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结果: 找到相关主题 5214 个
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电子电路|IGBT特性曲线详细分析-KIA MOS管
IGBT特性曲线解读-通态特性，通态压降：随着IGBT器件技术的发展,IGBT的通态压降越来越小，从而使其电流密度越来越高。但是注意，器件给出的通态饱和压降是有一定条件的。www.kiaic.com/article/detail/2576.html 2021-01-11
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三极管MOS管单片机控制交流电通断电路图解-KIA MOS管
三极管MOS管单片机控制交流电通断电路：如何用单片机控制220V交流电的通断？首先来说，220V交流电的负载是多大，是感性负载负载还是阻性负载，正常输出功率是多大等这些都要考虑进去。www.kiaic.com/article/detail/2575.html 2021-01-11
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稳压二极管限流电阻如何选择分析-KIA MOS管
稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管 。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更多的稳定电压。稳压二极管起电压调节作用，当负载电流减少时，限流电阻两端电压降便下降，输出电压上升，即相对地加大稳压二极管的反向电...www.kiaic.com/article/detail/2574.html 2021-01-08
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MOS管知识|传输管TG原理及组合逻辑延时分析-KIA MOS管
传输管TG原理及组合逻辑延时：MOS，即场效应管，四端器件，S、D、G、B四个端口可以实现开和关的逻辑状态，进而实现基本的逻辑门。NMOS和PMOS具有明显的对偶特性：NMOS高电平打开（默认为增强型，使用的是硅栅自对准工艺，耗尽型器件这里不涉及），PMOS低电平打...www.kiaic.com/article/detail/2573.html 2021-01-08
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MOS管构成的开关电流电路延迟线的设计-KIA MOS管
MOS管开关电流电路延迟线：开关电流技术是近年来提出的一种新的模拟信号采样、保持、处理技术。与已成熟的开关电容技术相比，开关电流技术不需要线性电容和高性能运算放大器，整个电路均由MOS管构成，因此可与标准数字CMOS工艺兼容，可与数字电路使用相同工艺，...www.kiaic.com/article/detail/2572.html 2021-01-08
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7805三端稳压器 KIA7805中文资料 KIA7805产品规格书 KIA MOS管
KIA7805 N沟道 MOSFET 230A/60V TO-220、263封装，三最新规格书自行提供mos管定制.是一家专业从事中、大、功率场效应管（MOSFET）、快恢复二极管、三端稳压器开发设计、集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体科技从2005-2018已经拥有独立研发...www.kiaic.com/article/detail/765.html 2021-01-07
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三端稳压器原理 三端稳压器应用电路图 三端稳压器电路 KIA MOS管
在电路板上，我们经常会看到一个类似三极管的元件---三端稳压器。三端稳压器常用在需要电压变换的地方。如18伏变12伏、12伏变5伏。常见的三端稳压器有78系列的7805、7808、7809、7812、7824等。78后面的数字代表稳压器输出的电压值。78系列的稳压器输出都为正压...www.kiaic.com/article/detail/766.html 2021-01-07
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lm7805中文资料-lm7805应用电路、参数、型号和管脚分布-KIA MOS管
lm7805中文资料，先来简单介绍一下lm7805 用lm78/lm79系列三端稳压IC来组成稳压电源所需的外围元件极少，电路内部还有过流、过热及调整管的保护电路，使用起来可靠、方便，而且价格便宜。该系列集成稳压IC型号中的lm78或lm79后面的数字代表该三端集成稳压电路的...www.kiaic.com/article/detail/2037.html 2021-01-07
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MOS管构成的缓冲器Buffer的详细概述-KIA MOS管
MOS管构成的缓冲器Buffer：场效应管（Field-EffectTransistor）通过不同的搭配可以构成各种各样的门电路，如开篇所说，这些最基本的单元电路或许是现代IC的基础。以下的电路形式在常用的74系列的芯片中大量存在着，之后介绍的OD门，缓冲器则常见于芯片的GPIO口...www.kiaic.com/article/detail/2571.html 2021-01-07
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开关电源|MOS管的关断缓冲电路详解-KIA MOS管
MOS管的关断缓冲电路：在带变压器的开关电源拓扑中，开关管关断时，电压和电流的重叠引起的损耗是开关电源损耗的主要部分，同时，由于电路中存在杂散电感和杂散电容，在功率开关管关断时，电路中也会出现过电压并且产生振荡。www.kiaic.com/article/detail/2570.html 2021-01-07
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详细解析MOS管栅极最高电压-KIA MOS管
MOS管栅极最高电压：大部分MOS管指定了最大栅源极间电压(±20V)。如果超过这个限制,器件就容易被损坏。当MOS管工作时使用栅极输入电阻,并在一个具有较大供电电压的电路中快速关断,器件内部的米勒电容就会耦合一个电压尖峰到栅极,引起栅极电压超限的问题。www.kiaic.com/article/detail/2569.html 2021-01-07
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KNF7650MOS管500V25A|参数规格|原厂直销免费送样-KIA MOS管
KNF7650MOS管500V25A参数-特性：高级平面流程，RDS(ON)、(typ.)= 170mΩ@VGS = 10v，低栅极电荷使开关损耗最小化，坚固的多晶硅栅极结构?www.kiaic.com/article/detail/2568.html 2021-01-06
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MOS管i-v特性解析|图文分享-KIA MOS管
转移特性曲线如图1(b)所示， 由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区)，此时iD几乎不随VDs而变化，即不同的VDs 所对应的转移特性曲线几乎是重合的，所以可用VDs 大于某一数值(vDs> VGs-VT)后的一条转移特性曲线代替饱和区的所有转移特性曲线。www.kiaic.com/article/detail/2567.html 2021-01-06
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三极管驱动蜂鸣器这些误区要当心-KIA MOS管
三极管驱动蜂鸣器：蜂鸣器是我们在电路设计中使用的最常见的一种预警发声器件,我们常使三极管的工作于开关状态来驱动它。然而越简单的电路,很多人在设计时往往越容易忽略细节,导致实际电路中蜂鸣器不发声、轻微发声和乱发声的情况发生。www.kiaic.com/article/detail/2566.html 2021-01-06