500v功放管mos

什么是功放管

KIA半导体供应500v功放管mos，先来看看功放管的分类：A类功放（又称甲类功放） A类功放输出级中两个（或两组）晶体管永远处于导电状态，也就是说不管有无讯号输入它们都保持传导电流，并使这两个电流等于交流电的峰值，这时交流在最大讯号情况下流入负载。当无讯号时，两个晶体管各流通等量的电流，因此在输出中心点上没有不平衡的电流或电压，故无电流输入扬声器。当讯号趋向正极，线路上方的输出晶体管容。

功放管参数

晶体管类型 PNP - Darlington

电压 - 集电极发射极击穿（最大） 100V

电流 - 集电极 (Ic)（最大） 10A

功率 - 最大 125W

在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 1000 @ 5A, 4V

Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） 2V @ 10mA, 5A

电流 - 集电极截止（最大） 2mA

500v功放管mos选型

下面是500v功放管mos的参数选型表：

500v功放管mos-KIA半导体原厂介绍

500v功放管mos原厂供应商介绍，KIA半导体主营半导体产品丰富，是一家国产MOS管厂家。专业从事中、大、功率场效应管(MOSFET)、超结场效应管、碳化硅二极管、碳化硅场效应管、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。

覆盖领域：工业、新能源、交通运输、绿色照明四大领域，不仅包括光伏逆变及无人机、充电桩、这类新兴能源，也涉及汽车配件、LED照明等家庭用品及新型领域。

从设计研发到制造再到仓储物流，KIA半导体真正实现了一体化的服务链，真正做到了服务细节全到位的品牌内涵，我们致力于成为场效应管（MOSFET）功率器件领域的领跑者，为了这个目标，KIA半导体正在持续创新，永不止步！

mos管的功放优缺点
（一）优点

1、MOS 管功放具有鼓励功率小，输出功率大，输出漏极电流具有负温度系数，平安牢靠，且有工作频率高，偏置简单等优点。以运放的输出作为OCL 的输入，到达抑止零点漂移的效果。

2、中音厚，没有三极管那么大的交越失真。

电流推进级通常由一至二级组成，为了降低输出阻抗、增加阻尼系数，常采用二级电流推进。为了防止电流推进级产生开关失真，较好的作法是、采用MOS管并增大本级的静态电流，这样本级不会产生开关失真，由于任何状况下电流推进级一直处于放大区，所以电流输出级也一直处于放大区，因而输出级同样不会产生开关失真和交越失真。

3、MOS管的线性比晶体管好。

（二）缺点

1、低频的温和度比晶体管功放差，MOSFET开关场效应管容易被输出和输入过载损坏,MOSFET场效应晶体管既具有晶体管的根本优点。但运用不久发现这种功放的牢靠性不高（无法外电路维护），开关速度进步得不多和最大输出功率仅为150W/8Ω等。90年代初，MOSFET的制造技术有了很大打破，呈现了一种高速MOSFET大功率开关场效应晶体管。

西班牙艺格公司（ECLER）经多年研讨，攻克了非毁坏性维护系统的SPM专利技术，推出了集电子管功放和晶体管功放两者优点分离的第3代功放产品，在欧洲市场上取得了认可，并逐渐在世界上得到了应用。第3代MOSFET功放的中频和高频音质接近电子管功放，但低频的温和度比晶体管功放差一些，此外MOSFET开关场效应管容易被输出和输入过载损坏。

2、开启电压太高。

3、偏流开很大，还是有一定的交越失真,没交越失真，差不多能够赶上三极管的甲类输出功耗。

4、MOS管不好配对在同一批次管，相对来说要好配对一点。

5、MOS管的低频下太硬,用MOS功放听出所谓电子管音色有一个简单方法，把普通三极管功放里的电压推进三极管换成JFET，JFET才真正具有电子管音色。

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