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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5223 个

  • 增强型绝缘栅场效应管工作原理与耗尽型MOS场效应管—KIA MOS管

    绝缘栅场效应晶体管工作原理及特性。增强型绝缘栅场效应管,场效应管(MOSFET)是一种外形与普通晶体管相似,但控制特性不同的半导体器件。它的 输入电阻可高达1015 W,而且制造工艺简单,适用于制造大规模及超大规模集成电路。场效应管也称为MOS管,按其结构不同...

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    www.kiaic.com/article/detail/2356.html         2020-09-25

  • MOS管识别及MOS管和IGBT管的辨别-KIA MOS管

    MOSFET类型识别小结。1)P沟道与N沟道的识别。MOS管识别,MOSFET在导通时,传输电流的层为P沟道的,则为P沟道MOSFET;传输电流的层为N沟道的,则为N沟道MOSFET。从原理图中看的话,可以看图上中漏极源极下方所示的为N型硅还是P型硅。从代表符号上来识别的话,则...

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    www.kiaic.com/article/detail/2355.html         2020-09-25

  • 场效应管调光-常见调光方式比较及双按场效应管调光灯电路-KIA MOS管

    场效应管调光-几种常见调光方式的比较随着科技的发展,越来越多的事情可以在手机上完成,大到调光系统,小到一盏台灯,都可以利用手机进行调光。在一个需要调光的空间中,设计师需要了解哪些光源可以方便的调光、有哪些调光的方式,从而更好地给出方案。

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    www.kiaic.com/article/detail/2354.html         2020-09-24

  • 场效应管知识-场效应管代换原则与好坏判断 特点-KIA MOS管

    一、定性判断MOS型场效应管的好坏,场效应管代换原则与好坏判断详解,先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池),把负表笔(黑)接栅极(G),正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电,此时万用表指针有轻微偏转。再改用万用表R×1Ω挡,将负表笔接漏极(...

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    www.kiaic.com/article/detail/2353.html         2020-09-24

  • 开关MOS管-开关MOS管的工作原因及详解分析-KIA MOS管

    MOS管开关的工作详解MOS管作为开关元件,同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件,所以主要由栅源电压uGS决定其工作状态。

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    www.kiaic.com/article/detail/2349.html         2020-09-23

  • 场效应管知识概述-场效应管应用的四大点详解-KIA MOS管

    场效应管知识概述-场效应管应用的四大点详解,场效应管有其独特的优点,例输入阻抗高,噪声低,热稳定性好等,在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管的种类很多,根据结构不同分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管;绝缘栅型场效应管又称为金属氧化...

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    www.kiaic.com/article/detail/2350.html         2020-09-23

  • MOSFET击穿电压-MOS管击穿特性原因及解决方案-KIA MOS管

    MOSFET 击穿电压的原因及解决方案:这三种情形即ESD一般会对电子元件造成以下三种情形的影响,(1)元件吸附灰尘,改变线路间的阻抗,影响元件的功能和寿命;(2)因电场或电流破坏元件绝缘层和导体,使元件不能工作(完全破坏);(3)因瞬间的电场软击穿或电流产生过热...

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    www.kiaic.com/article/detail/2348.html         2020-09-22

  • MOS管选型规范- MOS管选型规范的六个原则必知-KIA MOS管

    MOS管选型规范在电源电路应用中,往往首先考虑漏源电压VDS的选择。在此上的基本原则为MOSFET实际工作环境中的最大峰值漏源极间的电压不大于器件规格书中标称漏源击穿电压的90%。即:VDS_peak≤90%*V(BR)DSS

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    www.kiaic.com/article/detail/2346.html         2020-09-21

  • MOS管SOA分析-详解MOS管烧坏原因SOA的具体分析-KIA MOS管

    MOS管SOA分析开关电源中MOSFET、IGBT是最核心也是最容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电压大电流状态,承受着很大的功耗,一但过压或过流就会导致功耗大增,晶圆结温急剧上升,如果散热不及时,就会导致器件损坏,甚至可能会伴随爆炸,非常危险。

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    www.kiaic.com/article/detail/2345.html         2020-09-21

  • MOS管驱动电路-MOS管驱动电路设计及注意事项-KIA MOS管

    MOS管驱动电路设计一般认为MOSFET是电压驱动的,不需要驱动电流。然而,在MOS的G、S两级之间有结电容存在,这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。 如果不考虑纹波和EMI等要求的话,MOS管开关速度越快越好,因为开关时间越短,开关损耗越小,而在开关电源中开关损...

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    www.kiaic.com/article/detail/2344.html         2020-09-18

  • 保护板MOS管烧坏-保护板MOS测试裂开或烧毁原因-KIA MOS管

    保护板MOS管烧坏,锂电池保护板测试时MOS管裂开不会烧毁,可能是因为过充或是温度过高导致的,需要重新焊接MOS管。锂电池保护板测试关系着保护板的性能和电池的使用安全,是很重要的一个环节。

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    www.kiaic.com/article/detail/2343.html         2020-09-18

  • MOS管和三极管区别-分析MOS管和三极管原理图对比-KIA MOS管

    MOS管和三极管原理图并不复杂,但是分开讲述细节,反而不如对比起来容易理解。这里用一张图,让您轻松理解MOS管和三极管的工作原理。

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    www.kiaic.com/article/detail/2342.html         2020-09-17

  • MOS管开关电路图(八款MOS管开关电路图设计​)KIA MOS管

    MOS管开关电路是指具有“接通”和“断开”两种状态的电路。输入、输出信号具有两种状态的电路就是一种开关电路。逻辑门电路、双稳态触发器也都是开关电路。 开关电路的原理是由开关管和PWM(Pulse Width ModulaTIoon)控制芯片构成振荡电路,产生高频脉冲。将高...

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    www.kiaic.com/article/detail/2341.html         2020-09-17

  • 小电流 低内阻MOS管型号-KIA30N03B 30A30V规格书 原厂供货-KIA MOS管

    小电流MOS管 KIA30N03B 30A/30V特征:RDS(on)=15m?@VDS=30V高单元密度沟槽技术超低门电荷优异的Cdv/dt效应下降100%EAS保证绿色设备可用

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    www.kiaic.com/article/detail/1497.html         2020-09-16

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