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广东可易亚半导体科技有限公司

结果: 找到相关主题 5220 个

  • sod123封装尺寸与1206,sod123和323的区别-KIA MOS管

    SOD-123封装尺寸与1206封装尺寸是对应的。1206封装尺寸为1.2mm×1.6mm，对应二极管SOD-123封装。sod323长度比sod123短1.0毫米，宽度短0.3毫米，高度短0.1毫米。

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    www.kiaic.com/article/detail/5526.html         2025-03-03

  • 怎么判断晶体管的引脚?晶体管三个管脚-KIA MOS管

    使用两个万用表，一个测量基极与发射极之间的电阻值，一个测量基极与集电极之间的电阻值，通过判断电阻值的变化来确定管脚的正负极性以及集电极、基极、发射极的连接情况。

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    www.kiaic.com/article/detail/5524.html         2025-02-28

  • 大功率电源切换,11A 350V,KIA6035AD场效应管参数-KIA MOS管

    KIA6035AD场效应管漏源击穿电压350V，漏极电流11A；采用先进的平面条纹DMOS技术，最大限度地减少导通电阻，导通电阻RDS(开启) 0.38Ω，降低功耗、提升效率；在雪崩和换向模式下承受高能脉冲，低栅极电荷、高坚固性、指定的雪崩能量和改进的dv/dt能力，实现快速...

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    www.kiaic.com/article/detail/5522.html         2025-02-27

  • 低通滤波电路详解，rc低通滤波电路图-KIA MOS管

    低通滤波电路可使低频信号较少损失地传输到输出端，使高频信号得到有效抑制。低通滤波(Low-pass filter) 是一种过滤方式，规则为低频信号能正常通过，而超过设定临界值的高频信号则被阻隔、减弱。

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    www.kiaic.com/article/detail/5520.html         2025-02-27

  • 5n50mos管,500v5a,KIA5N50SY场效应管参数,原厂现货-KIA MOS管

    KIA5N50SY场效应管漏源击穿电压高达500V，漏极电流5A，低导通电阻RDS(开启) 1.35Ω，最大限度地减少导电损耗，高效低耗?；坚固的高压端接、指定雪崩能量、源极到漏极二极管的恢复时间可与分立快速恢复二极管相媲美，低电荷、低反向传输电容，?开关速度快；?...

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    www.kiaic.com/article/detail/5519.html         2025-02-26

  • 电阻率的单位,电阻率的单位换算详解-KIA MOS管

    导体的电阻R跟它的长度L、电阻率ρ成正比，跟它的横截面积S成反比，这个规律就叫电阻定律(law of resistance)，公式为R=ρL/S 。其中ρ为制成电阻的材料的电阻率，L为绕制成电阻的导线长度，S为绕制成电阻的导线横截面积，R为电阻值。

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    www.kiaic.com/article/detail/5518.html         2025-02-26

  • MOS管反向击穿电压,二极管反向电压抑制-KIA MOS管

    添加反向并联二极管：在MOS管的源极和漏极之间，加入一个反向并联二极管，可以巧妙地抑制二极管反向电压。当漏极电压为负值时，这个二极管会导通，从而将漏极电压限制在反向击穿电压以下，保护MOS管免受损害。

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    www.kiaic.com/article/detail/5517.html         2025-02-26

  • 电机控制器mos,80a40v mos,KNG3404D场效应管-KIA MOS管

    电机控制器mos管KNG3404D漏源击穿电压40V，漏极电流80A，采用先进的沟槽技术，具有良好的稳定性及抗冲击能力；极低导通电阻RDS(开启) 4.4mΩ，最大限度地减少导电损耗，降低功耗、提升效率；具有低Crss、改进的dv/dt能力，实现快速切换；经过100%雪崩测试，坚固...

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    www.kiaic.com/article/detail/5516.html         2025-02-25

  • 电工公式大全,常用的电工公式分享-KIA MOS管

    欧姆定律：R=U/I电阻（R）等于电压（U）除以电流（I），这是电工学的基石。电功率公式电流在单位时间内做的功叫做电功率。是用来表示消耗电能的快慢的物理量，用P表示，它的单位是瓦特（Watt），简称"瓦"，符号是W。

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    www.kiaic.com/article/detail/5515.html         2025-02-25

  • dip封装和sop封装尺寸,区别,封装图-KIA MOS管

    尺寸和空间占用：SOP封装比DIP封装更小，占用的空间更少，更适合现代电子设备的小型化趋势。引脚数量和排列：SOP封装可以容纳更多的引脚，并且引脚排列更紧凑，而DIP封装的引脚数量较少，排列较为分散。

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    www.kiaic.com/article/detail/5514.html         2025-02-25

  • bms专用mos,2803mos管,30v150a,KNB2803S场效应管参数-KIA MOS管

    KNB2803S场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，极低导通电阻RDS(开启) 2.0mΩ，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；具有低Crss、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力、开关速度快；确保应用系统的高效性、可靠性和安全性；2803mos管?适用于逆变器、BM...

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    www.kiaic.com/article/detail/5513.html         2025-02-24

  • mos管静电击穿原因,mos管防静电措施-KIA MOS管

    绝缘层薄，承受高电压的能力差。高输入阻抗使其对电压变化敏感。静电放电会在短时间内施加过高的电压，导致绝缘层击穿。

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    www.kiaic.com/article/detail/5512.html         2025-02-24

  • 光耦关键参数,光耦主要参数有哪些？-KIA MOS管

    反向电流IR：在被测管两端加规定反向工作电压VR时，二极管中流过的电流。反向击穿电压VBR：被测管通过的反向电流IR为规定值时，在两极间所产生的电压降。

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    www.kiaic.com/article/detail/5511.html         2025-02-24

  • 30V100A MOS管,3203场效应管,KND3203B参数资料-KIA MOS管

    KND3203B场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流100A；采用CRM（CQ）先进的沟槽MOS技术，极低导通电阻RDS(开启) 3.1mΩ，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；优秀的QgxRDS（on）产品性能，符合JEDEC标准，开关速度快、内阻低，稳定可靠；适用于开关电源、家电控制板...

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    www.kiaic.com/article/detail/5510.html         2025-02-21

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