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12n60场效应管参数,高压mos管,KIA12N60H参数引脚图-KIA MOS管
KIA12N60H场效应管专为高压、高速功率开关应用而设计，可以替代12N60型号应用在开关电源、LED驱动、储能电源中；漏源击穿电压600V，漏极电流12A，RDS(on)= 0.53Ω @ VGS=10V，低导通电阻，超低栅极电荷52nC，高效率低损耗；具有快速切换能力、改进的dv/dt能力、...www.kiaic.com/article/detail/5172.html 2024-08-26
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单电源转双电源电路,单电源转正负双电源-KIA MOS管
时基电路555接成无稳态电路，3脚输出频率为20KHz、占空比为1:1的方波。3脚为高电平时，C4被充电;低电平时，C3被充电。由于VD1、VD2的存在，C3、C4在电路中只充电不放电，充电最大值为EC，将B端接地，在A、C两端就得到+/-EC的双电源。www.kiaic.com/article/detail/5171.html 2024-08-26
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sod123封装尺寸,SOD123封装尺寸图-KIA MOS管
SOD123是一种常见的贴片封装，用于封装各种电子元件，如二极管、小信号晶体管等。它具有较小的尺寸，适用于需要节省空间的电路设计。封装长度（L）：2.1 mm封装宽度（W）：1.25 mm封装高度（H）：1.0 mmwww.kiaic.com/article/detail/5170.html 2024-08-26
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8n60场效应管参数代换,KIA8N60H参数引脚图,中文资料-KIA MOS管
KIA8N60H场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流7.5A，RDS（开）值仅为0.98Ω，具有良好的导通性能；超低栅极电荷仅为29nC，展现快速切换能力；具有快速开关时间、改进的dv/dt能力、高雪崩特性，高效稳定。KIA8N60H可以替代8N60型号在电源、LED驱动、PWM电机控制、...www.kiaic.com/article/detail/5169.html 2024-08-23
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8n60场效应管参数,8n60场效应管引脚图,8n60参数-KIA MOS管
KIA8N60场效应管漏源击穿电压600V，漏极电流7.5A，使其在高压环境下发挥稳定而强大的作用，其RDS（开）值仅为0.98?，在输入电压为10V时表现突出，具有良好的导通性能；超低栅极电荷仅为29nC，展现出快速切换的能力，使其在开关电源、LED驱动领域有着广泛的应用...www.kiaic.com/article/detail/4801.html 2024-08-23
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pmos防反接电路设计,电路原理图-KIA MOS管
PMOS用作电源开关，将负载与电源连接或断开，在正确连接电源期间，MOSFET由于正确的VGS(栅极到源极电压)而导通，但在反极性情况下，栅极到源极电压太低而无法导通MOSFET并将负载与输入电源断开。www.kiaic.com/article/detail/5168.html 2024-08-23
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nmos防反接保护电路,原理图-KIA MOS管
当电源正接时，上电初期，Vs=Vg=Vin，由于NMOS寄生二极管的存在，NMOS的漏极与源极导通，Vs=Vd+0.7V，而Vd=GND，故Vs=0.7V左右，Vgs=Vin-Vd6，选型合理的话，Vgs＞Vth，故NMOS导通。www.kiaic.com/article/detail/5167.html 2024-08-23
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7n60场效应管参数,led驱动mos管,KIA7N60H参数管脚-KIA MOS管
KIA7N60H场效应管可以代换7n60型号，在高压应用中表现出色，漏源击穿电压600V，漏极电流7A，RDS（打开）=1.0Ω @ VGS=10V，低导通电阻，有效降低功耗和提高效率；具有超低的栅极电荷，典型值为27nC，以及低反向转移电容、雪崩能量测试、改进的dv/dt能力，确保在...www.kiaic.com/article/detail/5166.html 2024-08-22
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恒流源电路设计,晶体管恒流源电路-KIA MOS管
用晶体管构成电压源和电流源电流。电压源就是共集电路，而电流源就是共基电路，此两电路在实际工程中运用极广。另外，请注意到共集电极电路的输入端在基极而输出端在发射极，故输出电压与输入电压电位特性一致，但输出电压比输入电压低0.6V，也即α倍，而输出电...www.kiaic.com/article/detail/5165.html 2024-08-22
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加法器和减法器的区别,加减法器电路图-KIA MOS管
加法器用于执行加法运算，减法器用于执行减法运算。加法器包括半加器和全加器，其中半加器用于相加两个单独的二进制位，全加器用于相加两个二进制位和一个进位输入。减法器将减数取补码，然后与被减数相加，并加上一个进位位，得到减法的结果。www.kiaic.com/article/detail/5164.html 2024-08-22
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KIA24N50H替代24n50场效应管参数,500V 24A,中文资料-KIA MOS管
KIA24N50H场效应管漏源电压500V，漏极电流24A，低导通电阻RDS（ON）=0.16Ω@VGS=10v，低栅极电荷（典型90nC），使开关损耗最小化，提高效率；具有高坚固性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，稳定可靠；封装形式： TO-3P。www.kiaic.com/article/detail/5163.html 2024-08-21
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提高晶体管开关速度的途径,方法图文-KIA MOS管
实际上，为了实现理想的基极电流波形，可以方便地采用下图所示的基极输入回路（微分电路），图中与基极电阻RB并联的CB就称为增速电容器。在基极输入回路中增加一个增速电容器之后，虽然输入的电流波形仍然是方波，但是通过增速电容器的作用之后，所得到的实际基...www.kiaic.com/article/detail/5162.html 2024-08-21
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沟道长度调制效应,沟道调制效应的概念,原理-KIA MOS管
??沟道调制效应是指?MOS晶体管中，当栅下沟道预夹断后，若继续增大漏源电压（Vds），夹断点会略向源极方向移动，导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小，有效沟道电阻也就略有减小，从而使更多电子自源极漂移到夹断点，导致在耗尽区漂移电子增多，使漏源电...www.kiaic.com/article/detail/5161.html 2024-08-21
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18n50参数代换,中文资料,KIA18N50H大功率场效应管现货-KIA MOS管
KIA18N50H场效应管漏源电压500V，漏极电流18A，专为高压、高速功率开关应用设计，如高效开关电源、有源功率因数校正；低导通电阻RDS（开启）=0.25?@VGS=10V；低栅极电荷（典型50nC），使开关损耗最小化，提高效率；具有快速切换能力、指定雪崩能量、改进的dv/...www.kiaic.com/article/detail/5160.html 2024-08-20