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混合集成电路定义,混合集成电路包括哪些？-KIA MOS管
混合集成电路是一种将不同技术制造的电子元件(如半导体器件、陶瓷器件、电阻、电容等)集成在同一基板上,通过金属线或焊接连接这些元件以实现功能电路。混合集成电路在基片上用成膜方法制作厚膜或薄膜元件及其互连线，并在同一基片上将分立的半导体芯片、单片集...www.kiaic.com/article/detail/5509.html 2025-02-21
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mos管米勒平台形成原因,米勒平台改善-KIA MOS管
当MOSFET从截止区经过放大区转到可变电阻区时，对应其开通过程（反之为关断过程）。在放大区内，由于米勒效应，随着Vds下降，CGD电容显著增大。因此，给CGD电容充电的过程导致了米勒平台。www.kiaic.com/article/detail/5508.html 2025-02-21
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2908mos管,2908场效应管,80v130a,KNH2908B参数资料-KIA MOS管
KNH2908B场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流130A；采用先进的沟槽技术，低RDS（ON）的高密度电池设计，极低导通电阻RDS(开启) 5.0mΩ，最大限度地减少导电损耗；低栅极电荷、完全表征雪崩电压和电流、稳定性和均匀性好，EAS高；性能优越，确保应用高效稳定，适...www.kiaic.com/article/detail/5507.html 2025-02-20
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pmos电流方向,pmos工作区分析-KIA MOS管
当PMOS工作时，电流从S极（源极）流向D极（漏极），由于PMOS以空穴为主要载流子，电流的实际方向与电子流动方向相反。漏极通常接较低的电位（例如接地或负电源），使得电流可以从源极流向漏极。www.kiaic.com/article/detail/5506.html 2025-02-20
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pfc电路图及其原理,典型PFC电路-KIA MOS管
PFC电路是对输入电流的波形进行控制，使其与输入电压波形同步，提高功率因数，减少谐波含量，是能够解决因容性负载导致电流波形严重畸变而产生的电磁干扰(EMl)和电磁兼容(EMC)问题。功率因数是指有功功率与视在功率（总耗电量）的比值。当功率因数越大，电力利...www.kiaic.com/article/detail/5505.html 2025-02-20
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3404mos管,3404场效应管,80a40v,KND3404C参数资料-KIA MOS管
KND3404C场效应管漏源击穿电压40V，漏极电流80A；采用先进的高单元密度沟槽技术，极低的导通电阻RDS(开启) 5.0mΩ，最大限度地减少导电损耗；具有出色的RDSON和栅极电荷，高效率低损耗；以及出色的Cdv/dt效应下降、符合RoHs和绿色产品要求、100%EAS保证，稳定可...www.kiaic.com/article/detail/5504.html 2025-02-19
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mos管的工作原理浅显易懂,图文分享-KIA MOS管
当栅-源电压VGS=O时，即使加上漏-源电压VDS，总有一个PN结处于反偏状态，漏-源极间没有导电沟道（没有电流流过），所以这时漏极电流ID=0。www.kiaic.com/article/detail/5503.html 2025-02-19
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电流磁效应是什么,电流磁效应和电磁感应的区别-KIA MOS管
?电流的磁效应?：只需要导线中有电流通过，就会产生磁场。磁场的方向与电流的方向有关，可以通过安培定则（右手螺旋定则）来判断。?电磁感应?：产生电磁感应现象的条件有两点，缺一不可：一是电路必须是闭合的；二是穿过闭合电路的磁通量必须发生变化。www.kiaic.com/article/detail/5502.html 2025-02-19
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68v80a控制器,3306场效应管,KNB3306B参数引脚图-KIA MOS管
锂电池保护板专用MOS管KNB3306B漏源击穿电压68V，漏极电流80A，低导通电阻RDS(on)=7mΩ@VGS=10V，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；3306场效应管开关速度快、耐冲击特性好、高雪崩电流，高效稳定；无铅绿色设备，环保可靠，在无刷电机、逆变器、控制器...www.kiaic.com/article/detail/5501.html 2025-02-18
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gidl效应,栅极诱导漏极泄露电流原因及解决-KIA MOS管
在亚阈值区，当漏端电压较大时，靠近栅极的漏端处会形成一个小的耗尽区。在此区域内，电场作用下会产生陷阱辅助的载流子，从而引发栅诱导的漏极泄露电流。当电场足够大时，甚至可以直接发生带间隧穿（T-BTBT）。www.kiaic.com/article/detail/5500.html 2025-02-18
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防反接保护电路,防反接电路原理图分享-KIA MOS管
当输入电源大于MOS管VGS最大电压，应增加D7稳压管防止电源电压过高击穿mos管。当电源正确接入时。电流的流向是从Vin到负载，在通过NMOS到GND。刚上电时因为NMOS管的体二极管存在，地回路通过体二极管接通，后续因为Vgs大于VGS门限电压，MOS管导通。www.kiaic.com/article/detail/5499.html 2025-02-18
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led mos,130a150v场效应管,KNP2915A参数引脚图-KIA MOS管
LED电源专用MOS管KNP2915A漏源击穿电压150V，漏极电流130A；采用先进的沟槽技术，极低的导通电阻RDS(开启) 10mΩ；卓越的低Rds开启、低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，高效低耗；符合JEDEC标准，稳定可靠；适用于电机控制和驱动、电池管理、UPS（不间断电源...www.kiaic.com/article/detail/5498.html 2025-02-17
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mos管选型注重的参数,mos管主要参数-KIA MOS管
确定电路中可能出现的最大电压。MOS管的VDSS应大于电路中的最大电压，一般要留出一定的余量，通常为电路最大电压的1.5倍至 2倍，以确保在任何情况下MOS管都不会被击穿。www.kiaic.com/article/detail/5497.html 2025-02-17
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mosfet和igbt的优缺点,mosfet和igbt区别-KIA MOS管
MOSFET高频特性好，可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz，缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大；而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越，其导通电阻小，耐压高。www.kiaic.com/article/detail/5496.html 2025-02-17