高压大功率MOS管
mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
高压大功率MOS管原厂概述
高压大功率MOS管原厂介绍，深圳市可易亚半导体科技有限公司.是一家专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。
强大的研发平台，使得KIA在工艺制造、产品设计方面拥有知识产权35项，并掌握多项场效应管核心制造技术。自主研发已经成为了企业的核心竞争力。
KIA半导体的产品涵盖工业、新能源、交通运输、绿色照明四大领域，不仅包括光伏逆变及无人机、充电桩、这类新兴能源，也涉及汽车配件、LED照明等家庭用品。KIA专注于产品的精细化与革新，力求为客户提供最具行业领先、品质上乘的科技产品。
从设计研发到制造再到仓储物流，KIA半导体真正实现了一体化的服务链，真正做到了服务细节全到位的品牌内涵，我们致力于成为场效应管（MOSFET）功率器件领域的领跑者，为了这个目标，KIA半导体正在持续创新，永不止步！
KIA半导体高压大功率MOS管产品特点
（1）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好
（2）场效应管的输入端电流极小，因此它的输入电阻很大
（3）场效应管是电压控制器件，它通过VGS来控制ID
（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数
（5）场效应管的抗辐射能力强
（6）由于不存在杂乱运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低
高压大功率MOS管选型表
以下是KIA推荐的高压大功率MOS管型号，如有需要请联系我们，我们将竭诚为您服务。
|
Part Numbe
|
ID（A）
|
BVDSS（v）
|
Typical
RDS(ON)@60%
ID（Ω）
|
MAX
RDS(ON)@60%
ID（Ω）
|
ciss
|
|
pF
|
|
KNX9120A
|
40
|
200
|
0.05
|
0.065
|
2800
|
|
KNX9130A
|
40
|
300
|
0.11
|
0.13
|
3100
|
|
KNX3730A
|
50
|
300
|
0.05
|
0.065
|
3400
|
|
KIA5N50H
|
5
|
500
|
1.25
|
1.5
|
525
|
|
KIA840S
|
8
|
500
|
0.7
|
0.9
|
960
|
|
KIA4750S
|
9
|
500
|
0.7
|
0.9
|
960
|
|
KNX4850A
|
9
|
500
|
0.7
|
0.9
|
960
|
|
KNX6450A
|
13
|
500
|
0.4
|
0.48
|
2149
|
|
KNX6650A
|
15
|
500
|
0.33
|
0.45
|
2148
|
|
KIA18N50H
|
18
|
500
|
0.25
|
0.32
|
2500
|
|
KIA20N50H
|
20
|
500
|
0.21
|
0.26
|
2700
|
|
KIA24N50H
|
24
|
500
|
0.16
|
0.2
|
3500
|
|
KNX7650A
|
25
|
500
|
0.17
|
0.21
|
4280
|
|
KNH8150A
|
30
|
500
|
0.15
|
0.2
|
4150
|
|
KIA10N80H
|
10
|
800
|
0.85
|
1.1
|
2230
|
高压大功率MOS管封装图
我司KIA率先成功研最新型MOSFET系列产品，可以提供样品，以及有多种封装SOT-89、TO-92、262、263、251、220F、TO-3P、TO-3PF等，下面就列出了几个常用的封装外观图。
（一）TO-220
（二）TO-3P
（三）TO-220F
（四）TO-252
（五）TO-263
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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