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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5214 个

  • 100V130A|KNX2910A中文资料|规格书|KIA原厂直销-KIA MOS管

    100V130A|KNX2910A中文资料-特性，RDS(ON) = 5.0mΩ@VGS = 10V,超高密度电池设计，超低导通电阻，100%雪崩测试，无铅环保器件(符合RoHS标准)

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    www.kiaic.com/article/detail/2484.html         2020-11-30

  • MOS管保护电路实测与保护电路分析-KIA MOS管

    MOS管保护电路实测，分析:功率MOS管自身拥有众多优点，但是MOS管具有较脆弱的承受短时过载能力，特别是在高频的应用场合，所以在应用功率MOS管对必须为其设计合理的保护电路来提高器件的可靠性。

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    www.kiaic.com/article/detail/2483.html         2020-11-30

  • 详解PWM驱动MOS管H桥电路分享-KIA MOS管

    PWM驱动MOS管H桥电路：H桥是一个典型的直流电机控制电路，因为它的电路形状酷似字母H，故得名与“H桥”。4个三极管组成H的4条垂直腿，而电机就是H中的横杠（注意：图中只是简略示意图，而不是完整的电路图，其中三极管的驱动电路没有画出来）。

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    www.kiaic.com/article/detail/2482.html         2020-11-30

  • 什么是Qg,MOS管Qg的概念解析-KIA MOS管

    MOS管Qg概念:Qg(栅极电荷):栅极电荷Qg是使栅极电压从0升到10V所需的栅极电荷，是指MOS开关完全打开，Gate极所需要的电荷量。虽然MOS的输入电容,输出电容,在反馈电容是一项非常重要的参数,但是这些参数都是一些静态参数。

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    www.kiaic.com/article/detail/2444.html         2020-11-27

  • 你想了解的都在这里|MOS管及其扩展知识总结-KIA MOS管

    MOS管及其扩展知识:今天简单总结一下MOS管，金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反...

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    www.kiaic.com/article/detail/2476.html         2020-11-27

  • MOS管、三极管-电平转换电路的详细分析-KIA MOS管

    MOS管、三极管-电平转换电路分析:电平转换电路在电路设计中会经常用到，市面上也有专用的电平转换芯片，专用的电平转换芯片主要是其转换速度较快，多使用在速度较高的通讯接口，一般对速度要求不高的控制电路，则可使用此文介绍的分立器件搭建的电平转换电路。...

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    www.kiaic.com/article/detail/2477.html         2020-11-27

  • 集成电路知识|MOS管二级效应及其小信号等效-KIA MOS管

    MOS管二级效应及其小信号等效-二级效应-体效应:由于源极和衬底之间存在电压差，是的器件的电流方程偏离上述公式。主要是由于当源极与衬底存在压差时，阈值电压会发生变化，具体可参考刘恩科等著《半导体物理》第七版第八章MOS结构的介绍。

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    www.kiaic.com/article/detail/2478.html         2020-11-27

  • 华润微CRSS042N10N参数|变频器,锂电池保护板专用-KIA MOS管

    华润微CRSS042N10N参数|变频器,锂电池保护板专用-KIA MOS管,SkyMOS1 N-MOSFET 100V, 3.6m?, 120A,CRSS042N10N参数-特性：使用CRM(CQ)先进的SkyMOS1技术,极低通阻RDS(通),优秀的Qg x RDS(on)产品(FOM),符合JEDEC标准

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    www.kiaic.com/article/detail/2481.html         2020-11-27

  • NCEP039N10D锂电保护板专用|规格书参数资料-KIA MOS管

    NCE n通道超级沟槽II功率MOSFET-NCEP039N10D-描述：该系列设备使用超级战壕II技术，即独特优化，提供最有效的高频切换性能。传导和开关电源由于极低的组合，损失最小化RDS(ON)和Qg。该设备是理想的高频开关和同步整流。

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    www.kiaic.com/article/detail/2479.html         2020-11-27

  • MOS管瑞萨2SK2225参数|MOSFET1500V2A高速功率转换-KIA MOS管

    瑞萨2SK2225参数|MOSFET1500V2A高速功率转换-KIA MOS管,瑞萨2SK2225参数1500V2A-应用程序:高速功率转换,瑞萨2SK2225参数1500V2A-特性:高击穿电压(VDSS=1500V),高速开关,驱动电流低,无二次击穿,适用于开关稳压器、DC-DC变换器

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    www.kiaic.com/article/detail/2438.html         2020-11-26

  • MOS管​450V11A规格书,6140参数|MOSFET品牌,专业制造-KIA MOS管

    450V11A规格书;MOS管6140参数1.一般特性：专利新平面技术,RDS(ON),typ.=0.35Ω@VGS=10V,低栅电荷使开关损耗最小化,快速恢复体二极管,450V11A规格书;MOS管6140参数2.应用程序：镇流器和照明,直粱逆变器,其他应用程序

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    www.kiaic.com/article/detail/2437.html         2020-11-26

  • 开关知识|模拟多路开关-MOSFET|概述及工作原理-KIA MOS管

    多路开关-MOSFET：概述,多路开关:在多路被测信号共用一路A/D转换器的数据采集系统中，用来将多路被测信号分别传送到A/D转换器进行转换，以便计算机能对多路被测信号进行处理。类型：机电式:用于大电流、高电压，低速切换场所;电子式:用于小电流、低电压，高速切...

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    www.kiaic.com/article/detail/2446.html         2020-11-26

  • MOS管并联以及晶体管与MOS管的并联理论-KIA MOS管

    晶体管与MOS管并联理论：(1)、晶体管具有负的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会变小。(2)、MOS管具有正的温度系数，即当温度升高时，导通电阻会逐渐变大。相比于晶体管，MOS管的特性更加适合并联电路中的均流，因此当电路中电流很大时，一般会采用并联MOS管...

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    www.kiaic.com/article/detail/2475.html         2020-11-25

  • 500v功放管mos参数选型及MOS管原厂制造-mos功放优缺点-KIA MOS管

    KIA半导体供应500v功放管mos，先来看看功放管的分类：A类功放（又称甲类功放） A类功放输出级中两个（或两组）晶体管永远处于导电状态，也就是说不管有无讯号输入它们都保持传导电流，并使这两个电流等于交流电的峰值，这时交流在最大讯号情况下流入负载。当无...

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    www.kiaic.com/article/detail/1666.html         2020-11-25

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