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栅极电压和漏极电压,mos管栅极和漏极-KIA MOS管
栅极电压（Vgs）：栅极电压是指施加在栅极与源极之间的电压。该电压用于控制MOS管的导通与截止。当Vgs大于MOS管的阈值电压（Vth）时，MOS管导通；当Vgs小于或等于Vth时，MOS管截止。www.kiaic.com/article/detail/5307.html 2024-11-11
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开漏Open-drain和推挽push-pull详解-KIA MOS管
开漏电路是指以MOSFET的漏极为输出的电路，在内部输出和地之间有个N沟道的MOSFET（Q1），这些器件可以用于电平转换的应用。输出电压由Vcc决定。www.kiaic.com/article/detail/5306.html 2024-11-11
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电机控制专用mos管,3250场效应管,KCM3250A参数引脚图-KIA MOS管
KCM3250A场效应管漏源电压500V，漏极电流100A，导通电阻RDS（ON）26mΩ，采用先进的端接方案来提供增强的电压阻断能力，而不会随着时间的推移降低性能；坚固的高压端接、指定雪崩能量，稳定可靠，以及高温下规定的IDSS和VDS（ON）、隔离安装孔减少了安装硬件，...www.kiaic.com/article/detail/5305.html 2024-11-08
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热敏电阻测温电路,NTC测温电路-KIA MOS管
NTC热敏电阻器就是负温度系数热敏电阻器，即就是电阻值随着温度上升而迅速下降，因此可以利用这个特性来测量温度。www.kiaic.com/article/detail/5304.html 2024-11-08
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24v开关电源原理电路图分享-KIA MOS管
振荡电路图中开关变压器N1侥组Q1的漏源极，以及电阻R2作为电源工作电流回路；启动电路由D3，D4和C5组成，它们提供“瞬间”启动电流，D2吸收反向电压，电路起振后，由N2，D2，C5整流滤波电路，提供U1芯片的供电电压。www.kiaic.com/article/detail/5303.html 2024-11-08
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79l05引脚图和参数,79l05稳压管,KIA79L05规格书资料-KIA MOS管
KIA79L05系列三端稳压器具有多种固定输出电压，适用于需要高达100mA稳压电源的多种应用，可用于逻辑系统、仪器仪表、HiFi和其他固态电子设备；电路接管防止IC过热。79L05稳压管可用作齐纳二极管/电阻器组合的替代品，在电路中起到稳定电压的作用，并降低静态电...www.kiaic.com/article/detail/5302.html 2024-11-07
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开关电源适配器电路图,电源适配器原理图-KIA MOS管
在开关管VT饱和导通期间，C1正极的直流电压Ui经过L→VT→C2正极→C2负极充电。一方面使C2两端建立直流电压，另一方面使储能电感L中的磁能不断增大。当开关管VT截止期间，L感应出左负、右正的电压，则L中的磁能经续流二极管VD向C2及负载释放。www.kiaic.com/article/detail/5301.html 2024-11-07
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mos管不能完全关断原因,mos管关不断解决-KIA MOS管
mos管不能完全关断可能由多种原因造成，如驱动电压不足、栅极电阻过大、温度过高等。?漏电流?：MOSFET存在漏电流，即使是在关断状态下，仍然会有微小的电流流过，导致无法完全关断。?负载影响?：后端负载的静态功耗很低时，MOSFET的漏电流会在负载上产生电...www.kiaic.com/article/detail/5300.html 2024-11-07
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转换器控制器mos管,500v场效应管,KCX3650A参数引脚图-KIA MOS管
KCX3650A场效应管漏源电压500V，漏极电流60A，导通电阻RDS（ON）50mΩ，采用先进的端接方案来提供增强的电压阻断能力，而不会随着时间的推移降低性能；坚固的高压端接、指定雪崩能量，稳定可靠，以及高温下规定的IDSS和VDS（ON）、隔离安装孔减少了安装硬件，还...www.kiaic.com/article/detail/5299.html 2024-11-06
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sop8和soic8封装,sop8和soic8的区别-KIA MOS管
SOP-8（Small Outline Package）和SOIC-8（Small Outline Integrated Circuit）都是常见的集成电路封装类型，它们都具有8个引脚，适用于表面贴装技术。在尺寸和引脚间距上，它们通常非常相似，常见的引脚间距都是1.27mm。www.kiaic.com/article/detail/5298.html 2024-11-06
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mos管的传输特性,传输特性曲线介绍-KIA MOS管
开启电压（VT）?：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压。标准的N沟道MOS管的开启电压约为3～6V，通过工艺改进可以使VT值降到2～3V。www.kiaic.com/article/detail/5297.html 2024-11-06
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60r070,60R070场效应管,KIA60R070HS参数中文资料-KIA MOS管
KIA60R070HS场效应管采用先进技术特别定制，可最大限度地减少导电损失，提供卓越的开关性能，并能够承受雪崩和换向模式的高能脉冲，非常适合AC/DC功率转换开关模式操作或更高效率。60R070漏源电压600V，漏极电流47A，导通电阻RDS（ON）60mΩ，低栅极电荷（典型...www.kiaic.com/article/detail/5296.html 2024-11-05
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线性电路的叠加定理详细分析-KIA MOS管
线性电阻是一条过原点的直线，如下图中绿色线所示，该直线上各点的斜率（电阻）相等；非线性电阻则不然，如图所示红色线，是一条半导体二极管元件的伏安特性曲线，该直线上各点的斜率（电阻）不相等，也就是说其电阻值随外加电压、电流值改变而改变（非线性电阻...www.kiaic.com/article/detail/5295.html 2024-11-05
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移相全桥拓扑原理图,移相全桥电路-KIA MOS管
移相全桥拓扑是一种用移相控制方式的DC-DC变换器拓扑结构。它利用功率器件的结电容和谐振电感的谐振，实现恒频软开关操作，从而有效降低开关损耗，提高转换效率，减小装置体积。www.kiaic.com/article/detail/5294.html 2024-11-05