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开关电源整流二极管并联电容和电阻作用-KIA MOS管
C5的主要作用其实为了吸收过高的反向电压，也就是当二极管截止的时候二极管所承受的电压，因为电感的感应电压非常高，不加以抑制的话这个电压就有可能会超过它的耐压值，同时也会有比较大的反向电流，这样的话二极管就会有击穿的风险。www.kiaic.com/article/detail/4392.html 2023-07-31
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【开关电源】电路电容选型分析-KIA MOS管
吸收电路的电容选型，如下图所示，在开关电源中，在MOS管或二极管上并联电容吸收尖峰是很常见的电路，那么这颗电容该如何去选择呢？www.kiaic.com/article/detail/4371.html 2023-07-20
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运放参数分析：输入阻抗和输入电容详解-KIA MOS管
运放的输入共模电容 Ccm 和差模电容 Cdiff 会形成运放的输入电容 Cin。在许多应用中，运算放大器的输入电容都不会造成问题。但在某些应用中会引起放大电路的不稳定。www.kiaic.com/article/detail/4357.html 2023-07-14
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【开关电源】电容的功率损耗及计算方法-KIA MOS管
电容在开关电源电路中主要起稳压、滤除输入/输出噪声的作用。与理想的电容模型不同，电容元件的实际物理特性导致损耗的产生，电容的这些损耗降低了开关电源的效率。www.kiaic.com/article/detail/4340.html 2023-07-06
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图文详解-降低TVS管自身寄生电容-KIA MOS管
TVS管自身带有寄生电容，同样，二极管自身也带有寄生电容，将 TVS管和二极管串联，其实就是将二者的寄生电容串联，以此来减少寄生电容的影响。www.kiaic.com/article/detail/4330.html 2023-07-03
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PN结的击穿特性、伏安特性及电容效应-KIA MOS管
这里介绍的两种击穿都是因为反向电流“过大”而击穿的，分别是“齐纳击穿”和“雪崩击穿”。www.kiaic.com/article/detail/4312.html 2023-06-21
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电容充放电时间常数RC计算分享-KIA MOS管
对于电路时间常数RC的计算，可以归纳为以下几点： 1).如果RC电路中的电源是电压源形式，先把电源“短路”而保留其串联内阻；www.kiaic.com/article/detail/4252.html 2023-05-24
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结电容Cgd Cgs Cds与分布参数Ciss Crss Coss-KIA MOS管
结电容”的定义适用于所有的FET，并不局限于VMOS，也适用于所有的VMOS晶体管，只是测定方法与标识方法有差异。实际上结电容还包括引线电极与管芯之间的电容、管芯各组成部分之间、管芯与封装之间的分布电容。www.kiaic.com/article/detail/4235.html 2023-05-11
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超结MOSFET输出电容迟滞效应产生原因-KIA MOS管
从图5可以发现，超结功率MOSFET输出电容的迟滞效应，与其漏极源极所加电压VDS直接相关，这种效应大多发生在低压阶段，这也表明，超结功率MOSFET输出电容的迟滞效应和超结柱状结构在低于100V发生的三维耗尽有关。www.kiaic.com/article/detail/4234.html 2023-05-10
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超结功率MOSFET输出电容迟滞效应分析-KIA MOS管
理论上，ZVS软开关过程中，COSS电容充放电，基本上没有损耗。实际应用中却发现，功率MOSFET在ZVS软开关过程中，COSS电容充放电过程存在一定的额外损耗，无法恢复存储在输出电容COSS中的全部能量，这个现象称为超结功率MOSFET输出电容的迟滞（滞洄）效应。www.kiaic.com/article/detail/4233.html 2023-05-10
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MOS管寄生电容如何形成？图文详解-KIA MOS管
1. 势垒电容：功率半导体中，当N型和P型半导体结合后，由于浓度差导致N型半导体的电子会有部分扩散到P型半导体的空穴中，因此在结合面处的两侧会形成空间电荷区（该空间电荷区形成的电场会阻值扩散运动进行，最终使扩散运动达到平衡）；www.kiaic.com/article/detail/4232.html 2023-05-10
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先进工艺下MIM电容和MOM电容的比较分析-KIA MOS管
单位面积容值相同的单位面积容值，电容值 MIM < MOM，MIM 约是1/3 MOS电容值。www.kiaic.com/article/detail/4231.html 2023-05-09
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MIM、MOM和MOS电容的区别图文详解-KIA MOS管
MOS 电容：两端结构的mos管，电容值不精确，可以实现随控制电压变化而变化的容值，上下极板接法不可互换。www.kiaic.com/article/detail/4230.html 2023-05-09
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【集成电容】MOS电容与平板电容分析-KIA MOS管
在CMOS工艺中,通常采用平板电容和MOS电容两种不同的类型,此外还有与偏置电压有关的PN结非线性电容和引线寄生电容等。www.kiaic.com/article/detail/4228.html 2023-05-08