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MOS知识分享|CMOS逻辑门电路干货解析-KIA MOS管
CMOS逻辑门电路是在TTL电路问世之后, 所开发出的第二种广泛应用的数字集成器件，从发展趋势来看，由于制造工艺的改进，CMOS电路的性能有可能超越TTL而成为占主导地位的逻辑器件。www.kiaic.com/article/detail/2506.html 2020-12-11
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sic-sic的作用有哪些-sic（碳化硅）性质及用途-KIA MOS管
下文主要是讲sic的作用。金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。 碳化硅又称碳硅石。在当代C、N、B等非氧化物高技术耐火原料中，碳...www.kiaic.com/article/detail/1793.html 2020-12-11
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ccd和cmos的优缺点、作用及其区别对比分析-KIA MOS管
ccd和cmos的优缺点及区别解析，CCD的英文全称是“Charge-coupledDevice”，中文全称是电行耦合元件，通常称为CCD图像传感器。CCD是一种半导体器件，能够把光学影像转化为数字信号，CCD上植入的微小光敏物质称作像素(Pixel)，一块CCO上包含的像素数越多，其提供...www.kiaic.com/article/detail/1956.html 2020-12-11
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KIA2906A|60V130A开关电源专用|原厂直销-KIA MOS管
60V130A，N沟道MOSFET，开关电源专用-MOS管60V130A开关电源专用-产品特征:1、RDS(on)=5.5mΩ@VGS=10V，2、无铅绿色设备，3、低Rds-最小化导电损耗，4、高雪崩电流www.kiaic.com/article/detail/2505.html 2020-12-10
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电子元器件：三极管和场效应管引脚解析-KIA MOS管
三极管和场效应管引脚-晶体三极管和场效应管说明：晶体三极管：用于电压放大或者电路放大的控制器件。可以把基极和集电极的间的电压Vbc放大到几十到几百倍以上，在发射集和集电极之间以Vce的方式输出；还可以把基极电流Ib放大β倍，然后在集电极以Ic形式输出。...www.kiaic.com/article/detail/2504.html 2020-12-10
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场效应管：共源极放大器知识详解-KIA MOS管
1.静态工作点的测试:上图为场效应管共源极放大器实验电路图。该电路采用的自给偏压的方式为放大器建立静态工作点，栅极通过R1接地，因R1中无电流流过，所以栅极与地等电位。即VG=0，可用万用表测出静态工作点IDQ和VDSQ值。www.kiaic.com/article/detail/2503.html 2020-12-10
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一些常用的调光电路|MOS管调光电路-KIA MOS管
MOS管调光电路-常用的几种调光电路有: 模拟调光(调节电压或电流)、PWM调光、可控硅调光等。(1)调幅式调光(调节电压)调幅式调光是最常用而且简单的调光方式,目的是通过调节LED灯的供电电压,通过改变LED的电压,从而改变流过LED灯的电流。www.kiaic.com/article/detail/2502.html 2020-12-10
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MOS管应用电路|开关电路知识-KIA MOS管
MOS应用电路分析-MOS电路为单极型集成电路，又称为MOS集成电路，它采用金属－氧化物半导体场效应管(MetalOxide Semi-conductor Field Effect Transistor,缩写为(MOSFET)制造，其主要特点是结构简单、制造方便、集成度高、功耗低，但速度较慢。www.kiaic.com/article/detail/2501.html 2020-12-10
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图文干货|场效应管放大电路特点解析-KIA MOS管
场效应管放大电路特点:场效应管放大电路的三种组态，根据场效应管在放大电路中的连接方式，场效应管放大电路分为三种组态:共源极电路、共栅极电路和共漏极电路。www.kiaic.com/article/detail/2500.html 2020-12-10
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场效应管解析与内部载流子的运动图文分享-KIA MOS管
场效应管解析与内部载流子的运动-场效应管:1.结型场效应管 JFET2.绝缘栅型场效应管（主讲这个）1962年造出来的，又称MOSFET,简称MOS管，在这个基础上建出来了CMOS电路。www.kiaic.com/article/detail/2495.html 2020-12-09
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100V160A保护板专用|KNX2710A规格书详情|优质品牌-KIA MOS管
100V160A，N沟道MOSFET，100%雪崩测试-100V160A保护板专用-产品特征，专有新沟槽技术，RDS(ON),typ.=4.5mΩ@VGS=10V，低栅极电荷使开关损耗最小化，快恢复体二极管www.kiaic.com/article/detail/2499.html 2020-12-07
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MOSFET：开漏输出与推挽输出解析-KIA MOS管
推挽输出（Push-Pull Output）推挽输出结构是由两个MOS或者三极管收到互补控制的信号控制，两个管子时钟一个在导通，一个在截止，如图1所示：推挽输出的最大特点是可以真正能真正的输出高电平和低电平，在两种电平下都具有驱动能力。www.kiaic.com/article/detail/2498.html 2020-12-07
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MOS管：反型（导电沟道）分析讲解-KIA MOS管
反型（导电沟道）分析-本篇主要是讲解MOS管工作原理分析中，常见的沟道分析问题。MOS管的核心部分是栅极及其下面的MOS系统。MOSFET的工作就是通过控制MOS管的半导体表面势阱——反型层（导电沟道）来实现的。www.kiaic.com/article/detail/2497.html 2020-12-07
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100V150A参数规格|MOS管原厂|专业制造商-KIA MOS管
100V150A参数规格|MOS管原厂|专业制造商-KIA MOS管-KNX2810A，100V150A，N沟道MOSFET，100V150A参数规格-应用程序，SMPS的高效同步整流，高速功率转换www.kiaic.com/article/detail/2496.html 2020-12-04