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MOS管工作原理详解：各种mos管的转移特性曲线分析-KIA MOS管
金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，源极上加有足够的正电压(栅极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。改变...www.kiaic.com/article/detail/2374.html 2020-10-10
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MOS管30V95A参数 KCX3303 高效高品质 原厂直销-KIA MOS管
MOS管30V95A参数 KCX3303 高效高品质 原厂直销-KIA MOS管 MOS管30V95A参数中文 1.特点 RDS(on) =2.2mΩ（typ.) @ VGS =10V 先进的沟槽技术 低栅电荷 高电流能力 符合RoHS和无卤素标准www.kiaic.com/article/detail/2369.html 2020-10-10
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1500V3A 变频器 KNX42150A 1500V3A参数附件-KIA MOS管
1500V?3A 变频器 KNX42150A 1500V?3A参数附件-KIA MOS管 1500V?3A参数 变频器? 1.产品特点 高速开关 RDS(ON),typ. =6.5Ω@V GS =10V 全隔离塑料包装 2.应用 交换应用www.kiaic.com/article/detail/2364.html 2020-10-10
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KNX3302A参数详情 20V85A 内阻低 免费送样-KIA MOS管
KNX3302A参数详情 20V85A? 内阻低 免费送样-KIA MOS管 1.KNX3302A参数详情 产品说明 KIA3302A采用先进的沟道技术，以提供出色的RDS（ON）、低栅极电荷和栅电压低至2.5V。该器件适用于各种应用场合。www.kiaic.com/article/detail/2367.html 2020-10-10
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MOS过压保护电路及电池MOS管保护电路-KIA MOS管
MOS过压保护电路，当电源正确接入时。电流的流向是从Vin到负载，在通过NMOS到GND。刚上电时因为NMOS管的体二极管存在，地回路通过体二极管接通，后续因为Vgs大于Vgsth门限电压，MOS管导通。当电源接反时，体二极管不通，并且Vgs的电压也不会符合要求，所有NMOS...www.kiaic.com/article/detail/2361.html 2020-10-09
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MOS管驱动设计与电路布线设计—KIA MOS管
MOS管驱动设计细节。MOS管驱动设计，一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS的G S两级之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。MOS管驱动设计，如果不考虑纹波和EMI等要求的话，MOS管开关速度越快越好，因为开关时间越短，开关...www.kiaic.com/article/detail/2357.html 2020-10-09
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MOSFET雪崩击穿问题解析- KIA MOS管
功率MOSFET在电力电子设备中应用十分广泛，因其故障而引起的电子设备损坏也比较常见。分析研究功率MOSFET故障的原因、后果，对于MOSFET的进一步推广应用具有重要意义。在正向偏置工作时，由于功率MOSFET是多数载流子导电，通常被看成是不存在二次击穿的器件。www.kiaic.com/article/detail/2372.html 2020-10-09
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场效应管静态工作点解析及设置静态工作点的要求-KIA MOS管
场效应管静态工作点解析及设置静态工作点的要求-KIA MOS管 MOS管的静态工作点的计算 场效应管静态工作点，据场效应管的特点，利用双极型三极管与场效应管的电极对应关系，即b→G，e→S，c→D，即可在单管共射放大电路的基础上，组成共源极放大电路。www.kiaic.com/article/detail/2368.html 2020-09-30
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如何降低mosfet导通压降-降低高压MOSFET导通电阻原理与方法-KIA MOS管
如何把MOS管导通时电压降控制在最小 如何降低mosfet导通压降，Rds（on）是MOS管导通时，D极和S极之间的内生电阻，它的存在会产生压降，所以越小越好。D极与S极间电流Id最大时完全导通。在图中可以看到Vgs=10v完全导通，电阻Rds=5欧左右，电流Id=500mA（最大，完...www.kiaic.com/article/detail/2366.html 2020-09-29
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场效应管的符号与三个极,G、S、D详解-KIA MOS管
场效应管的符号与三个极,G、S、D详解-KIA MOS管 1.判断栅极G MOS驱动器主要起波形整形和加强驱动的作用:假如MOS管的G信号波形不够陡峭，在点评切换阶段会造成大量电能损耗其副作用是降低电路转换效率，MOS管发烧严峻，易热损坏MOS管GS间存在一定电容，假如G信号...www.kiaic.com/article/detail/2365.html 2020-09-29
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MOS场效应管判断好坏及判断注意事项-KIA MOS管
MOS场效应管如何判断好坏（一）结型场效应晶体管的检测1．判别电极与管型 用万用表R×100档或R×1k档，用黑表笔任接一个电极，用红表笔依次触碰另外两个电极。若测出某一电极与另外两个电极的阻值均很大（无穷大）或阻值均较小（几百欧姆至一千欧姆），...www.kiaic.com/article/detail/2362.html 2020-09-28
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显卡MOS管详解与显卡MOS管分类和选购知识-KIA MOS管
显卡MOS管，三脚MOS依然是现在显卡上最常见的，八爪鱼MOS是全新的封装形式，它最大的优点是内阻低、转换率高、温度低。整合MOS继承了8脚MOS的优点，不同的是其内部整合进了多个MOS以提高输出和减少占地面积。以上三者均属于一般MOS类别，它们的耐温通常不能高于...www.kiaic.com/article/detail/2359.html 2020-09-27
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场效应管并联及并联判断方法-KIA MOS管
mos管如何并联使用？并联是元件之间的一种连接方式，其特点是将2个同类或不同类的元件、器件等首首相接，同时尾尾亦相连的一种连接方式。通常是用来指电路中电子元件的连接方式，即并联电路。www.kiaic.com/article/detail/2358.html 2020-09-27
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场效应管的参数及作用、使用优势解析-KIA MOS管
场效应管的参数，饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某...www.kiaic.com/article/detail/2351.html 2020-09-25