12
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隧穿场效应管是什么？好文分享-KIA MOS管
隧穿场效应管介绍：在传统MOSFET中，载流子从源极越过pn结势垒热注入到沟道中。而隧穿场效应晶体管（Tunneling Field-Effect Transistor或者TFET）的工作原理是带间隧穿（Band-to-band tunneling或者BTBT）。www.kiaic.com/article/detail/2580.html 2021-01-12
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逆变器烧场效应管有哪些原因？-KIA MOS管
逆变器烧场效应管原因：逆变器的场效应管工作于开关状态，并且流过场效应管的电流很大，若场效应管选型不合适、驱动电压幅度不够大或电路的散热不好，皆可导致场效应管发热，逆变器烧场效应管。www.kiaic.com/article/detail/2579.html 2021-01-12
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什么是浮栅场效应管？干货解析-KIA MOS管
浮栅场效应管解析：闪存（Flash）技术利用的场效应管就是浮栅场效应管。FLASH技术是采用特殊的浮栅场效应管作为存储单元。这种场效应管的结构与普通场管有很大区别。www.kiaic.com/article/detail/2578.html 2021-01-12
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120VMOS管，120V110A|3112参数|原厂直销免费送样-KIA MOS管
120VMOS管，3112参数-产品特性：采用CRM(CQ)先进的沟槽技术，极低通阻RDS(on)，符合JEDEC标准，RDS(on)=7mΩ（typ.)@VGS=10Vwww.kiaic.com/article/detail/2577.html 2021-01-11