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详解短沟道效应和窄沟道效应,形成原因-KIA MOS管
在CMOS器件工艺中，当导电沟道长度降低到十几纳米，甚至几纳米量级时，晶体管出现一些效应。这些效应主要包括阈值电压Vth随着沟道长度降低而降低，载流子表面散射，速度饱和，离子化和热电子效应。www.kiaic.com/article/detail/5146.html 2024-08-14
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led车灯mos管,12n06场效应管参数代换,KIA6035A中文资料-KIA MOS管
KIA6035A可以代换12n06场效应管应用在led车灯中，漏源击穿电压350V，漏极电流11A，RDS（ON）仅为0.38Ω，在10V的VGS下表现出色、低栅极电荷，仅为15nC，有助于提高开关速度和效率，具有高坚固性和快速切换能力、指定的雪崩能量和改进的dv/dt能力，稳定可靠；封...www.kiaic.com/article/detail/5145.html 2024-08-13
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无刷控制器mos管,irfp260m参数代换,KNP9120A中文资料-KIA MOS管
KNP9120A场效应管采用专有新型平面技术，具有高效率、高可靠性和良好的热性能，能够代换irfp260m应用在无刷控制器、逆变器、光伏逆变中，KNP9120A漏源击穿电压200V，漏极电流40A，RDS（ON）=50mΩ（典型值）@VGS=10V，低导通电阻减少功率损耗和发热，低栅极电荷...www.kiaic.com/article/detail/5144.html 2024-08-13
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二极管pn结形成过程图文详解-KIA MOS管
当P型半导体和N型半导体接合在一起时，由于P型半导体中的空穴浓度较高，而N型半导体中的电子浓度较高，因此会形成扩散运动，并且P型半导体中的空穴将向其浓度较低的方向移动。 N型半导体的电子也会扩散到其浓度低的地方，从而扩散到P型区域。www.kiaic.com/article/detail/5143.html 2024-08-13
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逆变器mos管,KIA6720N可代换IRF640参数,中文资料-KIA MOS管
KIA6720N场效应管漏源击穿电压200V，漏极电流18A，RDS（ON）=0.12Ω@VGS=10V；低导通电阻、低栅极电荷使开关损耗最小化，符合RoHS，峰值电流与脉冲宽度曲线，高效稳定，广泛应用于逆变器、CRT、电视/监视器等领域。KIA6720N可以代换IRF640场效应管使用，封装形...www.kiaic.com/article/detail/5142.html 2024-08-12
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PN结的击穿有哪几种,pn结的击穿机制-KIA MOS管
对pn结施加的反向偏压增大到某一数值VBR时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为pn结击穿。发生击穿时的反向电压称为pn结的击穿电压。PN结的击穿主要分为三类：雪崩击穿、齐纳击穿和热击穿。www.kiaic.com/article/detail/5141.html 2024-08-12
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耗尽区宽度计算公式,耗尽区宽度与掺杂浓度关系-KIA MOS管
当掺杂浓度较高时，单位长度区域内的载流子数量更多，离子数量也更多。这使得在较少的单位长度内就能建立起“一定强度的内电场”，使得PN结进入动态平衡阶段（宽度不再发生变化），因此耗尽区宽度变窄。www.kiaic.com/article/detail/5140.html 2024-08-12
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irf630,uf630参数代换,9A 200V场效应管,KIA4820N-KIA MOS管
KIA4820N场效应管采用专有的新型平面技术，性能出色，漏源击穿电压200V，漏极电流9A，RDS（开启）=260mΩ@VGS=10V，低栅极电荷可最大限度地减少开关损耗，快速恢复体二极管，稳定可靠，KIA4820N能够替代irf630、uf630场效应管应用在LED驱动、CRT、电视/显示器中...www.kiaic.com/article/detail/5139.html 2024-08-09
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常见的电路故障,家庭电路常见故障分析-KIA MOS管
1.开路：如灯丝断了;灯座、开关、拉线盒开路;熔丝熔断或进户线开路等。开路会造成用电器无电流通过而无法正常工作。www.kiaic.com/article/detail/5138.html 2024-08-09
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齐纳二极管和稳压二极管的区别详解-KIA MOS管
稳压二极管（zener diode），也称齐纳二极管。它的特点是利用PN结反向击穿时，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变，从而起到稳压作用。www.kiaic.com/article/detail/5137.html 2024-08-09
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mbr20150参数代换,20A 150V场效应管,KIA7115A中文资料-KIA MOS管
KIA7115A场效应管?漏源击穿电压150V，漏极电流20A，RDS（开启）=77m?@VGS=10V，超低栅极电荷，降低开关损耗，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的RDS和栅极电荷，出色的Cdv/dt效应下降、绿色设备可用，符合RoHs，100%EAS保证，稳定可靠，封装形式：TO-25...www.kiaic.com/article/detail/5136.html 2024-08-08
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尖峰电压吸收电路,电压尖峰解决-KIA MOS管
（1）利用齐纳二极管和超快恢复二极管（SRD)组成齐纳钳位电路；（2）利用阻容元件和超快恢复二极管组成的R、C、SRD软钳位电路；（3）由阻容元件构成RC缓冲吸收电路。www.kiaic.com/article/detail/5135.html 2024-08-08
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led隔离驱动,led非隔离驱动电路方案-KIA MOS管
市电220V直接通过一个整流桥D2，然后经过C2滤波后，就输入到MT7812芯片的电源引脚VCC。电阻R1和R2，它俩的作用是限流，防止高压产生的大电流冲击MT7812芯片的内部电路。www.kiaic.com/article/detail/5134.html 2024-08-08
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9A 100V场效应管现货,KNX4810A参数引脚图中文资料-KIA MOS管
KNX4810A是一款性能出色的场效应管，漏源击穿电压100V，漏极电流9A，在VGS=10V时，RDS（ON）=140mΩ（典型值），减小损耗、提高效率，具有增强模式、快速切换、无铅铅镀层，符合RoHS标准，稳定可靠；封装形式：TO-252。www.kiaic.com/article/detail/5133.html 2024-08-07