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MOS管电压型静电击穿分析 MOS管原厂专业制造-KIA MOS管
今天主要讲MOS管电压型静电击穿特点。其实MOS管是一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。而静电击穿有两种方式，电压型及功率型。www.kiaic.com/article/detail/2180.html 2020-04-24
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mos管漏电流与VGS的关系及MOSFET栅漏电流噪声分析-KIA MOS管
mos管漏电流与VGS的关系及MOSFET栅漏电流噪声分析，至此，所考虑的MOS晶体管的工作，都是栅极—源极间电压VGS比阈值电压VT大时的状况。当VGS比VT大很多时，在栅氧化膜下方构成反型层（沟道），在漏极-源极间有电流活动，这种状态称为强反型状态。但是，即便MOS...www.kiaic.com/article/detail/2179.html 2020-04-23
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MOS管发热异常总结 排查原因优化设备运行-KIA MOS管
MOS管发热异常总结 排查原因优化设备运行，在电路设计的时候常常会发生MOS管发热的情况，而MOS管发热说明了它正在错误运行。为了避免MOS管发热危害到整体设备的运行，所以在再次运行之前需要先排查出MOS管发热的原因。MOS管发热无非是这几种情况，本文主要是给...www.kiaic.com/article/detail/2178.html 2020-04-22
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MOS管与三极管区别-三极管与MOS管如此相似 能替换使用吗-KIA MOS管
MOS管与三极管作用相似的地方太多，所以常常会有客户问到能不能使用三极管来替代MOS管？今天我们就为大家分享一下MOS管与三极管的区别及是否可以替代？实际上，mos管叫场效应管，mos管和三极管不能直接代换，因它们的工作机理不一样。mos管是电压控制器件而三极...www.kiaic.com/article/detail/2176.html 2020-04-21
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碳化硅mosfet结构特征-应用优势与Si MOSFET对比分析-KIA MOS管
在碳化硅mosfet的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。碳化硅mosfet（SiC MOSFET）N+源区和P井掺杂都是采用离子注入的方式，在1700℃温...www.kiaic.com/article/detail/2177.html 2020-04-21
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MOS管选型-新手该如何选择高性能的MOS管器件-KIA MOS管
新手该如何选择高性能的MOS管器件？MOS管一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source（源极）和drain（耗尽层）是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数...www.kiaic.com/article/detail/2175.html 2020-04-20
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华强电子元器件网-电子元件原材料采购平台-一站式交易-KIA MOS管
华强电子元器件网作是华强集团商贸物流产业的重要组成部分，由深圳华强电子交易网络有限公司担纲运营。 它是国内辐射实体专业市场以及电子元器件商户最多的电子交易平台，是一个以信息交换为基础，以推动交易实现为宗旨的B2B开放式信息互联商务平台。华强电子元...www.kiaic.com/article/detail/1245.html 2020-04-20
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VMOS管-VMOS管检测方法有哪些及注意事项-KIA MOS管
VMOS管检测，vmos管全称V-groove metal-oxide semiconductor，或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。vmos管是什么，根据结构的不同，vmos管分为两大类：VMOS管，即垂直导电V形槽MOS管；VDMOS管，即垂直导电双扩散MOS管。www.kiaic.com/article/detail/2174.html 2020-04-17
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一款性能优异的MOS管产品 可以应用到哪些地方-KIA MOS管
一款性能优异的MOS管产品 可以应用到哪些地方，MOS管，是MOSFET的缩写。MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管。一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管...www.kiaic.com/article/detail/2173.html 2020-04-17
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MOS管逆变器领域 IRF840替代KNF6450A规格书 参数等详情-KIA MOS管
MOS管IRF840替代产品KNF6450A，在逆变器领域的应用。逆变器是把直流电能（电池、蓄电瓶）转变成定频定压或调频调压交流电（一般为220V,50Hz正弦波）的转换器。它由逆变桥、控制逻辑和滤波电路组成。广泛适用于空调、家庭影院、电动砂轮、电动工具、缝纫机、DVD...www.kiaic.com/article/detail/2172.html 2020-04-16
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盘点MOS管检测好坏的五大应用方法分析-KIA MOS管
盘点MOS管检测好坏的五大应用方法，MOS管是金属—氧化物-半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。...www.kiaic.com/article/detail/2167.html 2020-04-15
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功率放大器电路图-功率放大器工作原理与组成等详解-KIA MOS管
功率放大器电路图是本文主要讲的内容，我们先来看看什么是功率放大器。功率放大器（英文名称：power amplifier），简称“功放”，是指在给定失真率条件下，能产生最大功率输出以驱动某一负载（例如扬声器）的放大器。功率放大器在整个音响系统中起到了“组织、...www.kiaic.com/article/detail/2168.html 2020-04-15
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MOS管和三极管控制区别-MOS管和三极管在功能上的区别-KIA MOS管
本文主要讲MOS管和三极管在控制上的区别及MOS管和三极管在功能上的区别。我们为什么经常看到在使用单片机I/O口驱动MOS管时，不是使用单片机I/O口直接驱动，而是经过一级三极管，使用三极管驱动MOS管。www.kiaic.com/article/detail/2166.html 2020-04-14
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IGBT主要参数-IGBT的测试方法及与mosfet的对比分析-KIA MOS管
IGBT绝缘栅双极型晶体管模块是场效应晶体管（MOSFET）和电力晶体管（GTR）相结合的产物。它具有输入阻抗高、驱动功率小、开关损耗低、温度特性好以及开关频率高等特点。它比GTR（或BJT）更为新颖。IGBT模块的击穿电压已达到1200V，集电极最大饱和电流已超过150...www.kiaic.com/article/detail/2165.html 2020-04-13