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专业功放电路图,功放电路原理图-KIA MOS管
射频信号(RF)由3脚输入，经过前置放大器、末级功率放大器放大后由10、11脚输出。3脚与内部放大器直接耦合，其外加一个隔直耦合电容，3脚输入阻抗为50Ω，但确切的阻抗值由1脚外接的内部级间匹配网络决定。www.kiaic.com/article/detail/5282.html 2024-10-30
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16n50参数及代换,KIA16N50H场效应管参数,中文资料-KIA MOS管
KIA16N50H场效应管漏源电压500V，漏极电流16A，出色的导通电阻RDS（ON）0.32Ω；低栅极电荷（典型值45nC），最小化开关损耗，具有快速切换能力、指定雪崩能量、改进的dv/dt能力，稳定可靠；在储能电源中广泛应用，提供卓越的开关性能；还热销于高效开关电源、有...www.kiaic.com/article/detail/5281.html 2024-10-29
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无线发射接收电路设计,电路原理图-KIA MOS管
电路四发射管V1及外围元件C1、C2、L1、L2等构成频率为265MHz超高频发射电路，通过环形天线L2向空中发射。天线L2采用镀银线或直径为1.5mm的漆包线，天线尺寸为24mm（长）X9mm（高）。三极管V1选用高频发射管BE414或2SC3355。www.kiaic.com/article/detail/5280.html 2024-10-29
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理想电压源和理想电流源等效互换-KIA MOS管
理想电压源和理想电流源可以等效互换吗？理想电压源和理想电流源之间不能进行等效变换，因为它们的工作原理和特性不同。理想电压源的内阻为零，而理想电流源的内阻为无穷大，这使得它们无法通过简单的变换来实现等效互换。www.kiaic.com/article/detail/5279.html 2024-10-29
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储能电源场效应管,600vmos管,KIA10N60H参数资料-KIA MOS管
储能电源场效应管KIA10N60H漏源电压600V，漏极电流9.5A，出色的导通电阻RDS（ON）0.6Ω；低栅极电荷（典型值44nC），最小化开关损耗，具有快速切换能力、指定雪崩能量、改进的dv/dt能力，稳定可靠；KIA10N60H专为高压、高速功率开关应用设计，如高效开关电源、...www.kiaic.com/article/detail/5278.html 2024-10-28
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led恒流调光电路,恒流调光电路原理-KIA MOS管
通过控制电路中的电流，使其保持恒定，从而实现对LED灯泡亮度的调节。LED在工作时会产生大量热量，因此通常使用铝基板作为底板，并使用稳压二极管来确保电流的恒定?。www.kiaic.com/article/detail/5277.html 2024-10-28
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二极管的整流原理,二极管怎么整流的-KIA MOS管
半波整流电路只利用了交流信号的正半周或负半周，通过一个二极管将其转化为单向的直流信号。当输入信号的正半周时，二极管正向导通；当输入信号的负半周时，二极管反向截止。通过这种方式，只有正半周的信号被保留，而负半周的信号被过滤掉，从而实现了半波整流...www.kiaic.com/article/detail/5276.html 2024-10-28
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锂电池保护板mos管,30v7.5a,KIA7P03A场效应管参数-KIA MOS管
锂电池保护板mos管KIA7P03A是一款高单元密度P沟道MOSFET，漏源电压-30V，漏极电流-7.5A，出色的导通电阻RDS（ON）18mΩ；具有超低的栅极电荷，最小化开关损耗，具有出色的Cdv/dt效应下降，绿色环保材料，稳定可靠；封装形式：SOP-8，适用于各种应用场景，高效低...www.kiaic.com/article/detail/5275.html 2024-10-25
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结型场效应管偏置方式,JFET偏置电路-KIA MOS管
在自偏置技术中，在源极引脚上添加了一个电阻器。源极电阻器 R2 上的电压降产生 V GS以偏置电压。在这种技术中，栅极电流再次为零。源电压由相同的欧姆定律决定 V = I x R。因此源电压 = 漏极电流 x 源电阻。现在，可以通过栅极电压和源极电压之间的差异来确定...www.kiaic.com/article/detail/5274.html 2024-10-25
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12v转220v逆变器电路,逆变器原理图-KIA MOS管
在通电源的一瞬间，对三极管Q1来说，集电极也就是原理图中的A点是和电源正极相连，同样对于B点也就是基极是隔着一个大功率电阻和电源正极相连，所以他满足三极管导通条件。www.kiaic.com/article/detail/5273.html 2024-10-25
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逆变器场效应管,500vmos管,KNF7650A参数,原厂现货-KIA MOS管
逆变器场效应管KNF7650A采用高级平面工艺制造，加固多晶硅栅极结构，能够提升设备性能，提高系统效率；KNF7650A漏源电压500V，漏极电流25A，RDS（ON）为170mΩ；低栅极电荷最小化开关损耗，稳定可靠；是一款高效开关电源、调光器模块、逆变器专用MOS管；封装形...www.kiaic.com/article/detail/5272.html 2024-10-24
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电压反馈和电流反馈运放,电压和电流型运放区别-KIA MOS管
输入结构的差异：CFB输入利用缓冲器输出到反馈端，缓冲器的输出有一个输出电阻R0，大约数十欧姆，运放输入和反馈端的误差信号为电流形式流过R0，这就是电流反馈的来源。误差电流通过电流镜像到第二级，电流变成电压。www.kiaic.com/article/detail/5271.html 2024-10-24
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正弦波振荡电路,振荡条件,组成部分详解-KIA MOS管
正弦波振荡电路由放大器、反馈网络、自动增益控制（AGC）和电源构成。放大器是正弦波振荡电路的心脏，负责提供必要的增益，以确保电路能够持续振荡。而反馈网络，通常是由电阻和电容组成的RC网络，它定义了电路的振荡频率和相位条件，确保电路输出稳定的正弦波...www.kiaic.com/article/detail/5270.html 2024-10-24
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逆变器mos管,500v15a,KNX6650A场效应管中文资料-KIA MOS管
KNX6650A场效应管采用专有平面新技术，漏源电压500V，漏极电流15A，为高压、高速功率开关应用而设计，RDS（ON）为0.33Ω；低栅电荷最小开关损耗、快速恢复体二极管，保证电源的稳定和可靠性；KNX6650A高压MOS管常用于逆变器，以及高效开关电源、有源功率因数校...www.kiaic.com/article/detail/5269.html 2024-10-23