|
|
|
结果: 找到相关主题 5227 个
-
51单片机是什么,stm32和51单片机的区别-KIA MOS管
单片微型计算器，简称为单片机。单片机就是在一块硅片上集成了微处理器、存储器以及各种输入/输出（I/O，I指的是input，O指的是output）口的芯片。单片机是一块集成芯片，这块集成芯片具有一些特殊的功能，通过编程我们可以用这块单片机的I/O口的高低电平变化来...www.kiaic.com/article/detail/5199.html 2024-09-10
-
逻辑电平是什么,逻辑电平有哪些？-KIA MOS管
逻辑电平是用来表示数字信号状态的电压水平，通常由信号与地线之间的电位差来体现。逻辑电平的浮动范围由?逻辑家族中不同器件的特性所决定。在数字电子系统中，常用的逻辑电平有高电平（通常表示为“1”）和低电平（通常表示为“0”）。www.kiaic.com/article/detail/5198.html 2024-09-10
-
3n80场效应管,KIA3N80H参数引脚图,原厂现货-KIA MOS管
KIA3N80H场效应管漏极电流3A，漏源击穿电压高达800V，在开启状态下静态电阻RDS为4.8Ω，具有稳定的电气特性；低栅极电荷为13nC，确保快速的响应速度；具有高坚固性，在各种情况下可靠工作；改进的dv/dt能力，有效降低开关时的干扰。KIA3N80H可以替代3n80型号应...www.kiaic.com/article/detail/5197.html 2024-09-09
-
0805电阻功率,0805贴片电阻功率多少-KIA MOS管
0805贴片电阻的功率是1/8W。??0805是贴片电阻的一种封装型号，电阻的功率是根据电阻封装大小、材质等因素来决定的，通常电阻的厂家会提供销售的电阻的功率参数。0805贴片电阻中0805代表封装外形尺寸，与焊盘尺寸关系不大。0805的功率各个地方、厂家的规定都不...www.kiaic.com/article/detail/5196.html 2024-09-09
-
运放电压跟随器电路,原理,作用详解-KIA MOS管
运放电压跟随器的原理是利用运算放大器的高增益特性，实现输入电压与输出电压之间的线性关系。在理想情况下，输出电压与输入电压完全相等，即增益为1，因此得名“电压跟随器”。一个典型的运放电压跟随器电路由一个运算放大器、两个电阻器R1和R2组成。www.kiaic.com/article/detail/5195.html 2024-09-09
-
6n70参数及代换,6n70kl引脚参数,KIA6N70H场效应管-KIA MOS管
KIA6N70H场效应管可以替代6n70型号应用在高效开关电源、LED驱动、电机驱动中，漏源击穿电压700V、漏极电流5.8A，RDS(on)typ为1.8Ω@VGS=10V，最大限度地减少导通电阻，低栅电荷（典型16NC），提供卓越的开关性能；具有高耐用性、快速切换和雪崩测试100%、dv/dt...www.kiaic.com/article/detail/5194.html 2024-09-05
-
电解电容正负极判断,电解电容正负极区分-KIA MOS管
电解电容区分正负极：①电容套管白色银边且有“一字”标识的侧端引脚为电容负极，另一侧端引脚则为电容正极；②新的电容引脚长的为电容正极，另一引脚则为电容负极。www.kiaic.com/article/detail/5193.html 2024-09-05
-
nmos导通条件电流流向,nmos导通电压-KIA MOS管
NMOS的导通条件是当栅极和源极之间的电压（Vgs）大于或等于阈值电压（Vth）时。阈值电压是一个特定的电压值，它决定了MOSFET是否导通。一旦Vgs大于或等于Vth，NMOS就会导通。此时，栅极和漏极之间的电压（Vgd）可以是正值或零。www.kiaic.com/article/detail/5192.html 2024-09-05
-
10n65场效应管参数,KIA10N65H参数引脚图,中文资料-KIA MOS管
KIA10N65H场效应管漏源击穿电压650V，漏极电流10A，RDS(on)=0.65Ω @ VGS=10V，低导通电阻，低栅极电荷(典型48nC)，有效降低开关损耗，提升效率；具有快速交换功能、指定的雪崩能量以及改进的DV/DT功能，稳定可靠，提高开关响应速度，可以替代10n65型号应用在高...www.kiaic.com/article/detail/5191.html 2024-09-04
-
电位器引脚图接线图,电位器工作原理-KIA MOS管
固定端A接电源正极（+V）或信号源。中间滑动端W接输出端，用于获取与滑动位置成比例的电压。固定端B接地（GND）或电源负极（-V）。这样，滑动端W的电压将随电位器滑动位置的改变而线性或按特定曲线变化，实现对输入电压的分压。www.kiaic.com/article/detail/5190.html 2024-09-04
-
中间继电器接线图,中间继电器的原理作用-KIA MOS管
中间继电器可以控制交流负载的接通和断开。接线方法是：将中间继电器的线圈接入控制电路中，将负载接入交流电源，并将中间继电器的常开触点接入负载的控制电路中。www.kiaic.com/article/detail/5189.html 2024-09-04
-
7n65f参数及代换,KNX4665B场效应管参数引脚图规格书-KIA MOS管
KNX4665B场效应管可以替代7n65型号应用在DCDC转换器、电源适配器、镇流器、LED驱动中，漏源击穿电压650V，漏极电流7A，能够承受较大的电压压力及良好的导电性能；RDS（ON）的典型值为1.1Ω，低导通电阻，低栅极电荷最小化，有效降低开关损耗，提升整体性能；符...www.kiaic.com/article/detail/5188.html 2024-09-03
-
Ciss和Coss和Crss,电容特性Ciss,Coss,Crss-KIA MOS管
MOSFET在栅极-漏极、栅极-源极和漏极-源极之间具有电容，Ciss为输入电容，Crss为反馈电容，Coss为输出电容。电容会影响MOSFET的开关性能。www.kiaic.com/article/detail/5187.html 2024-09-03
-
霍尔传感器工作原理、作用详解-KIA MOS管
当磁场作用在半导体上时，电子会垂直于电流方向发生侧向偏转，一侧分布电子多，一侧分布电子少，由此产生霍尔电压，指针偏转。如果磁场被中断，电子会重新均匀分布，这时电压表指针不偏转。阈值开关以数字方式显示霍尔电压的模拟信号，阈值开关在一定电压下闭合...www.kiaic.com/article/detail/5186.html 2024-09-03