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MOS管 KNX3108A 110A/80V参数规格书 原装正品 原厂直销-KIA MOS管
MOS管 KNX3108A 110A/80V参数规格书 原装正品 原厂直销，深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体有强大的研发平台，使得KI...www.kiaic.com/article/detail/2192.html 2020-05-08
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碳化硅MOSFET优势分析 具体有哪些优势详解-KIA MOS管
碳化硅MOSFET有哪些优势，图中是1200V HighSpeed3 IGBT(IGW40N120H3) 与CoolSiC? MOSFET (IMW120R045M1) 在同一平台下进行开关损耗的对比测试结果。母线电压800V, 驱动电阻RG=2.2Ω，驱动电压为15V/-5V。使用1200V/20A G5 肖特基二极管 IDH20G120C5作为续流二...www.kiaic.com/article/detail/2191.html 2020-05-08
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MOS管击穿 你了解几种-MOS管击穿分析-KIA MOS管
MOS管击穿有哪些?场效应管的三极：源级S 漏级D 栅级G。先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看，它的漏电通道有三条：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。www.kiaic.com/article/detail/2189.html 2020-05-07
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MOS管源极和漏极是否能互换使用-三极管和MOS做开关时有何区别-KIA MOS管
MOS管源极和漏极是否能互换使用，MOS管的衬底B与源极如果不连在一起，则D、S极可以互换，但有的MOS管由于结构上的原因（即衬底B与源极S连在一起），其D、S极不能互换。作开关管用的场效应管，一般都是功率型NMOS管，就属于这种特例。对于增强型NMOS管，从其转移...www.kiaic.com/article/detail/2190.html 2020-05-07
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220v接触器实物接线图说明及交流接触器接线方法、工作原理等详解-KIA MOS管
220v接触器实物接线图，温控器电源直接220伏，常闭触点【超温断开触点】串联到控制回路中。另图中NO为常开，NC为常闭。补充：如果不接开关按钮而用温控器直接控制的话，电源零线接A1，火线经过温控仪的超温断开触点【常闭】接到A2即可，这样通电即可加热，设定...www.kiaic.com/article/detail/1229.html 2020-05-06
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MOSFET厂家-MOS管原厂专业生产厂家-原装正品保证-KIA MOS管
MOSFET厂家介绍，深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。KIA半导体现已经拥有了独立的研发中心，研发人员以来自韩国(台湾)超一流团队...www.kiaic.com/article/detail/1984.html 2020-05-06
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怎样理解场效应管参数 解读MOS管参数-KIA MOS管
怎样理解场效应管参数 解读MOS管参数，场效应管参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时只需关注以下主要参数：饱和漏源电流IDSS、夹断电压UP（结型管和耗尽型绝缘栅管）或开启电压UT（增强型绝缘栅管）、跨导gm漏源击穿电压BUDS、最大耗散功...www.kiaic.com/article/detail/2185.html 2020-04-29
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为什么MOS管饱和区沟道夹断了还有电流及饱和区电流公式详解-KIA MOS管
为什么MOS管饱和区沟道夹断了还有电流及饱和区电流公式详解，随着漏源电压不断增大，当达到夹断电压时，沟道厚度在漏极处减薄为零，沟道在漏极处消失，该处只剩下耗尽层，这是所谓的夹断；漏源电压继续增大，沟道的夹断点向源极方向运动，那么在沟道和漏极之间...www.kiaic.com/article/detail/2187.html 2020-04-29
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MOS管 KNX4890A 9A/900V参数详情 免费送样 原厂直销-KIA MOS管
MOS管 KNX4890A 9A/900V参数详情 免费送样 原厂直销，MOS管 KNX4890A 9A/900V产品特征：1、专用的新平面工艺技术2、RDS(ON),typ.=1.2Ω@VGS=10V3、低栅极电荷最小化开关损耗4、快恢复体二极管www.kiaic.com/article/detail/2186.html 2020-04-28
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一种智能的碳化硅MOSFET驱动核及驱动要求与特性详解-KIA MOS管
一种智能的碳化硅MOSFET驱动核及驱动要求与特性详解-KIA MOS管，在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。www.kiaic.com/article/detail/2183.html 2020-04-27
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MOS管 KCX3008A 120A/85V规格书下载 SGT工艺 免费送样-KIA MOS管
MOS管 KCX3008A 120A/85V规格书下载 SGT工艺 免费送样，MOS管 KCX3008A 120A/85V产品特点：1、采用先进的SGT工艺技术2、Extremely low RDS(on).typ=4.5mΩ@Vgs=10V3、极好的门电荷xRDS（on）产品（FOM）www.kiaic.com/article/detail/2184.html 2020-04-27
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搞懂MOS管半导体结构及如何制造详解-KIA MOS管
MOS管作为半导体领域最基础的器件之一，无论是在IC 设计里，还是板级电路应用上，都十分广泛。MOS管一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source（源极）和drain（耗尽层）...www.kiaic.com/article/detail/2182.html 2020-04-26
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MOS管半导体-MOS管选型及测量方法-KIA MOS管
MOS管的英文全称叫MOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应管中的绝缘栅型。MOS管的一般应用在工作电流都比较大电路中，除了上述参数外，要注意器件本身的散热情况设计不当时，很容易过热烧毁...www.kiaic.com/article/detail/2181.html 2020-04-24
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MOS管电压型静电击穿分析 MOS管原厂专业制造-KIA MOS管
今天主要讲MOS管电压型静电击穿特点。其实MOS管是一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。而静电击穿有两种方式，电压型及功率型。www.kiaic.com/article/detail/2180.html 2020-04-24