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mosfet驱动电路,原理图,工作原理详解-KIA MOS管
mosfet驱动电路的原理是通过调节栅极电压控制漏源极的导通状态，利用栅极电容充放电实现快速开关。www.kiaic.com/article/detail/5604.html 2025-04-08
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应急启动电源mos,12a650v场效应管,KNF6365A参数资料-KIA MOS管
应急启动电源专用MOS管KNF6365A漏极电流12A，漏源击穿电压为650V，低导通电阻RDS(开启) 0.7Ω，低电阻、低门电荷、低反向传输电容，最大限度地减少开关损耗，提高效率；快速切换、ESD改进能力、100%单脉冲雪崩能量测试，高效稳定可靠；广泛应用于适配器和充电器...www.kiaic.com/article/detail/5603.html 2025-04-07
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负载开关,30v80amos管,3403场效应管,KNY3403C参数-KIA MOS管
KNY3403C场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流80A，极低导通电阻RDS(开启) 4.3mΩ，可最大限度地降低导通电阻，最小化开关损耗；低栅极电荷、低反向传输电容，高效率低损耗；快速切换能力和改进的dv/dt能力、100%雪崩测试，稳定可靠，广泛应用于PWM应用程序、开关...www.kiaic.com/article/detail/5591.html 2025-04-07
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元器件封装形式,电子元器件封装-KIA MOS管
直插式元器件封装的焊盘一般贯穿整个电路板，从顶层穿下，在底层进行元器件的引脚焊接，如图所示。www.kiaic.com/article/detail/5592.html 2025-04-07
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半波整流和全波整流的区别详解-KIA MOS管
半波整流：仅利用交流电的一个半周期（正半周或负半周）进行整流。通过一个二极管实现，当交流电处于正半周期时，二极管导通，电流通过负载形成直流；在负半周期时，二极管截止，电流无法通过负载，因此没有直流输出。www.kiaic.com/article/detail/5593.html 2025-04-07
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电机控制mos,60a100v场效应管,KNP3610A参数资料-KIA MOS管
KNP3610A场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流60A，采用先进的沟槽技术，性能优越，开关速度快；极低导通电阻RDS(开启) 17mΩ，可最大限度地降低导通损耗；低栅极电荷、低Rdson的高密度电池设计，高效低耗；完全表征雪崩电压和电流、具有高EAS的良好稳定性和均匀...www.kiaic.com/article/detail/5594.html 2025-04-07
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运算放大器电压跟随器电路图,原理详解-KIA MOS管
电压跟随器（也称为单位增益放大器、缓冲放大器和隔离放大器）是一种电压增益为 1 的运算放大器电路。这意味着运算放大器不会对信号进行任何放大。之所以称为电压跟随器，是因为输出电压直接跟随输入电压，即输出电压与输入电压相同。www.kiaic.com/article/detail/5595.html 2025-04-07
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电吹风电路图,电路原理详解-KIA MOS管
当S1吹风档位打到下面，S2不开启时，220V通过D1的整流变成半波，然后半波经过D3Q给电机B1和LED进行供电后流出D3进入R6发热丝，最后回流到P1电源座子。www.kiaic.com/article/detail/5596.html 2025-04-07
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dcdc转换器,40a300vmos管,KNH9130B参数引脚图-KIA MOS管
KNH9130B场效应管采用专有新型平面技术，漏源击穿电压300V，漏极电流40A，低导通电阻RDS(开启) 0.12Ω；具有低栅极电荷、快速恢复体二极管等特性，能够在短时间内完成导通和截止状态的转换，减少开关损耗，提高电源的转换效率；在DC-DC转换器中用于能量转换和电...www.kiaic.com/article/detail/5597.html 2025-04-07
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电阻符号,电阻符号单位,公式-KIA MOS管
电阻的符号是R，这是物理学中用于表示电阻器或电阻值的标准符号。电阻是导体对电流阻碍作用的物理量，其国际单位是欧姆，符号为Ω。www.kiaic.com/article/detail/5598.html 2025-04-07
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dcdc转换器电路,dcdc电路原理图-KIA MOS管
DC-DC转换器利用电容和电感的储能特性，通过可控开关（如MOSFET）进行高频开关动作，将输入的电能储存在电容（或电感）中，当开关断开时，电能再释放给负载，提供所需的能量。www.kiaic.com/article/detail/5599.html 2025-04-07
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保护板mos管,85v120a场效应管,3008mos管,KCB3008A参数-KIA MOS管
锂电池保护板专用MOS管KCB3008A漏极电流120A，漏源击穿电压为85V，采用先进的SGT技术，极低导通电阻RDS(开启) 4.5mΩ，最大限度地减少开关损耗，提高效率；优秀的栅极电荷xRDS（开）产品（FOM），稳定可靠；在电机驱动器和DC/DC转换器、SR（同步整流）中能够高...www.kiaic.com/article/detail/5600.html 2025-04-07
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短沟道效应对阈值电压的影响,mosfet短沟道效应-KIA MOS管
随着MOSFET尺寸的缩小，特别是沟道长度的缩短，短沟道效应变得显著。这种效应包括直接隧穿、热载流子注入等，它们会改变沟道中的电荷分布和电场分布，进而影响阈值电压。短沟道效应通常导致阈值电压的降低和亚阈值摆幅的增大。www.kiaic.com/article/detail/5601.html 2025-04-07
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逆变器工作原理,电路图,原理图详解-KIA MOS管
逆变器的工作原理步骤：1. 直流电源输入： 接收来自太阳能电池板或蓄电池的直流电。2. 电流转换： 内部电子开关快速切换电流方向，形成与交流电类似的波形。3. 交流电输出： 转换后的交流电输送至电器或电网，为生活和生产提供动力。www.kiaic.com/article/detail/5602.html 2025-04-07