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4n65f参数及代换,KIA4365A场效应管参数引脚图-KIA MOS管
KIA4365A场效应管可以替代4n65型号应用在高频开关电源、LED驱动和不间断电源（UPS）中，漏源击穿电压为650V，漏极电流4A，RDS（ON）典型值为2.0Ω，低导通电阻，减少导通损耗；具有快速切换技术，有效降低损耗，提高电路效率，改进的dv/dt能力在电路切换时快速...www.kiaic.com/article/detail/5185.html 2024-09-02
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什么是阻抗匹配,阻抗匹配原理详解-KIA MOS管
阻抗匹配指通过调整输入阻抗和输出阻抗来使得电子器件满足一定条件，通常该条件是使得系统传输功率最大或者使得信号反射最小。例如，再无线传输系统中需要匹配射频发射设备和接受天线的阻抗以此来实现传输功率最大化。www.kiaic.com/article/detail/5184.html 2024-09-02
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电路端接电阻方式,端接电阻的作用-KIA MOS管
串联端接发送端的输出阻抗比较小，那么我们在电路上直接串联一个电阻，使得输出阻抗加上电阻阻值的总阻抗等于传输线阻抗，这样就能保证阻抗的连续性，减小信号的反射。www.kiaic.com/article/detail/5183.html 2024-09-02
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看门狗电路图,看门狗电路原理-KIA MOS管
看门狗型复位电路主要利用CPU正常工作时，定时复位计数器，使得计数器的值不超过某一值；当CPU不能正常工作时，由于计数器不能被复位，因此其计数会超过某一值，从而产生复位脉冲，使得CPU恢复正常工作状态。www.kiaic.com/article/detail/5182.html 2024-08-30
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贴片电阻识别方法图,型号对照表-KIA MOS管
1、直标法：用数字和单位符号在电阻器表面标出阻值，其允许误差直接用百分数表示，若电阻上未注偏差，则均为±20%。2、文字符号法：用阿拉伯数字和文字符号两者有规律的组合来表示标称阻值，其允许偏差也用文字符号表示。符号前面的数字表示整数阻值，后面...www.kiaic.com/article/detail/5181.html 2024-08-30
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三极管反向击穿电压,BVcbo,BVceo,BVebo-KIA MOS管
反向击穿电压是指在反向电压作用下，半导体材料中的电子空穴对被拉出，形成电流，从而导致器件损坏的电压。对于三极管而言，由于其内部存在两个p-n结（发射结和集电结)，因此它有三个反向击穿电压：BVCEO（集电极-发射极反向击穿电压）、BVCBO（集电极-基极反向...www.kiaic.com/article/detail/5180.html 2024-08-29
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继电器控制电路图,原理图分享-KIA MOS管
继电器模块的控制电路通常由一个开关电路或传感器电路提供控制信号。例如，可以使用一个按钮来控制继电器的开关动作。当按钮按下时，控制电路会给继电器的线圈供电，触点闭合；当按钮松开时，线圈断电，触点打开。www.kiaic.com/article/detail/5179.html 2024-08-29
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4n65场效应管参数,4n65f参数及代换,KIA4N65H资料-KIA MOS管
KIA4N65H场效应管漏极电流4A，漏源击穿电压为650V，RDS（开）=2.5Ω @ VGS=10V，最大限度减少导通电阻；低栅极电荷，典型值为16nC，高坚固性、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力、在雪崩和换向模式下承受高能脉冲，能够确保稳定性和可靠性，带来高效率和快速响应，...www.kiaic.com/article/detail/5178.html 2024-08-28
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光控延时开关电路图,原理图分享-KIA MOS管
电路电容C1用于延时控制，平时RG没有收到光照时呈现高电阻，V1、V2均截止，继电器K不工作，当用手电等光源照射光敏电阻时，RG呈现低电阻，V1导通，因为等效电阻很小，所以电容C1迅速充满电荷。同时V2也导通，K吸合，常开触点闭合，可使被控设备得电工作。www.kiaic.com/article/detail/5177.html 2024-08-28
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简单的延时电路图,延时开关电路图-KIA MOS管
将电源开关 K2 闭合，再按下按钮开关 K1，这时，晶体二极管 V1、V2 导通，继电器吸合。同时电源对电容器 C 充电。当 K1 断开后由于 C 已被充电，它将通过 R 和 V1V2 放电，从而维持三极管继续导通，继电器仍然吸合。经过一段时间的放电，C 两极间电压下降到一定...www.kiaic.com/article/detail/5176.html 2024-08-28
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76N60N参数代换,KCM3560A场效应管参数引脚图,76A 600V-KIA MOS管
KCM3560A场效应管可以替代76N60N使用，漏源击穿电压600V，漏极电流76A，RDS(on)typ.=36mΩ@VGS=10V；具有坚固的高压终端、指定雪崩能量、与离散快速恢复二极管相当的源极到漏极恢复时间、高温下规定的IDSS和VDS（ON）、隔离安装孔减少了安装硬件，专为电源、转...www.kiaic.com/article/detail/5175.html 2024-08-27
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7n60场效应管参数,KNF4660A参数引脚图,规格书资料-KIA MOS管
KNX4660A场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流7A，专为高压、高速功率开关应用设计，在高压环境下发挥稳定，RDS（ON），典型值=1.0Ω@VGS=10V，具有良好的导通性能；符合RoHS标准、低栅极电荷最小化开关损耗、快速恢复体二极管，性能出色。KNX4660A可以替代7N60...www.kiaic.com/article/detail/5174.html 2024-08-27
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肖特基接触和欧姆接触的特点、区别-KIA MOS管
欧姆接触是半导体设备上具有线性并且对称的电流-电压特性曲线(I-V curve)的区域。如果电流-电压特性曲线不是线性的，这种接触便叫做肖特基接触。www.kiaic.com/article/detail/5173.html 2024-08-27
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12n60场效应管参数,高压mos管,KIA12N60H参数引脚图-KIA MOS管
KIA12N60H场效应管专为高压、高速功率开关应用而设计，可以替代12N60型号应用在开关电源、LED驱动、储能电源中；漏源击穿电压600V，漏极电流12A，RDS(on)= 0.53Ω @ VGS=10V，低导通电阻，超低栅极电荷52nC，高效率低损耗；具有快速切换能力、改进的dv/dt能力、...www.kiaic.com/article/detail/5172.html 2024-08-26