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以840的参数计算,假定门极电压10V,那么电容量为63nC/10V=6.3nF。与10千欧放电电阻时间常数为63us。但是,不是经过一个时间常数之后MOS管就关断了,而是门极电压下降到Vg(th)以下MOS管才会关断。这段时间与MOS管型号有关,与门极充电达到的电压有关(实际上门极...
www.kiaic.com/article/detail/2334.html 2020-09-16
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MOS管烧坏的原因Mos管主要损耗也对应这几个状态,开关损耗(开通过程和关断过程),导通损耗,截止损耗(漏电流引起的,这个忽略不计),还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mos承受规格之内,mos即会正常工作,超出承受范围,即发生损坏。而开关损耗往往大...
www.kiaic.com/article/detail/2338.html 2020-09-16
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逆变器mos管发热严重?由于逆变器的场效应管管耗较大,工作时一般要求要外接面积足够大的散热片,并且外接散热片与场效应管自身散热片之间应紧密接触(一般要求涂抹导热硅脂),若外接散热片较小或与场效应管自身散热片接触不够紧密,皆可导致管子发热。
www.kiaic.com/article/detail/2339.html 2020-09-16
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MOS管损坏有五种原因(1)雪崩破坏(2)器件发热损坏(3)内置二极管破坏、(4)由寄生振荡导致的破坏(5)栅极电涌、静电破坏。如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压,而且达到击穿电压V(BR)DSS(根据击穿电流其值不同),并超出一定的能量后就发...
www.kiaic.com/article/detail/2340.html 2020-09-16
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MOS管导通损耗的计算公式为:P=I^2R= Rdson* Iqsw* IqswD= 20x20x61.8/12=0.36W
www.kiaic.com/article/detail/2333.html 2020-09-15
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功率MOSFET-Vdss温度特性分析,由图可知MSOFET耐压随温度升高而增加。 为什么MSOFET的VDS耐压随温度升高而增加,即呈现正温度系数呢?
www.kiaic.com/article/detail/2336.html 2020-09-15
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判断场效应管工作区域,下面先讲述MOS管场效应管的四个区域:1)可变电阻区(也称非饱和区):满足Ucs》Ucs(th)(开启电压),uDs《UGs-Ucs(th),为图中预夹断轨迹左边的区域其沟道开启。2)恒流区(也称饱和区、放大区、有源区):满足Ucs≥Ucs(h)且Ubs...
www.kiaic.com/article/detail/2332.html 2020-09-11
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2020年MOS管即将火爆的电子应用在哪些领域,提供功率MOSFET的型号选型及应用问题分析以及AC-DC,DC-DC电源IC方案型号推荐---场效应管MOS管在2020年即将爆发的十大电子应用在哪个领域呢?详情请查看文章具体内容
www.kiaic.com/article/detail/2331.html 2020-09-10
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MOS管 100A 30V参数详情 优质品牌 技术支持 免费送样,MOS管 100A 30V产品特性:RDS(on)=3.2mΩ@VGS=10V采用CRM(CQ)先进沟槽MOS技术极低通阻RDS(on)符合JEDEC标准
www.kiaic.com/article/detail/2330.html 2020-09-10
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年轻的应用工程师 Neubean 想通过实验证明,为了获得稳定性,是不是真的必须把一个 100 Ω 的电阻放在 MOSFET 栅极前。MOSFET,金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。MOSFET依照其“通道...
www.kiaic.com/article/detail/2329.html 2020-09-09
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元器件是电子元件和小型的机器、仪器的组成部分,其本身常由若干零件构成,可以在同类产品中通用;常指电器、无线电、仪表等工业的某些零件,是电容、晶体管、游丝、发条等电子器件的总称。器件选型时,这几个通识的基础知识必须掌握,器件选型的思考的深度和广...
www.kiaic.com/article/detail/2328.html 2020-09-09
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导体中的自由电荷在电场力的作用下做有规则的定向运动就形成了电流。电学上规定:正电荷定向流动的方向为电流方向。工程中以正电荷的定向流动方向为电流方向,电流的大小则以单位时间内流经导体截面的电荷Q来表示其强弱,称为电流强度。
www.kiaic.com/article/detail/2327.html 2020-09-08
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DC/DC 开关电源控制器的MOSFET选择是一个复杂的过程。仅仅考虑MOSFET的额定电压和电流并不足以选择到合适的MOSFET。要想让 MOSFET 维持在规定范围以内,必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中,这种情况会变得更加复杂。
www.kiaic.com/article/detail/2326.html 2020-09-08
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MOSFET导通过程详解,MOSFET简称金氧半场效晶体管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称...
www.kiaic.com/article/detail/2325.html 2020-09-04